摘要：六氟化钨（WF₆）作为电子工业中关键的金属钨化学气象积淀工艺材料，在芯片制造中用于沉积钨金属形成导电连接层，是逻辑芯片、DRAM和3D NAND制造的核心原料。以下是当前市场上与六氟化钨相关的核心概念股梳理：（仅供参考）

六氟化钨（WF₆）作为电子工业中关键的金属钨化学气象积淀工艺材料，在芯片制造中用于沉积钨金属形成导电连接层，是逻辑芯片、DRAM和3D NAND制造的核心原料。以下是当前市场上与六氟化钨相关的核心概念股梳理：（仅供参考）

一、全球产能龙头：中船特气

核心地位：国内六氟化钨绝对龙头，市占率超60%，是长江存储、中芯国际、台积电、海力士、美光等全球存储芯片巨头的核心供应商，第一大客户长江存储占比达14%。

业绩表现：2025年前三季度营收16.07亿元（YoY+15%），归母净利润2.45亿元（YoY+4%），Q3单季度受原材料钨粉价格翻倍影响（Q3均价49.34万元/吨，同比增62%），净利润0.68亿元（QoQ-26%），毛利率27.98%（QoQ-3.89pct）。

行业影响：受益于存储芯片扩产（HBM、NAND多层化对WF₆用量几何级增长）及海外产能受限（日本关东电化工厂爆炸、三井化学退出），产品价格有望上涨70%-90%，公司作为龙头将充分受益。

翔鹭钨业

上游原料：国内重要的钨粉生产企业，钨粉年产能超2000吨，是六氟化钨核心原材料供应商。

业绩弹性：受益于钨粉价格翻倍（截至10月24日达62.25万元/吨，Q3均价同比增62%），公司2025年前三季度净利润1.22亿元（YoY+87.1%），Q3单季度净利润0.52亿元（YoY+298.6%）。

章源钨业

资源优势：拥有6座钨矿，钨资源储量丰富，钨粉年产能约1000吨，是国内钨产业链一体化企业。

价格传导：钨粉价格上涨直接提升公司业绩，2025年前三季度净利润1.47亿元（YoY+35.4%），Q3单季度净利润0.56亿元（YoY+70.3%）

雅克科技

产能与市场地位：通过收购韩国UP Chemical切入半导体前驱体领域，2024年六氟化钨总产能达5000吨/年，占全国总产能近40%，居国内首位。产品覆盖1b纳米DRAM、200层以上3D NAND及3nm逻辑芯片，台积电为其第二大客户。

技术突破：自主研发的电子级六氟化钨纯度达6N级，填补国内空白，2024年相关业务收入同比增长120%，成为业绩增长核心引擎。

供应链安全：从钨矿冶炼到前驱体生产实现全流程自主可控，有效规避海外供应链风险，深度受益于中国对钨实施出口许可制政策。

南大光电

产能与客户认证：六氟化钨产能600吨/年，产品纯度达6N级，2024年销售收入2.3亿元，同比增长21.5%，客户包括中芯国际、长江存储等。旗下飞源气体计划2025年底将六氟化钨产能扩建至1000吨/年，目标抢占国内高端市场15%份额。

技术协同：同时布局ArF光刻胶（覆盖28nm制程），形成“六氟化钨+光刻胶”双轮驱动格局，2024年光刻胶业务收入突破千万元，进入业绩爆发期 。

政策支持：承担国家“02专项”，获中央财政超8亿元专项扶持资金，研发投入强度达35%，技术壁垒显著 。

昊华科技

产能释放：宜昌产业园六氟化钨项目于2025年上半年试生产，规划产能600吨/年，同步开展半导体验证，预计2026年贡献营收超5亿元。

技术储备：依托中国化工集团资源，在氟化工领域积累深厚，六氟化钨生产工艺采用国内领先的氟化氢法，纯度达5N级，适配成熟制程需求。

市场潜力：受益于国内晶圆厂扩产，2025年预计国内六氟化钨需求达4500吨，公司产能释放后有望占据10%以上市场份额。

凯美特气

产能与认证：六氟化钨产能800吨/年，2024年相关业务收入9.7亿元，同比增长28.4%，客户覆盖中芯国际、长江存储等。其岳阳基地二期项目新增六氟化钨产能3000吨/年，预计2026年投产。

技术升级：纯度达5N级的六氟化钨已通过长江存储232层3D NAND验证，良率与进口产品持平，2025年订单同比增长150%。

成本优势：依托石油化工尾气回收技术，氟气成本较同行低15%-20%，毛利率达38%，显著高于行业平均水平。

中巨芯（未上市）

产能与技术：旗下浙江博瑞中硝科技六氟化钨产能600吨/年，纯度达5N级，2024年通过华虹宏力认证并实现小批量供货。计划2025年启动二期扩建，目标产能增至1000吨/年。

政策支持：获国家大基金一期投资1.2亿元，重点攻关6N级产品，研发投入占比超20%，技术代差逐步缩小至国际领先水平。

市场前景：国内半导体材料国产替代率目标2026年达70%，公司作为巨化股份旗下子公司，有望通过IPO进一步扩大产能。

行业逻辑与风险提示

1. 驱动因素：

政策红利：中国对钨实施出口许可制，叠加国家大基金三期超3000亿元资金支持，国产替代加速。

需求爆发：3D NAND堆叠层数突破200层、AI芯片算力需求激增，预计2025年全球六氟化钨需求达8901吨，国内需求4500吨，年复合增速超40%。

技术突破：头部企业纯度从5N提升至6N，部分指标达国际领先，逐步替代日本关东电化、德国林德等进口产品。

2. 风险因素：

技术迭代：英伟达H200芯片采用3nm工艺，若国内企业无法在2026年前突破7nm制程用六氟化钨技术，可能错失高端市场。

产能过剩：2025年国内规划产能超1.2万吨，若全球半导体需求不及预期，可能引发价格战。

地缘政治：若美国进一步限制中芯国际等企业使用国产材料，可能影响订单交付。

投资建议

短期：关注产能释放明确、客户认证领先的中船特气、雅克科技，受益于日韩供应商涨价（70%-90%）带来的订单转移 。

中期：布局技术协同优势显著的南大光电、昊华科技，享受国产替代与产能扩张双重红利。

长期：跟踪中巨芯（未上市）IPO进展，其6N级产品研发成功后有望成为行业新龙头。

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来源：冀东王