摘要：DRAM 市场将在 2025 年第一季度迎来明显价格下跌，其中 PC、服务器和 GPU VRAM 领域预计将出现大幅下滑。根据TrendForce 的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下行趋势。

DRAM 市场将在 2025 年第一季度迎来明显价格下跌，其中 PC、服务器和 GPU VRAM 领域预计将出现大幅下滑。根据TrendForce 的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下行趋势。

在 PC DRAM 市场，价格预计将下降 8-13%。这一下降主要是由于消费者需求疲软和 DDR4 内存模块供应过剩。中国制造商增加了 DDR4 产量，进一步饱和了市场并给价格带来了额外压力。虽然 DDR5 的采用率正在稳步增长，但尚未达到抵消上一代 DDR4 模块供应过剩所需的规模。因此，PC 制造商正在利用较低的价格来增加库存，尽管他们非常谨慎，以避免在需求不确定的情况下出现库存过剩。

服务器 DRAM 价格预计也将下降，但降幅小于 PC DRAM，预测降幅为 5-10%。从 DDR4 到 DDR5 和高带宽内存 (HBM) 的持续过渡继续影响着服务器 DRAM 市场。主要供应商正在将生产能力从 DDR4 重新分配到更新的技术，以满足数据中心和 AI 应用日益增长的需求。然而，DDR4 内存的供应过剩，加上企业客户的谨慎采购策略，导致价格受到抑制。虽然 DDR5 的采用率正在增长，但其目前的使用量仍不足以抵消 DDR4 的供应过剩。

在 GPU VRAM 领域，价格预计将下跌 5-10%，主要原因是需求低迷和库存水平上升。尽管部分产能已转向 HBM，尤其是用于 AI 和数据中心应用的高性能 GPU，但对传统图形 DRAM 的需求仍然疲软。游戏和专业图形市场尚未从高库存水平和消费者需求疲软的时期完全恢复，导致 GPU VRAM 价格持续下跌。

DRAM 价格的持续下跌与过去两年观察到的更广泛趋势一致。先前的报告表明，2023 年初价格将大幅下跌，仅第一季度 DRAM 成本就下降了 20%。这些下降是由供应过剩和消费者需求低迷共同推动的，导致全年价格持续下跌。

到 2024 年，尽管下滑速度有所放缓，但市场仍面临挑战。制造商库存水平高企，消费电子、游戏和数据中心等关键领域的需求依然疲软。此外，DDR5 和 HBM 等较新内存技术的缓慢采用导致老一代 DRAM 模块长期过剩，进一步导致价格不稳定。

随着 2025 年的到来，这些挑战没有立即得到解决的迹象。买家谨慎的采购策略和持续的供需失衡预计将使 DRAM 市场的价格持续受到抑制。这种情况使买家能够获得成本较低的组件，但供应商在日益激烈的竞争环境中仍面临压力。

2025 年的存储供应预测

以下是我们认为将在 2025 年上半年影响 DRAM 和 NAND 市场的关键趋势，以及将在下半年发挥关键作用的地缘政治力量：

DRAM 和 NAND 市场都仍处于供应过剩的状态，库存过剩导致 2024 年第四季度和 2025 年第一季度价格大幅下跌。这是由消费需求疲软等多种因素造成的。

内存制造商在之前需求旺盛的时期加大了产量，但市场未能达到预期。这导致库存积压，目前对价格造成压力。

因此，预计价格短期内将继续下滑。不过，高带宽内存和企业存储解决方案（尤其是针对云计算和人工智能应用的解决方案）仍将是一个较为稳定的细分市场。

据报道，鉴于目前供应过剩的问题，Kioxia 和三星等主要 NAND Flash 公司计划从 2024 年 12 月开始减少产量。这可能会对供需平衡产生重大影响，并有可能在 2025 年下半年扭转价格下行趋势。

在 DRAM 领域，两大内存制造商三星和 SK 海力士将在 2024 年底前停止 DDR3 生产，以释放产能用于高带宽内存等高利润产品。虽然还有其他内存制造商仍在供应 DDR3，但重要的是要规划向新供应商的过渡并确认其他来源。

人工智能和大数据：人工智能驱动的基础设施和大数据工作负载正在推动对高容量 NAND 解决方案的强劲需求，尤其是那些专为人工智能服务器、ASIC 和企业级 SSD 设计的解决方案。向人工智能驱动的应用程序（如机器学习、自然语言处理和深度学习模型）的转变需要大量的存储容量和性能。随着人工智能在各个行业的应用加速，这一趋势将继续推动对针对高性能优化的 NAND 闪存解决方案的需求

鉴于这种繁荣，人们寄希望于人工智能驱动的 PC 能够刺激需求。然而，由于 DRAM 芯片库存过剩阻碍了预期的复苏，PC OEM 正在减少 DDR4 和 DDR5 订单，导致 2024 年第四季度价格下跌 5%-10%，预计 2025 年价格将进一步下跌。因此，虽然人工智能将刺激 NAND 的增长，但对 DRAM 的影响尚未显现。

美国持续对关键半导体技术实施出口管制，影响中国获取尖端DRAM和存储器生产工具，从而限制其扩大高性能芯片生产的能力。

作为回报，中国正在加大力度发展自己的半导体制造能力。像 CXMT 这样的公司可能会在短期内受益，但它们能否生产出与全球领先企业（如三星、SK 海力士、美光）相媲美的 DRAM 仍不确定。

此外，对内存产品和半导体设备征收的关税将增加 DRAM 制造商的成本压力。这将继续增加市场的波动性，尤其是如果 2025 年中国的技术孤立进一步加深的话。

展望2025年，DRAM市场将继续面临显著的价格下行压力，尤其是在移动DRAM和PC DRAM领域。预计2025年下半年这种压力将加剧，价格可能进一步下跌，尽管跌幅将低于上半年。

另一方面，NAND Flash 市场有望在下半年实现价格稳定，因为减产措施已见成效，供应开始与需求重新协调。然而，减产、强劲的企业需求和全球地缘政治格局之间的平衡将决定价格走势和供应链稳定性。

虽然内存市场在 2024 年第四季度和 2025 年第一季度面临价格下跌和供应过剩的挑战，但它在 2025 年下半年也将走向更加稳定的环境。

随着全球数据存储需求不断扩大，内存供应商必须保持敏捷，高效管理生产，并应对关税、贸易紧张局势和不断变化的市场需求带来的外部压力。人们仍然寄希望于人工智能、云计算和数据中心将成为 2025 年市场复苏和增长的关键。

内存市场始终瞬息万变且日益复杂，因此拥有一个可靠的合作伙伴来帮助您驾驭市场非常重要。

来源：智慧芯片一点号