光刻胶树脂，未来几年年复合增长率CAGR为6.5%

摘要：半导体光刻胶树脂是半导体制造核心环节——光刻工艺中的关键材料，其本质是一种对特定波长光敏感的高分子聚合物。这类树脂通过在晶圆表面形成一层均匀薄膜，在曝光、显影后准确地将光掩膜版上的精细图形转移到芯片上。其性能直接决定了光刻分辨率、线条粗糙度和缺陷密度，是实现摩

光刻胶树脂全球市场总体规模

半导体光刻胶树脂是半导体制造核心环节——光刻工艺中的关键材料，其本质是一种对特定波长光敏感的高分子聚合物。这类树脂通过在晶圆表面形成一层均匀薄膜，在曝光、显影后准确地将光掩膜版上的精细图形转移到芯片上。其性能直接决定了光刻分辨率、线条粗糙度和缺陷密度，是实现摩尔定律，推动芯片微缩化和性能提升的决定性因素之一。

行业发展趋势主要体现在以下几个方面：首先是新一代树脂体系的研发，以适应更短的波长和更严苛的制程要求；其次是光刻胶树脂与光刻设备、工艺的协同优化，以提升良率和生产效率；最后，全球半导体产业地缘政治因素的影响，促使供应链多元化和区域化，为本土光刻胶树脂厂商提供了新的发展机遇。

半导体光刻胶树脂的上游产业链主要包括各类精细化学品和基础材料供应商。最核心的原材料是单体（Monomers），例如用于合成 ArF 光刻胶树脂的丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类单体，以及用于 EUV 光刻胶的含锡或含金属单体。这些单体需要具备极高的纯度，任何微量杂质都可能导致光刻缺陷。此外，上游还涉及光致产酸剂（Photoacid Generator, PAG）、光敏剂（Sensitizer）、淬灭剂（Quencher）以及溶剂（Solvent）等关键添加剂的供应。这些化学品供应商对产品质量和纯度的控制能力是光刻胶树脂性能的根本保障，因此上游供应链通常由少数具备领先技术和严格质量控制体系的国际化工巨头主导。

半导体光刻胶树脂的下游产业链主要是芯片制造厂商（IDM）和晶圆代工厂（Foundries）。这些企业是光刻胶树脂的最终用户，它们根据自身不同的制程节点（如成熟制程、先进制程）和应用领域（如存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片等）对光刻胶树脂的性能提出具体要求。下游厂商的技术迭代和产能扩张直接驱动着光刻胶树脂的市场需求增长。同时，下游客户对光刻胶树脂的认证和验证周期长，且一旦进入供应链体系，客户粘性高，这使得新进入者面临较高的市场壁垒。随着全球半导体制造中心的转移和区域化布局，半导体光刻胶树脂的下游客户群体也在发生结构性变化。

据QYResearch调研团队最新报告“全球光刻胶树脂市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球光刻胶树脂市场规模将达到10.2亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为6.5%。

图00001. 光刻胶树脂，全球市场总体规模

根据所使用的曝光光源波长，光刻胶树脂可分为 g-line、i-line、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及最新的 EUV（13.5nm）等类型，其中 ArF 树脂又细分为干法和浸没式。目前，ArF 浸没式光刻胶树脂仍是主流先进制程的核心，而 EUV 光刻胶树脂则代表着未来，尽管其在良率、灵敏度和缺陷控制方面仍面临诸多挑战，但随着 3nm、2nm 甚至更先进制程的量产，EUV 光刻胶树脂将成为不可或缺的材料。

图00002. 全球光刻胶树脂份额（按应用，2024）