三星电子错失3nm骁龙8,高通仍押注2nm:双源代工策略能否成功?
尽管三星电子在多次尝试中未能成功为高通提供达到“骁龙8”级别的旗舰移动应用处理器,但高通仍坚持要求三星电子开发采用2nm制程技术的骁龙8 Elite 3(SM8950)处理器原型。这一举动背后,是高通致力于在旗舰应用处理器领域实现“双源代工”战略,旨在减少对单
尽管三星电子在多次尝试中未能成功为高通提供达到“骁龙8”级别的旗舰移动应用处理器,但高通仍坚持要求三星电子开发采用2nm制程技术的骁龙8 Elite 3(SM8950)处理器原型。这一举动背后,是高通致力于在旗舰应用处理器领域实现“双源代工”战略,旨在减少对单
韩媒 The Bell 当地时间昨日表示,虽然三星电子连续数代未能向高通供应“骁龙 8”级别旗舰移动 AP(IT之家注:应用处理器),但高通还是已经要求三星电子开发 2nm 制程的骁龙 8 Elite 3(SM8950,预计 2026 年末发布)处理器原型。
近期,三星电子宣布成功获得美国商务部《CHIPS》法案激励计划的支持,将收获高达346.37亿元人民币的直接资金补贴。这一消息是在美国商务部于12月20日公布的相关公告中透露的。
半导体产业作为现代科技的核心,其发展状况直接决定了全球科技水平的高低。英伟达(NVIDIA)、英特尔)(Intel)、三星电子(https://baike.baidu.com/item/三星电子/177278)(Samsung Electronics)和台积电
三星电子于12月20日通过内部网络宣布,其设备解决方案(DS)部门的内存业务部门员工将获得相当于基本工资200%的下半年绩效奖金,成为DS部门有史以来最高的TAI金额。
韩媒 Business Korea 昨日(12 月 18 日)发布博文,报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代(1d)DRAM 测试线,旨在提升良率,扩大与竞争对手的技术差距,并力争在明年重新夺回 DRAM 市场的领先地位。
消息称三星电子明年Q1完成10纳米级第七代DRAM测试线2、SK海力士发布适用于AI数据中心的61TB SSD,明年Q3将推出122TB3、韩美半导体推出新一代 HBM 生产设备4、闪迪2025年初正式启用全新商标5、联发科新一代天玑芯片即将发布,预计为天玑8
韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示,三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购,从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。
韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示,三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购,从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。
目前,三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术,并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术,并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND,其量产预计将于明年下半年开始,但业界预测,如果加快进程
12月7日,韩国媒体《韩国经济日报》发表文章称,从今年第三季度的出货量来看,三星电子重新夺回了可折叠智能手机市场的榜首位置。三星夺回了今年第一季度被中国华为抢走的宝座。然而,由于全球可折叠手机市场首次萎缩,需要采取战略应对来普及它。
NAND颗粒是固态硬盘的基本和核心元件,据市场调研机构Dram Exchange发布的数据显示,通用NAND固定价格自去年10月起连续5个月上涨后,从今年3月开始横盘,9月转为下跌趋势。近期,仅数据中心搭载的企业级SSD因AI增长而价格保持稳定,其他NAND产
近期,边缘AI半导体领域的领先企业安霸Ambarella公布了其2025财年第三财季的财务业绩,这一财季截止至2024年10月31日。在公布业绩的同时,安霸还举行了一场电话财报会议,透露了公司在技术研发上的最新进展。
边缘 AI 半导体企业安霸 Ambarella 美国当地时间本月 26 日发布了 2025 财年第三财季(截至 2024 年 10 月 31 日)的财务业绩,并举行了电话财报会议。
这是一项创新战略,为前副董事长提供动力,在包括先进DRAM、HBM和NAND在内的整体存储技术进步缓慢的情况下恢复竞争力。
11月27日,韩国媒体《Etoday》发表文章称,近日,市场研究机构Counterpoint Research发布了第三季度全球高端电视出货量数据。三星电子排名第一,中国海信排名第二,TCL排名第三。LG电子排名第四。
日前,有消息称,三星电子在生产3D NAND闪存方面取得重大突破,成功减少了3D NAND光刻过程中的光刻胶(PR)用量,降幅达到50%,预计三星电子每年将可从中节省数百亿韩元。
三星电子宣布2025年定期人事变动,共有9人,其中2人晋升为总裁,7人职责变更。
三星电子今日公布了 2025 年度重大组织与高管结构调整:存储器业务调整为 CEO 直辖部门;今年 5 月就任 DS 部门负责人的全永贤将担任企业联席 CEO,同时领导 DS、存储器业务并担任三星电子综合技术院(SAIT)负责人。