摘要：罗姆与德国大型汽车零部件制造商舍弗勒宣布，已开始量产搭载罗姆第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 裸芯片的新型逆变器子模块。该产品计划搭载于一家中国大型汽车制造商的新款电动汽车 (EV)。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自eetimes

德国汽车零部件制造商舍弗勒已开始量产搭载罗姆第四代碳化硅MOSFET裸芯片的新型逆变器子模块。

罗姆与德国大型汽车零部件制造商舍弗勒宣布，已开始量产搭载罗姆第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 裸芯片的新型逆变器子模块。该产品计划搭载于一家中国大型汽车制造商的新款电动汽车 (EV)。

自2020年起，罗姆与舍弗勒（原Vitesco Technologies，已与罗姆合并）建立“电动汽车用电力电子开发合作伙伴关系”，共同开发最适合电动汽车的SiC功率元器件及搭载SiC的逆变器。双方还于2023年6月签署了SiC功率元器件的长期供应合同。此次公告也是该合作伙伴关系的一部分。

逆变器子模块是逆变器的核心部件，它是通过逻辑信号控制电驱动装置必不可少的功率器件，并产生驱动车辆电动机的高频电流脉冲。

高压逆变器砖已开始量产

舍弗勒及其同事强调，目前已量产的逆变器模块的性能特点非常引人注目。该产品显著提高了最大允许电池电压，远高于传统的800V，并实现了高达650A的均方根电流。

该产品采用罗姆第四代SiC MOSFET裸片。“罗姆的SiC功率半导体使这款框架式子模块紧凑高效，功率密度高。其模块化和可扩展设计使其能够轻松集成到各种逆变器中。”该公司表示。

该产品集成了用于脉冲宽度调制 (PWM) 的功率模块、直流链路电容器、直流链路和冷却器。它还具有直流升压功能，因此“800V 架构的车辆可以在 400V 充电站以 800V 的充电速度进行充电”。

舍弗勒电动出行事业部首席执行官托马斯·施蒂尔 (Thomas Stierle) 表示：“我们针对电动出行解决方案的战略方针——从单个部件到高度集成的电桥——引领我们开发出易于集成的逆变器模块。基于我们开发的通用平台，我们能够在短短一年内将这款完美适配广受欢迎的 X-in-1 架构的产品投入量产。”

罗姆董事兼功率器件业务执行副总裁井野一英表示：“我们热烈欢迎舍弗勒逆变器模块开始量产，该模块搭载了我们第四代 SiC MOSFET。我们的 SiC 技术正在为提升电动汽车的效率和性能做出重大贡献。通过与舍弗勒的合作，我们将推动汽车行业的创新和可持续发展。”

罗姆于2024年6月发布了用于xEV（电动汽车）牵引逆变器的二合一成型SiC功率模块“TRCDRIVE包”。目前，罗姆正全力以赴扩大在“车载SiC主战场”这一应用领域的份额。

与此同时，罗姆正在强化SiC功率元器件的供应体制，除模块外，还提供裸芯片、分立器件等多种形式的SiC功率元器件。2025年6月，罗姆宣布其第四代SiC MOSFET裸芯片已被丰田汽车公司等面向中国市场开发的新型跨界纯电动汽车“bZ5”的牵引逆变器采用。罗姆也在加强下一代器件的开发，将在2025年建设第五代SiC MOSFET的生产线，同时还宣布将比计划提前将第六代及后续产品推向市场。

近年来，随着新能源汽车、光伏、风电等产业的快速发展以及宽禁带半导体材料等新技术的应用推广，功率半导体产业将迎来更加广阔的发展。

日本厂商在功率半导体领域一直以来具有较强的竞争力，高峰时，三菱电机、富士电机、东芝、瑞萨、罗姆等日本厂商在全球功率半导体市场占有率排名前十中占据了五个席位。据Omdia 2021年数据显示，三菱电机（第4）、富士电机（第5）、东芝（第6）、瑞萨（第9）、罗姆（第10）这五家企业合计占有全球20%以上的功率芯片市场份额。

去年5月，日本政府发布关于发展半导体的增长战略草案，旨在到2030年前将日本企业在全球功率半导体的市占由目前20%左右提高至40%。日本经济产业省（METI）也正在通过推出补贴政策来支持功率半导体产业，展现出志在必得的扩张野心。

然而，现实的发展并未如日本大厂们预期的那般顺利。尽管日本在功率半导体领域具有举足轻重的地位，但随着全球竞争加剧、技术发展与市场需求变化，日本功率半导体产业迎来市场和行业变迁所带来的挑战，优势逐渐消失，曾经野心勃勃的扩产计划也一拖再拖。

从2024年全球功率半导体市场TOP10榜单来看，日本厂商仅剩三席，且全球市占率均不足5%。

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来源：半导体产业纵横