摘要：特朗普政府已决定撤销三星电子、SK海力士在中国业务的“验证最终用户”授权。这一政策变动将于公告发布后120天生效，旨在进一步限制中国获取先进芯片制造技术，或将加剧全球半导体供应链的紧张局势。此前，这些公司享有VEU豁免，可无须逐笔申请许可证，直接从美国进口芯片

行业梳理

特朗普政府已决定撤销三星电子、SK海力士在中国业务的“验证最终用户”授权。这一政策变动将于公告发布后120天生效，旨在进一步限制中国获取先进芯片制造技术，或将加剧全球半导体供应链的紧张局势。此前，这些公司享有VEU豁免，可无须逐笔申请许可证，直接从美国进口芯片制造设备到其位于中国的工厂。撤销后，这些企业必须为每笔相关交易申请单独出口许可证。

三星中国半导体有限公司成立于2012年，是三星电子为推进其存储芯片业务全球布局，投巨资在西安建设的半导体制造工厂。当前，三星西安工厂是全球最大的NAND闪存生产基地之一。SK 海力士半导体（中国）有限公司成立于2005 年，位于江苏省无锡市，是存储芯片制造商韩国SK海力士最大规模海外生产基地，主要生产DRAM。英特尔半导体（大连）有限公司成立于2006年，曾是英特尔在华重要的NAND闪存生产基地。2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，以90亿美元整体收购后者NAND闪存及SSD业务，交易分两个阶段，SK海力士于2021年完成对英特尔NAND和SSD业务的首笔交割，截至2025年3月，SK海力士已完成对英特尔NAND业务及大连工厂的全面收购，工厂现由SK海力士全资子公司运营。

撤销VEU意味着三家公司在中国工厂的半导体生产（如NAND、DRAM）将面临更严格审查，可能影响供应链和产能扩张。短期内非美替代跟进难度较大，现有产能外迁亦时间不足，或将引发存储器供给紧张。

之前因为美国的限制，国内大模型的技术路径是以存代算。核心在于“以存代算”架构的应用，将AI推理所需的矢量数据从DRAM迁移至SSD闪存介质，从而在存储层面上扩展AI技术，为数据存储提供了更高的容量和性能。

华为在8月12日发布的AI SSD技术，通过DOB封装技术实现36层堆叠，显著提升了存储芯片容量，并在实际应用中取得突破性进展。其palm-SSD产品预计在2024年达到128TB，2025年更是将升级至256TB，密度较普通硬盘提升了1000倍，这就是典型的以存代算的弯道超车。

存储国产化的窗口机遇再次打开，国产存储厂商长江存储、长鑫存储将获得更明确的市场缺口和发展机遇。而中微公司、北方华创、拓荆等设备与材料的国产替代紧迫性随之上升。长江存储正深化与本土工具制造商，如专门从事蚀刻设备的中微公司、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创、沉积设备供应商拓荆科技的合作，加速替换外国设备。这可能提升本土公司在光刻胶、蚀刻机等领域的竞争力，甚至是成熟工艺的竞争力。

在电子计算机及其他众多数字系统中，存储大量数据的需求日益旺盛。存储芯片是存储海量二值信息的关键半导体器件，在电子计算机及数字系统中需求旺盛。作为能够存储海量二值信息的半导体器件，其重要性不言而喻。

相关上市公司梳理：

江波龙 北方华创

拓荆科技 中微公司

德明利 香农芯创

来源：尹狼入市