2025存储技术趋势与展望报告：聚焦DRAM和NAND技术

摘要：2025 年 DRAM 技术聚焦制程迭代与高带宽应用，市场由三星、SK 海力士、美光主导，长鑫存储等中国厂商加速追赶。制程向 4F² 节点推进，2024 年 1α/1β 节点量产占比提升，三星 D1b 节点位密度达 446.67Mb/mm²，核心参数领先行业。

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导读：2025 年 DRAM 技术聚焦制程迭代与高带宽应用，市场由三星、SK 海力士、美光主导，长鑫存储等中国厂商加速追赶。制程向 4F² 节点推进，2024 年 1α/1β 节点量产占比提升，三星 D1b 节点位密度达 446.67 Mb/mm²，核心参数领先行业。高带宽内存（HBM）成发展重点，混合键合（HB）技术因模块高度限制走向薄晶圆方案，16 层堆叠需搭配 20μm 薄晶圆实现尺寸控制。3D NAND 领域层数竞赛持续，三星、美光已推出 276L 产品，长江存储 267L 芯片通过 Xtacking 4.0 技术实现高集成度。垂直栅极间距不断缩减，三星、长江存储等逼近 38nm 极限，模具厚度控制在 42-47nm 区间。On Pitch SGD 设计优化通道孔布局，KIOXIA 218L 采用 20 孔结构提升密度。混合键合成 3D NAND 升级关键，长江存储 Xtacking、铠侠 BiCS8 等方案实现阵列与逻辑晶圆键合。技术挑战集中于对准精度、机械应力与清洁度控制。2025 年行业将持续通过制程微缩与架构创新，平衡存储密度、性能与成本，支撑 AI 与数据中心需求。