摘要：国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“降低等离子体损伤的方法”的专利，公开号 CN 119297070 A，申请日期为2024年9月。

金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“降低等离子体损伤的方法”的专利，公开号 CN 119297070 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种降低等离子体损伤的方法，包含：在PECVD淀积工艺结束后，进行两步表面等离子处理：第一步：使用O2/He作为表面处理气体，同时引入第一功率的高频对于PECVD薄膜进行表面处理；第二步：使用O2/He作为表面处理气体，同时引入第二功率的射频对于PECVD薄膜进行表面处理；所述的第二功率低于所述的第一功率。本发明方法在淀积工艺完成之后，通过引入两步双频（低功率+更低功率）的射频结合O2/He作为表面处理气体；第一步低功率的等离子表面处理，会与将留在硅片表面多余的电子或正离子迅速复合，第二步更低功率的等离子表面处理，会与将留在硅片表面多余的电子或正离子进一步复合，从而降低等离子体损伤。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可428个。

来源：金融界