摘要：SK海力士表示：“在全球范围内率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

SK海力士宣布，已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。

SK海力士表示：“在全球范围内率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其容量相比现有产品翻倍，达到了2Tb。一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此SK海力士通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

SK海力士计划首先用在PC SSD上，然后逐步扩展到面向数据中心的eSSD和面向智能手机的UFS产品。此外，SK海力士也将基于堆叠32个NAND芯片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

早在去年11月，SK海力士就量产了当时全球最高的321层1Tb TLC NAND闪存，并于2025年上半年开始供应。到了今年5月，SK海力士又将其应用到UFS 4.1产品上，可选512GB和1TB两种容量，计划明年第一季度开始批量发货。

来源：超能网