摘要：投资银行高盛最新评估显示，中国本土光刻设备制造能力主要集中在65纳米工艺节点，相较荷兰ASML公司的先进技术存在约20年的代际差距。这一判断揭示了全球半导体制造装备领域的不平衡格局，也凸显了技术追赶过程中的复杂性与长期性。然而，透过表面数据，中国光刻产业正在经

信息来源：https://wccftech.com/goldman-sachs-chinese-advanced-chip-manufacturing-industry-20-years-behind-western-technology/

投资银行高盛最新评估显示，中国本土光刻设备制造能力主要集中在65纳米工艺节点，相较荷兰ASML公司的先进技术存在约20年的代际差距。这一判断揭示了全球半导体制造装备领域的不平衡格局，也凸显了技术追赶过程中的复杂性与长期性。然而，透过表面数据，中国光刻产业正在经历的结构性变化值得深入观察。

当前中国光刻设备的技术水平确实与国际先进标准存在显著差距。上海微电子装备集团作为中国最主要的光刻机制造商，其成熟产品SSA600系列主要服务于90纳米制程，而备受关注的28纳米浸没式光刻机SSA800-10W的进展则充满了不确定性。

从技术参数看，ASML的最新EUV光刻机能够实现8纳米分辨率，而中国设备在65纳米水平的表现已属不易。这种差距不仅体现在单一设备性能上，更反映了整个产业生态的成熟度差异。光刻技术涉及光源系统、光学器件、精密机械、控制软件等多个高度专业化领域，每个环节都需要长期的技术积累和供应链协同。

值得注意的是，中国企业并非完全停滞。多个信源显示，上海微电子在28纳米工艺光刻机方面取得了阶段性进展，关键部件的国产化率达到90%以上。虽然这些设备能否通过严格的工业验收仍存疑问，但技术路径的可行性正在得到验证。

ASML在全球光刻设备市场占据82.1%的份额，特别是在7纳米及以下先进制程所必需的EUV技术领域，该公司处于绝对垄断地位。这种技术集中度反映了半导体制造装备的高门槛特征，也解释了为何技术追赶如此困难。

有趣的是，2024年中国大陆市场占ASML销售额的36%，成为其最大单一市场。这种商业依赖关系与技术限制政策形成了复杂的互动。一方面，出口管制切断了中国获得最先进EUV设备的渠道；另一方面，成熟制程设备的大量需求维持着双方的商业联系。

这种格局的演变具有深远意义。随着地缘政治因素对技术贸易的影响加深，全球半导体供应链正在经历结构性调整。中国被迫加快自主技术开发，而国际厂商也在重新评估对单一市场的依赖程度。

面对技术差距，中国采取了多元化的追赶策略。首先是在成熟工艺领域建立竞争优势，通过规模效应和成本控制获得市场空间。其次是在特定技术路径上寻求突破，例如探索不同于ASML主流激光技术的EUV实现方案。

更重要的是，中国正在构建相对完整的产业链配套体系。从光刻胶到光学器件，从精密机械到控制系统，本土供应商正在各个细分领域寻求突破。这种系统性布局虽然短期内难以形成整体突破，但为长期发展奠定了基础。

产业政策的支持也发挥了重要作用。通过国家重大专项投入和产业基金引导，相关企业获得了持续的研发资源。同时，下游应用市场的快速发展为设备验证和迭代优化提供了现实场景。

"20年差距"的表述虽然形象，但可能过于简化了技术发展的复杂性。历史经验表明，后发国家在特定技术领域实现跨越式发展并非不可能，关键在于找到合适的切入点和发展路径。

对中国而言，完全复制ASML的技术路线既不现实也无必要。更可行的策略是在保证基本功能的前提下，通过技术创新和工艺优化实现性能提升。例如，通过多重曝光技术延伸DUV设备的工艺能力，或者开发新的光源技术实现EUV功能。

同时，全球半导体产业正在经历新的技术变革，包括3D堆叠、新型材料和量子器件等前沿技术的兴起，可能为技术追赶提供新的机会窗口。在这些新兴领域，起跑线相对平等，后发优势有望得到更充分的发挥。

从更宏观的角度看，光刻技术的发展已不仅仅是纯粹的技术竞争，更涉及产业生态、人才培养、资本投入和国际合作等多个维度。中国要想在这一关键领域取得突破，需要的不仅是单点技术创新，更需要系统性的能力建设和长期的战略定力。

高盛的"20年差距"评估提醒我们，技术追赶是一个长期而复杂的过程。但历史同样告诉我们，在正确的战略指导下，这种差距并非不可逾越。关键在于保持现实的预期，选择合适的路径，并持续投入必要的资源。

来源：人工智能学家