分立器件产品在智能音频模块上的应用
随着AI技术的进步,音频产品不断进化,智能音频设备功能也越来越强大。智能音频增强技术是指利用计算机科学和人工智能技术,对音频信号实应对使其在音质、音量、音效等方面得到改善。音频增强技术在音频领域非常重要,主要包括音量增益,它通过提高音频信号的音量来增强声音的响
随着AI技术的进步,音频产品不断进化,智能音频设备功能也越来越强大。智能音频增强技术是指利用计算机科学和人工智能技术,对音频信号实应对使其在音质、音量、音效等方面得到改善。音频增强技术在音频领域非常重要,主要包括音量增益,它通过提高音频信号的音量来增强声音的响
照明和显示是年产值超千亿美元的国民经济先导性支柱产业。我国的相关产业规模已跃居全球第一。与传统的照明与显示技术相比,发光二极管(LED)能够直接将电能转化为光能,因此可以实现较高的电光能量转换效率及亮度,同时LED还具有轻便及体积小等优点,被认为是理想的全彩显
尊敬的各位专家、学者和同仁:由我单位主办的“2025全国发光材料与器件发展研讨会”定于2025年1月14日-17日在三亚市三亚亿源轩宇大酒店如期召开。现将会议第二轮会议通知(报到通知)发给您,请接到本通知之后尽快预定车机票以便准时参会。
12月18日,由CREC组委会主办,无锡新能源商会、国能能源研究院、光伏头条承办的“第二届n型光伏电池组件技术交流会 ”在江苏省无锡市太湖国际博览中心成功举办。长三角太阳能光伏技术创新中心副主任、光伏伏科学与技术全国重点实验室副主任、天合光能副总裁冯志强发表《
近期,Tingxin Li及其团队提出了一种创新的二维窗口接触方法,通过结合铋金属和六方氮化硼(hBN)封装技术,成功降低了接触电阻,并实现了在低载流子密度下的高迁移率和分数量子霍尔态的探测。这一方法不仅突破了低温量子传输实验的瓶颈,也为未来低温纳米电子学的发
器件 electronics natureelectroni 2024-12-19 17:00 1
国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善中高压器件可靠性的方法”的专利,公开号CN 119133105 A,申请日期为2024年9月。
半导体测试系统又称半导体自动化测试系统,属于电学参数测试设备,与半导体测试机同义。两者由于翻译的原因,以往将 Tester 翻译为测试机,诸多行业报告沿用这个说法,但现在越来越多的企业将该等产品称之为 ATE system,测试系统的说法开始流行,整体上无论是
12月16日,天马微电子宣布开发出全新的OLED器件结构——SLOD,全称Stacked Layer OLED Device,即叠层OLED器件。
天马微电子今日宣布开发出全新的 OLED 器件结构 ——SLOD,全称 Stacked Layer OLED Device,也就是叠层 OLED 器件。
通过此次合作,双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电在行业内先进的硅基氮化镓工艺技术优势相结合,以满足市场对高压和高频特性功率元件日益增长的需求。
国家知识产权局信息显示,荣耀终端有限公司申请一项名为“一种屏幕发声器件保护方法、装置及电子设备”的专利,公开号 CN 119071685 A,申请日期为 2023 年 6 月。
近日,北京大学国家杰出青年科学基金获得者、2015年度科技部中青年科技创新领军人才郭雪峰教授团队联合内盖夫本古里安大学Yonatan Dubi教授和加利福尼亚大学洛杉矶分校的Kendall N. Houk教授携手回应质疑。该团队设计并制备了一种新型的石墨烯-分
根据贝哲斯咨询的调研数据,2024年全球集成无源器件市场规模达19亿美元,预计2024-2029年的复合年增长率将超过9%。
国家知识产权局信息显示,华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种功率器件仿真方法、装置、电子设备及存储介质”的专利,公开号CN 119047418 A,申请日期为2024年8月。
北京时间2024年11月29日晚八点,iCANX Talks 第214期邀请到了香港城市大学副教授王骋作为主讲嘉宾,香港科技大学研究助理教授薛莹、北京大学助理教授舒浩文也将进行分享!北京大学助理教授胡耀文,华中科技大学教授刘阳担任研讨嘉宾,香港城市大学副教授王
虽然目前平面设计似乎占据了蓬勃发展的电动汽车动力传动系统逆变器市场的大部分份额,但在不久的将来,成本压力和边际收益可能会使沟槽设计脱颖而出。在本文中,我们将解释这两种设计的不同优缺点、当前的商业影响以及这些器件的未来前景。
透光率提高:碳酸镁具有高微晶透明度,这意味着其内部晶体排列整齐,光线能够顺畅通过而不被散射。这种特性使得碳酸镁成为提高光学器件透光率的理想材料。
英国剑桥大学Samuel D. Stranks和Miguel Anaya报道了一种多模式操作显微镜工具包,用于测量和空间关联纳米级电荷输运损失、复合损失和化学成分。通过应用此工具包在长时间运行前后对最先进的合金钙钛矿电池的相同区域进行扫描,发现宏观性能最佳的设
摘要:相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一。然而,引线键合固有的寄生电感和散热问题严重限制了 SiC功率器件的