摘要：当前存储行业受AI需求爆发及产能周期性调整推动，整体呈现高景气度。AI需求（含云端与端侧）成为核心增长引擎，尤其HBM、DDR5及NOR Flash等产品需求旺盛。供给端，2025-2026年海外大厂产能增幅有限，且持续向AI相关高毛利产品转产。利基型存储（如

存储行业专家线上交流

一、存储行业最新情况综述：AI需求驱动下的产能与价格波动

当前存储行业受AI需求爆发及产能周期性调整推动，整体呈现高景气度。AI需求（含云端与端侧）成为核心增长引擎，尤其HBM、DDR5及NOR Flash等产品需求旺盛。供给端，2025-2026年海外大厂产能增幅有限，且持续向AI相关高毛利产品转产。利基型存储（如NOR Flash、SLC NAND）方面，台湾厂商（如华邦）及大陆兆易创新计划扩产，但大宗品（DRAM、NAND）产能缺口更显著。价格波动方面，代理商囤货及长协锁定加剧短期波动，但中长期涨价动力源于真实需求。行业确定性较高，若2026年出现价格回调，大概率与AI需求不及预期相关。

二、存储行业供需变化与AI对需求增速的影响

AI需求引发行业结构性变革，从传统周期性主导转向“周期弱化+技术驱动”。与历史周期不同，当前需求增量来自AI全新赛道，推动产品结构向高毛利技术型产品（如HBM）倾斜。AI对存储需求的拉动呈现“一荣俱荣”特征，相关需求占比已超五成，若AI行业出问题（如泡沫破裂），存储价格可能大幅回调。目前NVIDIA、AMD及北美云厂商排产饱满，2026年AI需求崩盘风险较低。

三、DRAM与NAND Flash未来价格走势分析

NAND Flash：涨价周期启动较晚但后劲更足，美光、三星等大厂从低规格TLC转产高层QLC，导致产能减少，叠加云厂商QLC SSD替换HDD的真实需求，预计后续涨幅高于DRAM。

DRAM：DDR4因大厂减产（三星、海力士）存在持续缺口，台湾与大陆厂商产能补充有限，涨价趋势明确；DDR5受HBM挤占及大厂转产影响，涨幅可能趋缓。

整体来看，NAND Flash涨价动力强于DRAM。

四、HBM对DDR5及消费级产能的影响

HBM凭借更高毛利率挤占DRAM产能，不仅影响工业/企业级市场，还导致消费级DDR（如手机、PC用）产能紧张，价格上涨。下游厂商因成本压力转向低配置，例如部分手机厂商放弃24GB RAM，改用16GB/12GB。短期HBM对产能的挤占仍将持续，DDR5及消费级DDR价格易涨难跌。

五、DRAM细分品类（DDR4/DDR5）未来走势

DDR4：2026年底前产能（）缺口持续，三星、海力士明确减产，台湾（华邦）及大陆厂商（兆易创新）扩产有限，无法填补缺口，涨价趋势贯穿全年。

DDR5：大厂可能将低阶SDRAM产能转产DDR5，导致价格趋稳，涨幅弱于DDR4。

六、NOR Flash在AI服务器中的增量体现

AI服务器中NOR Flash价值量显著提升：GB200 NVL72机柜中NOR价值量超600美金（涨价前），Rubin架构机柜达900美金，主要应用于BMC（2Gb）、Grace CPU（2Gb/颗）、InfiniBand网卡（512Mb）及NVSwitch控制器（1Gb）等，容量随架构升级翻倍（如GPU从32Mb升至512Mb）。

七、NOR Flash市场份额及竞争格局

华邦占据AI服务器NOR Flash市场超80%份额，万宏约15%，大陆厂商仅占5%且可能进一步下滑——因大容量产品（512Mb-2Gb）在NVIDIA高温测试中表现不佳，高端市场准入受阻。

八、海外云厂商自研ASIC对NOR Flash需求的影响

亚马逊、谷歌、微软等自研ASIC聚焦特定应用领域，需求较传统架构翻倍，推动NOR Flash容量升级（如控制器从256Mb升至1Gb），价值量同步增长。

九、国产厂商在NOR Flash领域的机会分析

仅兆易创新具备竞争潜力，中小厂商因体量小、赔付能力不足（若出现质量问题）难以进入高端市场。行业呈现“头部三家垄断”格局（华邦、万宏、兆易创新）。

十、NAND Flash涨价原因分析：供需错配为主，囤货为辅

真实需求：云厂商QLC SSD替换HDD（冷数据存储）驱动需求，HDD产能不足加剧缺口。

囤货因素：经销商存在囤货行为，但难以支撑长期涨价，核心动力仍为供需错配。

十一、2026年存储行业涨价幅度预测

DRAM与NAND Flash全年涨幅预计达40%-50%：DRAM因DDR4缺口及HBM挤占产能，NAND因转产QLC导致供给收缩，叠加AI需求支撑，涨价确定性高。

十二、3D NAND市场需求及厂商合作情况

大陆3D NAND推广以本土大厂为主，台湾厂商因海外警告退出合作，2025年大陆市场规模约10亿人民币，端侧推广停滞。终端客户更关注产能保障，仅具备长鑫等IDM产能支撑的厂商有望主导市场。

十三、存储厂商（fabless）产能竞争与价格影响

利基型存储（NOR、SLC NAND）fabless厂商（如兆易创新）可通过台系（力积电）及中芯国际扩产，但需接受代工价格上涨。产能整体有保障，核心矛盾为成本上升而非供给短缺。

十四、存储厂商毛利上升与行业上行通道判断

存储厂商毛利率因产品涨价显著提升（如华邦、兆易创新Q3毛利率快速增长），行业自2024Q2进入上行通道，趋势有望延续至2026年。

十五、华邦存储扩产计划及技术升级

华邦资本开支近400亿新台币，重点投向高雄新厂16nm利基型DRAM（从20nm升级），预计2025年产能24-25K片（2/3为16nm）；NOR Flash扩产0.2-0.5万片，SLC NAND扩产0.2-0.4万片，技术升级节奏谨慎（16nm量产多次推迟）。

十六、下游市场（端侧AI、车规、工业）存储需求分析

端侧AI：AI PC、AI眼镜、AI耳机等需求快速增长，带动NOR Flash容量翻倍（如AI PC BIOS从256Mb升至1Gb）。

车规/工业：L3自动驾驶落地推动车规NOR、SLC NAND需求，2024Q2以来连续三季度需求增速超10%，SLC价格两季度涨幅超20%。

十七、铠侠与美光退出消费类SLC市场的影响

铠侠、美光合计占据全球SLC市场超60%份额，此次退出低毛利消费类SLC（占其SLC营收5%），聚焦车规/工业等高毛利领域。台湾（华邦）及大陆厂商有望填补缺口，2025年SLC涨价趋势稳定。

十八、存储涨价对下游消费电子厂商的影响

存储成本占消费电子（如手机）总成本比例超30%，已超过主芯片，中小厂商因成本压力退出市场，大厂被迫降配（如Flash从256GB退回64GB/128GB，DRAM从24GB降至16GB/12GB）。

十九、存储行业未来趋势总结（技术与产能方向）

技术方向：AI驱动下，HBM、DDR5、3D NAND、QLC成为主流，利基型DRAM（如DDR4）因缺口持续具备高确定性。

产能方向：海外大厂向高毛利AI产品转产，利基型存储（NOR、SLC）由台湾（华邦）及大陆（兆易创新）主导扩产。

风险提示：利基型产品若需求不及预期，相关厂商业绩可能承压。

二十、开放提问：存储短缺预测、3D NOR进展及AI端侧对NOR容量的影响

存储短缺预测：NAND Flash缺口可能大于DRAM，因大厂资本开支更倾向DRAM，NAND转产QLC导致供给收缩，需求端QLC替换HDD持续放量。

3D NOR进展：仅台湾万（）宏推进3D NOR研发，聚焦车规/工业大容量市场，消费类因成本高暂不适用，短期内无量产计划。

AI端侧对NOR容量的影响：端侧AI设备（如AI耳机、玩具）NOR容量翻倍，例如AirPods Pro 3耳机NOR从128Mb升至256Mb，充电盒新增128Mb。

Q&A

Q1: 此轮存储行业供需变化与前几轮有何不同？AI增速是否可计入存储整体需求增速？

A1: 此轮供需变化的核心差异在于结构性变革，AI作为全新赛道带来增量需求，改变了行业生态。过去存储行业以周期性波动为主，产品升级驱动需求；当前AI推动产品结构向高毛利技术型产品（如HBM）转型，行业周期依然存在但强度减弱，技术壁垒成为竞争关键。AI增速对存储需求有显著拉动作用，其相关需求已成为存储行业增长的重要组成部分，呈现“一荣俱荣”的特征，若AI需求出问题，存储行业可能面临较大调整。

Q2: DRAM与NAND Flash两大品类未来价格走势如何？

A2: 当前NAND Flash涨价周期启动时间晚于DRAM，但涨幅显著，部分模组厂涨幅达50%，长协价涨幅约30%-40%。三星、海力士等厂商通过转产高层级QLC减少低规格产能，进一步加剧供应紧张，叠加AI服务器、云端数据存储等需求驱动，NAND Flash后续涨价动力较强，尤其AI相关产品后劲更足。DRAM方面，DDR5及HBM需求旺盛，与AI相关的产品（如NVIDIA DDR5）前景光明，但通用型产品涨价动力与NAND Flash相近；长期看，NAND Flash在AI需求支撑下的涨价持续性或优于DRAM。

Q3: DRAM的涨幅是否会低于NAND Flash？

A3: 是的，DRAM涨幅大概率低于NAND Flash。通用型DRAM与NAND Flash产品的涨价动力相近，但在AI相关领域，NAND Flash的需求后劲更足。一方面，NAND Flash涨价周期启动较晚，当前涨幅已显现且行业转产QLC导致产能短期受损；另一方面，AI服务器、云端数据存储等场景对NAND Flash的容量需求持续增长，而DRAM中DDR5等产品虽需求旺盛，但部分厂商可能因高价格回调转产，或对涨幅形成压制。

Q4: 若LPDDR5产能可转换为HBM，DRAM涨幅是否应高于NAND？当前DRAM价格是否已达较高水位？

A4: 尽管LPDDR5产能存在向HBM转换的趋势，但HBM产品毛利率显著高于DDR5及DDR5X，厂商更倾向于将资源倾斜至HBM产能，导致HBM不仅挤占工业级、企业级DRAM产能，还进一步挤压消费级产能，引发消费级低端DRAM价格上涨（如手机、PC厂商因成本压力放弃24GB RAM配置）。短期来看，HBM仍是厂商优先级最高的产品，DRAM整体价格已处于较高水位，且供需紧张格局短期内难以缓解。

Q5: DRAM细分品类中，DDR4与DDR5未来价格走势如何？

A5: DDR4未来涨价趋势明确且持续。当前DDR4缺口超过10万片，三星、海力士等大厂持续减产，而台湾及大陆厂商产能有限（年底仅新增7万片），无法填补缺口，预计2026年底前缺口仍将存在，涨价过程或有短期波动但大方向不变。DDR5价格已处于高位，由于其毛利率较高，三星等大厂可能将部分低阶SDRAM产能转回DDR5，或使DDR5价格趋于平稳，涨幅不及DDR4。

Q6: NOR Flash在NVL72机柜中的价值量超过600美金且为纯增量，其增量体现在哪些方面？

A6: NOR Flash在NVL72机柜中的价值量增量主要来自多部件容量升级，具体包括：计算托盘（18个）中BMC控制器（2Gb/个）、Grace CPU（2Gb/颗，每托盘2颗）、GPU（32Mb/个，每托盘4个）；网卡（每托盘4个InfiniBand网卡，512Mb/个）；NVSwitch托盘（9个）中NVSwitch控制器（1Gb/个）；以及DPU（1Gb/个）。上述部件的NOR Flash容量显著提升，叠加AI服务器需求旺盛，共同推动价值量增长。

Q7: GP300在存储领域有哪些升级？

A7: GP300在存储领域的升级主要体现在NOR Flash价值量提升，单台机柜NOR Flash价值量接近800美金，主要来自两方面：一是NVSwitch控制器容量从现有版本升级至256Mb，二是网卡计算芯片中NOR Flash容量翻倍。GPU部分的NOR Flash未进行升级，整体升级幅度低于Rubin架构。

Q8: 海外云厂商自研ASIC的情况如何？其对存储需求有何影响？

A8: 亚马逊、谷歌、微软等海外云厂商自研的ASIC芯片更专注于特定应用领域，其性能较传统云端芯片有显著提升。新一代ASIC芯片对NOR Flash的容量需求翻倍，代码存储容量及冗余设计要求增加，导致单颗ASIC的NOR Flash价值量较上一代产品翻倍。尽管海外云厂商对NOR Flash冗余要求较低，但其对容量的刚性需求仍将持续拉动存储行业增长。

Q9: 除华邦外，国产存储厂商在海外云厂商供应链中是否有机会？

A9: 国产存储厂商中仅兆易创新在海外云厂商供应链中存在一定机会，其他中小厂商因体量较小、产品稳定性不足（如大容量512Mb-2Gb产品高温测试未通过），难以进入核心供应链。当前大陆龙头NOR Flash厂商在海外云厂商中的份额约5%，且可能进一步下降，仅部分中小AI服务器厂商或采用其产品。

Q10: NAND Flash此轮涨价主要由经销商囤货还是供需错配导致？

A10: NAND Flash涨价主要由供需错配驱动，经销商囤货仅为次要因素。需求端，AI大模型推理需求增长、云端数据存储需求激增（HDD供应不足）、QLC SSD替换HDD趋势明确，推动真实需求快速上升；供应端，三星、海力士等厂商转产QLC导致低规格产能减少，且扩产谨慎。尽管存在经销商囤货行为，但仅凭囤货无法支撑长期涨价趋势，供需错配仍是核心原因。

Q11: QLC SSD替换HDD的量大概有多少？能否用美金或晶圆片数说明？

A11: 目前无法提供QLC SSD替换HDD的具体量化数据（如美金或晶圆片数）。QLC SSD替换HDD是行业明确趋势，尤其在云端冷数据存储领域，因HDD供应长期紧张（希捷、西数产能不足），云厂商加速转向QLC SSD。但具体替换规模需结合大厂扩产计划、终端需求落地节奏等因素，目前行业尚未披露详细数据。

Q12: 预计2026年DRAM与NAND Flash较2025年的涨价幅度是多少？是否有量化指标？

A12: 若AI需求保持稳定，2026年DRAM与NAND Flash整体涨价幅度预计在40%以上。DRAM产能增幅约10%，NAND Flash产能增幅不足10%，且厂商转产QLC导致部分产能损失（约1-2个季度）。供需缺口下，AI相关高毛利产品（如HBM、企业级SSD）涨价弹性更大，通用型产品也将跟随上涨。

Q13: 3D NAND市场需求及大客户合作送样情况如何？

A13: 3D NAND市场需求中，类似HBM的3D堆叠产品（如Cube）在大陆推广存在挑战。台湾厂商因海外非（）官方警告，已主动放弃与大陆云端客户的合作，大陆仅一家头部厂商在推进3D Cube产品，目前有近50个专案在各领域推广，但2024年难有业绩贡献，2025年预计营收约10亿人民币。该厂商凭借产能保障（长鑫代工），有望在大陆市场占据主导地位。

Q14: 存储厂商（尤其fabless厂商）是否存在抢产能现象？

A14: 利基型存储领域的fabless厂商产能供应相对稳定，虽存在涨价压力，但通过与代工厂（如中芯国际、华虹、台湾力积电）协商价格，仍可获得产能保障。兆易创新等头部fabless厂商已开始规划2025年NOR Flash及SLC NAND扩产，台系代工厂也有扩产趋势，整体产能紧张程度低于大宗存储品类，主要问题在于成本上升而非产能短缺。

Q15: 存储厂商及中芯国际毛利上升是否意味着芯片行业已进入上行通道？

A15: 存储行业已明确进入上行通道，台湾厂商（如华邦、南亚科）自2024年Q3起实现盈利，主要受益于DRAM涨价；大陆兆易创新的毛利率也因NOR Flash及SLC NAND涨价显著提升。中芯国际因以逻辑芯片代工为主，存储代工业务占比较低，其毛利上升与存储行业上行的直接关联较弱，但整体芯片行业需求回暖对其业绩有一定支撑。

Q16: 华邦2026-2027年扩产计划涉及哪些产品？

A16: 华邦2026-2027年扩产计划总资本开支近400亿新台币，重点投向利基型DRAM：高雄新厂将2/3资本开支用于16纳米制程升级，计划2025年产能达24-25K片/月，其中2/3为16纳米产品（原计划2024年Q3量产，已推迟至2025年Q1）；NOR Flash扩产0.2-0.5万片/月（由台中老厂DRAM产能转换）；SLC NAND扩产0.2-0.4万片/月。万宏、兆易创新预计将跟随扩产。

Q17: 除服务器外，车用、PC、消费类手机等下游市场的存储需求是否有明显起量？

A17: 下游市场中，端侧AI（AI PC、AI眼镜、AI耳机、AI玩具）需求增长较快，带动NOR Flash及SLC NAND需求；车规及工业领域自2024年Q2起需求放量，L3自动驾驶落地推动车规NOR Flash及SLC NAND需求连续三季度增长超10%；消费类市场（手机、PC、TV）需求平淡，手机厂商因存储成本上升被迫降低配置（如放弃24GB RAM，退回16GB/12GB）。

Q18: 未来两年哪种存储产品更可能出现短缺？

A18: 未来两年NAND Flash可能比DRAM更短缺。DRAM行业资本开支较高，产能增幅约10%，且厂商可通过转产缓解部分缺口；NAND Flash产能增幅不足10%，三星、海力士等厂商转产QLC导致低规格产能损失（约1-2个季度），叠加AI服务器、云端数据存储对QLC SSD的需求激增，供需缺口或进一步扩大。

Q19: 华邦在3D NOR Flash领域是否有产品进展？

A19: 华邦未布局3D NOR Flash产品，3D NOR Flash由台湾万宏主导研发，主要面向车规及工业领域，强调兼具NOR Flash稳定性与SLC容量。万宏3D NOR Flash短期内无产品发布计划，当前重点推进车规及工业级大容量产品验证，消费类市场因成本较高暂不考虑。

Q20: AI端侧落地是否会进一步提升NOR Flash的容量需求？

A20: AI端侧落地将显著提升NOR Flash的容量需求，主要体现在：AI PC BIOS容量从256Mb升级（）至1Gb；AI眼镜、AI耳机的NOR Flash容量翻倍（如AirPods Pro 3耳机NOR Flash从128Mb增至256Mb）；AI玩具的NOR Flash容量从64Mb提升至256Mb。端侧AI设备对代码存储容量的刚性需求，将推动NOR Flash容量持续增长。

来源：新浪财经