中国反隐身雷达性能一流世界领先，美国用特殊手段对抗，管用吗？
西太平洋的夜空被三道电磁波纹搅动。当美军F-35C舰载机在冲绳紧急转向，当日本自卫队突然升级那霸基地的电子战系统，当澳大利亚海军连夜撤回南海侦察舰——这些反常举动的背后，是中国反隐身雷达的探测网已覆盖第一岛链。今天咱们就掀开这层"电磁面纱"，看看能让隐身战机现
氧化镓
中国氧化镓雷达横空出世：让隐身战机“裸奔”的黑科技有多强？
2025年3月，杭州镓仁半导体的一则消息震动全球军工界，全球首颗8英寸氧化镓单晶成功量产。这为氧化镓雷达的制造提供了材料基础。这块直径20厘米的“透明圆盘”，不仅让中国在第四代半导体领域实现跨越式领先，更可能彻底改写现代空战规则。
NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍！
株式会社 Novel Crystal Technology （总部：埼玉县狭山市，社长仓又朗人）在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度（JP004596）“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体管的研究开发”项目中，成功开发了功率品质因数（PFOM）达到 1.23 GW
垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本
近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而，传统导模法（EFG）单晶生长技术因依赖贵金属铱坩埚而导致成本高昂，成为氧化镓产业化的主要瓶颈
最新一代氧化镓雷达即将量产，将助力中国六代机登峰造极！
再一次重大突破！2025年3月5日，杭州镓仁半导体公司首发世界第一颗“氧化镓8英寸单晶”。这标志着我国在下一代半导体领域再次占据优势地位。
氧化镓的快速MOCVD生长
美国俄亥俄州立大学（OSU）就利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）提高氧化镓（β-Ga2O3）外延的生长速度进行了报告 [Dong Su Yu et al, Appl. Phys. Lett., v125, p242106 2024]。研究团队特别研究了改变
宽禁带科技论|KAUST：超宽禁带氧化镓晶相异质结
在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓（Ga2O3）晶相异质结（Phase Heterojunction）的新研究发表在《Advan
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
近期，中国科学院宁波材料技术与工程研究所硅基太阳电池及宽禁带半导体团队与郑州大学金刚石材料与器件团队、南京大学以及哈尔滨工业大学的研究团队紧密合作，在国际权威期刊Nano Letters上，以“Ultrawide Bandgap Diamond/ε-Ga2O3
2025：全球半导体10大技术趋势预测！
2024年，全球半导体行业虽然未像预期那般出现全面复苏，但生成式人工智能(AIGC)、汽车电子和通信技术的快速发展，却奠定了底层技术在2025年的基础，为半导体行业在新一年中回暖带来了新的希望。
2025年全球半导体行业10大技术趋势
2024年，全球半导体行业虽然未像预期那般出现全面复苏，但生成式人工智能(AIGC)、汽车电子和通信技术的快速发展，却奠定了底层技术在2025年的基础，为半导体行业在新一年中回暖带来了新的希望。
国产“芯”，遍地开花
近期，国产半导体行业迎来一些重要突破，涉及景嘉微、龙芯中科、镓仁半导体、连科半导体、中欣晶圆、国芯科技、澜起科技等企业，相关技术涵盖了GPU、MCU芯片、时钟芯片、碳化硅、氧化镓等多个半导体关键领域。
【成员风采】深圳平湖实验室在氧化镓理论研究方面取得重要进展
深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组针对氧化镓价带能级低和p-型掺杂困难等问题，采用铑固溶方式理论开发了新型β相铑镓氧三元宽禁带半导体。该成果“Rhodium-Alloyed Beta Gallium Oxide Materials: New Type Ter