摘要：最高漏源电压 VDSS=650 VV，连续工作电流 ID=40 A（结温 Tj=100∘C），脉冲电流 80 A，满足逆变焊机高功率输出的需求。
BMH027MR07E1G3碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
一、模块核心特性与优势
1. 高性能电气参数
耐压与电流能力：
最高漏源电压 VDSS=650 VV，连续工作电流 ID=40 A（结温 Tj=100∘C），脉冲电流 80 A，满足逆变焊机高功率输出的需求。
超低导通电阻：典型值 RDS(on)=30 mΩ（VGS=18 V），显著降低导通损耗，提升整机效率。
2. 高频开关与低损耗特性
快速开关性能：
开关延迟时间 td(on)=31 ns，上升时间 tr=17 ns，支持高频PWM调制（>50 kHz），优化焊机动态响应。
超低开关损耗：
开启能量 Eon=296 μJ，关断能量 Eoff=181 μJ，较传统Si MOSFET降低30%以上，减少散热压力。
零反向恢复特性：内置SiC肖特基二极管（Qrr=0 nC），消除反向恢复电流尖峰，提升高频工况下的可靠性。
3. 卓越的散热与可靠性设计
高效热管理：
结壳热阻 Rth(j−c)=0.66 K/W，搭配低热阻陶瓷基板（Si3N4），确保高温环境下稳定运行（最高结温 Tvj=175）。
集成NTC温度传感器（R25=5 kΩ），实时监控模块温度，支持智能过温保护。
机械防护：Press-FIT压接技术 + 一体化安装卡扣，降低接触电阻，增强抗震性与长期可靠性。
二、在高端逆变焊机中的核心价值
1. 提升焊接质量与效率
高频开关能力（>50 kHz）支持更精细的电流波形控制，减少飞溅，适用于铝合金、不锈钢等高精度焊接场景。
低导通损耗与开关损耗（总损耗降低20%以上），整机效率可达95%以上，符合欧美市场对能效的严苛要求（如EU Tier 2）。
2. 增强系统可靠性
抗干扰能力：高阈值电压 VGS(th)=4.0 V，减少误触发风险，适应焊机强电磁干扰环境。
长寿命设计：
零反向恢复特性减少二极管损耗，延长模块寿命。
陶瓷基板支持10万次以上功率循环，适应频繁启停工况。
3. 紧凑化与轻量化设计
模块封装（Pcore™ E1B）集成全桥拓扑，减少外围器件数量，PCB面积节省30%。
重量仅25g，支持焊机便携化设计，符合出口设备对体积与重量的限制要求。
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。
三、实际应用案例与测试数据
1. 典型工况测试（VDD=300 V,ID=35 A）
效率对比：
参数 Si MOSFET方案 BMH027MR07E1G3方案
整机效率（满载）89% 95%
温升（Tj）120°C 98°C
2. 高频焊接波形优化
采用模块后，电流上升速率（dI/dt）提升至 200 A/μs，实现更平滑的焊缝成型。
四、出口认证与适配性
电气安全：
隔离耐压 Visol=3000 V（AC RMS），通过IEC 62135-2焊接设备安全标准。
高CTI指数（>175），满足潮湿环境下的绝缘要求。
环境适应性：
工作温度范围 −40∘C∼175∘C，通过MIL-STD-810G抗震认证，适配极端工业场景。
五、技术支持与服务
定制化支持：提供热仿真、驱动电路设计指南及EMC优化方案。
国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。
国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521P,BTP1521F，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。
对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，国产SiC碳化硅MOSFET厂商BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。
BMH027MR07E1G3凭借其高频低损、高可靠性及紧凑化设计，为出口型高端逆变焊机提供了理想的功率解决方案，助力客户突破能效与成本瓶颈，抢占国际市场先机。
BASiC Semiconductor Ltd.
来源：杨茜碳化硅半导体