摘要：在当下的存储芯片超级周期中，HBM、DRAM、NAND 这些半导体术语，如今成了投资者的 “必看词”：全球存储巨头产能被 AI 订单占满，国产厂商正在爬坡，涨价潮已至。
在当下的存储芯片超级周期中，HBM、DRAM、NAND 这些半导体术语，如今成了投资者的 “必看词”：全球存储巨头产能被 AI 订单占满，国产厂商正在爬坡，涨价潮已至。
今天一起拆透存储芯片的投资密码：涨价为什么来？国产双雄进展如何？A 股哪些公司能分到蛋糕？
存储芯片的本质，是 “数据的仓库”—— 而 AI 的爆发，把 “数据产生、传输、存储” 的需求拉到了历史峰值。
HBM（高带宽内存）是 AI 训练的 “超高速内存”，带宽达每秒 1TB 以上。一台 GPT-3 训练服务器需 8-16 颗 HBM，更大模型需求翻倍。
全球仅三星、SK 海力士、美光能做 HBM，产能早被英伟达、谷歌订满 ——HBM 今年涨幅超 30%。
DRAM 是服务器的 “主存”，负责临时存储数据。AI 推理需要大量服务器同时运算，DDR5 的需求正在爆发：2025 年 DDR5 将占服务器内存 70% 以上（2023 年 30%）。
NAND 是闪存，用来长期存储数据（如企业级 SSD、数据中心硬盘）。AI 训练需要 “喂” 海量数据（比如 GPT-3 用了 45TB 文本），这些数据都要存在 NAND 里 ——企业级 SSD 需求今年增长 25%，长江存储的 200 层 NAND 已供不应求。
存储芯片是半导体 “皇冠明珠”，全球市场被三星、SK 海力士等占 90%，但国产厂商已经闯出来两条路：
长鑫存储是国内 DRAM “独苗”：
已量产19nm DDR4/LPDDR4，良率超 90%，成本比国际厂低 15%-20%，产品供荣耀、小米；下一代17nm DDR5明年初流片；HBM 研发国内最领先（虽比国际巨头慢 3 年，但已是国内最接近量产的）。长江存储专注 3D NAND（堆叠式闪存），是全球唯二能做 200 层以上堆叠的厂商（另一个是三星）：
128 层 NAND良率超 90%，国内市场份额超 30%；232 层 NAND今年下半年送样、明年量产，存储密度高 30%、读写速度快 50%；自研Xtacking 架构全球领先，能让芯片更紧凑、成本更低。存储芯片产业链长，但 A 股有 4 个方向最值得盯：
HBM 的核心难点不是设计，是封装（把多颗芯片堆叠成一颗）。通富微电是国内唯一能做 HBM 封装的公司：
第二代 HBM 工程良率 70%，与长鑫存储合作开发 “HBM+DRAM” 集成方案；10 月前小批量交付，直接受益 HBM 涨价潮。DDR5 需要 “内存控制器”“缓存芯片” 等配套组件，澜起科技是全球三巨头（另两个是瑞萨、美满），市占率超 40%：
DDR5 已供联想、戴尔；明年量产CXL 芯片（AI 服务器的 “数据桥梁”），或切入英伟达供应链。企业级 SSD 是 NAND 的下游，佰维存储是国内首家 “长江颗粒 + 自研主控” 的厂商：
已拿华为升腾服务器 SSD 订单，四季度贡献收入；明年导入长江 232 层 NAND，市占率有望从 5% 涨至 15%。信创是政策红利，深科技旗下的沛顿科技是国内最早通过 JDEC（内存行业标准）认证的模组厂：
信创内存模组收入占比超 50%；与长鑫存储合作，提供 DDR4/DDR5 模组，受益信创服务器放量。来源：T的纪实频道
