摘要：一位曾参与星光工程的前华为工程师回忆道：“当时我们被明确告知，这是华为的‘生命线’项目，目标不是短期盈利，而是构建不被卡脖子的制造能力。”

2025年3月26日，半导体设备新锐新凯来在上海SEMICON China大会上首次公开亮相，并携31款工艺装备及量检测设备震撼登场。

在大会上，新凯来重磅发布了“名山”系列五大核心产品：

外延沉积设备EPI（峨眉山）

原子层沉积设备ALD（阿里山）

物理气相沉积设备PVD（普陀山）

刻蚀设备ETCH（武夷山）

薄膜沉积设备CVD（长白山）

这一产品矩阵不仅覆盖了先进逻辑芯片、存储及第三代半导体领域，更以差异化技术路径，切入了国产替代空白市场，引发行业高度关注。

新凯来的技术底蕴并非凭空而来，其核心团队和技术积累源自华为2012实验室的星光工程部。

2018年前后，华为在美国制裁阴影下，启动了半导体设备自主研发项目，内部代号就叫“星光”，寓意在至暗时刻寻找突破之光。

华为创始人任正非在内部讲话中曾提到：“星光工程就是要解决芯片制造设备的问题，这是华为生存的关键。”

星光工程部在华为体系内享有特殊地位，其研发预算不受常规限制，可直接向集团最高管理层汇报。

据前华为员工透露，该部门汇聚了华为在材料科学、精密机械、光学工程等领域的顶尖人才，甚至从全球引进了多位半导体设备专家。

一位曾参与星光工程的前华为工程师回忆道：“当时我们被明确告知，这是华为的‘生命线’项目，目标不是短期盈利，而是构建不被卡脖子的制造能力。”

在中美科技博弈加剧、国内半导体设备国产化需求迫切的背景下，2021年8月，华为将其剥离，由深圳市国资委通过其全资子公司深圳市重大产业投资集团（简称“重大产投”）全资控股，对星光工程部进行了“战略性重组”，成立了新凯来技术有限公司。

正是因为这个原因，新凯来保持了“华为技术 + 国资平台”的模式，既保留了华为的技术基因和管理效率，又通过国资背景获得了政策支持和资金保障，是一种颇具创新性的产业组织形式。

新凯来虽然从股权上与华为“脱钩”，但两者仍保持着非常密切的技术合作。

据供应链消息，华为旗下的海思半导体是新凯来设备的重要测试客户，双方在工艺适配和性能优化方面有着深度协作关系。

这种“形离神不离”的关系，使得新凯来既能独立运营，又能持续受益于华为在半导体领域的技术积累和市场洞察。

新凯来的技术水平

1. 外延沉积设备EPI（峨眉山）：已推出三款12英寸单片减压外延设备，专攻28nm以下先进制程的锗硅外延工艺，同时布局碳化硅（SiC）外延生长设备，瞄准新能源汽车、光伏等领域的第三代半导体需求。目前可满足5nm逻辑芯片的应变层沉积需求，并已通过国内头部SiC衬底厂商的工艺验证。

2. 原子层沉积设备ALD（阿里山）：推出了三款12英寸设备，其中阿里山1号采用五边形平台和Twin腔设计，支持5nm及更先进制程的高保形性介质薄膜沉积，台阶覆盖率>95%，薄膜厚度均匀性达±1.5%。该设备可适配3D NAND的阶梯刻蚀后介质填充、DRAM电容介质层等场景，填补了国产ALD设备在高端存储制造中的空白。

3. 物理气相沉积PVD（普陀山）：包含三款设备：1号（金属平面膜沉积）、2号（中道金属接触层及硬掩膜沉积）、3号（后道金属互连沉积）。金属镀膜精度达微米级，颗粒缺陷控制优于0.5个/晶圆；普陀山3号采用领先架构设计，填孔缺陷率较国际竞品降低30%，已进入中芯国际14nm工艺验证阶段。

4. 刻蚀设备ETCH（武夷山）：首批发布三款12英寸设备，包括：1号MASTER（CCP介质刻蚀），全对称腔室设计，支持先进节点的FinFET栅极刻蚀，深宽比>40:1；3号（硅/金属刻蚀），采用脉冲射频技术，选择比>100:1，适配DRAM电容柱刻蚀；5号（高选择性刻蚀），针对3D NAND的阶梯刻蚀，均匀性偏差

5. 薄膜沉积设备CVD（长白山）：包括两款12英寸设备，采用模块化设计，支持从28nm到5nm的氮化硅、氧化硅等多种介质薄膜沉积。目前温度精度可控制在±1℃，薄膜应力可调范围±500MPa；兼容逻辑芯片前道栅极介质层与存储芯片的层间介质沉积。

新凯来的控股股东，深圳市重大产业投资集团，是深圳市政府为布局战略性新兴产业而设立的专业投资平台。

该集团在半导体领域的布局远不止新凯来一家，还投资了多家芯片设计、制造和材料企业，正在构建完整的“本土半导体生态”。

深圳市政府相关文件显示，新凯来被定位为“半导体制造设备领域的核心企业”，将在深圳打造半导体设备产业集群中扮演关键角色。

从公开信息看，深圳国资为新凯来提供了“充足的资金保障”和“市场对接支持”。除初始注册资本外，新凯来还获得了深圳市专项产业基金的投资，用于建设研发中心和生产线。

在市场端，深圳国资协调了多家本地半导体制造企业作为新凯来的首批客户，帮助其设备快速迭代。这种“研产销”一体化的支持模式，大大缩短了国产设备从实验室到量产的距离。

值得关注的是，新凯来的成立也标志着深圳半导体产业策略的转变——从侧重芯片设计和终端应用，向上游设备和材料领域延伸。

深圳大学半导体研究院院长指出：“设备是半导体产业的‘制高点’，深圳过去在这一领域布局不足，新凯来的出现填补了这一空白，将与深圳现有的芯片设计、封装测试企业形成协同效应。”

新凯来所处的半导体设备市场，长期被应用材料（AMAT）、泛林（Lam Research）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断，特别是在先进制程领域，中国企业的市场占有率不足5%。

这一竞争格局既意味着巨大的替代空间，也预示着新凯来将面临技术、市场和供应链的多重挑战。

从技术路线看，新凯来采取了差异化突破策略。不同于上海微电子主攻光刻机、北方华创专注刻蚀设备，新凯来选择在薄膜沉积、检测等细分领域发力，这些设备虽然不如光刻机引人注目，但同样是芯片制造的关键环节，且技术门槛相对可控。

行业分析师指出：“新凯来的产品布局非常聪明，他们瞄准的不是最前沿的3nm、5nm产线，而是国内大量建设的28nm及以上成熟制程产线，这些市场对国产设备接受度更高。”

在市场拓展方面，新凯来受益于国产替代政策红利。随着美国出口管制加剧，中芯国际、长江存储等国内晶圆厂被迫加快设备本土化进程，为新凯来等国产设备商创造了难得的验证和导入机会。

据供应链消息，新凯来的部分设备已通过国内头部晶圆厂的评估，开始小批量供货。一位不愿具名的晶圆厂采购经理表示：“在相同技术指标下，我们会优先考虑国产设备，这不仅出于供应链安全考虑，也符合国家政策导向。”

来源：古尔浪洼