SK海力士宣布已开始量产321层QLC NAND闪存

摘要：据悉，为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。同时，通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

自SK海力士官网获悉，8月25日，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC NAND闪存产品，并开始量产。

据悉，为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。同时，通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。

SK海力士计划首先在电脑端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”