摘要：美国可能会阻止中国公司利用台积电的最新制造工艺，但根据最新的传闻，这些出口管制尚未影响小米，据称小米有望在今年晚些时候推出其首款内部芯片组。然而，虽然我们去年曾报道过该公司原定于 2025 年推出其定制 3nm SoC，我们很失望地得知此版本的规格将采用台积电

美国可能会阻止中国公司利用台积电的最新制造工艺，但根据最新的传闻，这些出口管制尚未影响小米，据称小米有望在今年晚些时候推出其首款内部芯片组。然而，虽然我们去年曾报道过该公司原定于 2025 年推出其定制 3nm SoC，我们很失望地得知此版本的规格将采用台积电的 4nm 'N4P' 工艺。根据更多细节，这款芯片不会像高通为 Snapdragon 8 Elite 采用的那样采用任何国产内核。

Jukanlosreve在 X 上，提供有关小米即将推出的芯片组的详细信息。尽管更先进的 3nm 硅具有成功进入流片阶段，看来我们将首先看到 4nm 版本。与高通的上一代骁龙 8 Gen 3 一样，小米未命名的 SoC 将共享相同的光刻技术，据说其 CPU 集群采用“1 + 3 + 4”配置。但是，根据最新信息，定制解决方案将不会采用任何内部内核，而是依赖于当前的 ARM 设计。

最快的内核将是 Cortex-X925，运行频率为 3.20GHz，其次是四个运行频率为 2.60GHz 的 Cortex-A725 内核，其余的低功耗 Cortex-A520 据说时钟频率为 2.00GHz。与该集群配对的是运行频率为 1.30GHz 的 Imagination Technologies IMG DXT 72-2304 GPU，提示者声称，这将比 Snapdragon 8 Gen 2 的 Adreno 740 图形处理器更快。遗憾的是，没有提到发布时间表，但根据早些时候的传闻，我们预计小米将正式今年上半年公布，其性能与高通较旧的 Snapdragon 8 Gen 1 相当。

我们的熟人@faridofanani96在 X 上表示 Fixed Focus Digital 会进行这样的盲目猜测，建议我们应该对这些信息持保留态度。话又说回来，小米的名字和在重振其芯片制造雄心方面的进展已经在大量报告中频繁报道，因此我们将期待更多更新。我们还将了解美国是否旨在通过阻止台积电开展业务来阻止公司的目标。

来源：智视角