摘要：在很多人的印象中“湿法刻蚀”往往意味着各向同性，因为常见的刻蚀液对材料的蚀刻往往不区分晶向，往所有方向均匀腐蚀。但是湿法蚀刻中也能做到非常强的各向异性，那就是硅的湿法刻蚀。

硅的各向异性湿法刻蚀

在很多人的印象中“湿法刻蚀”往往意味着各向同性，因为常见的刻蚀液对材料的蚀刻往往不区分晶向，往所有方向均匀腐蚀。但是湿法蚀刻中也能做到非常强的各向异性，那就是硅的湿法刻蚀。

什么是硅的湿法刻蚀？

湿法刻蚀是利用化学溶液与硅发生反应，将硅表面部分材料选择性移除的工艺方法。

它通常分为：

各向同性蚀刻：在各个晶向上蚀刻速率基本一致。

各向异性蚀刻：不同晶向上蚀刻速率差异显著，可形成具有特定几何形貌的结构。

硅各向异性刻蚀后的形貌？

特点：四面体形状/金字塔形结构

（111）晶面作为自然停止面，形成倾角约 54.7°

掩膜图形为正方形 → 蚀刻出四面倾斜角的凹坑

硅的刻蚀液

不同晶向的刻蚀速度

KOH 对不同晶向的蚀刻比：

（110）晶面蚀刻速度比 （111 ）快约 600 倍

TMAH 与 EDP 的晶面选择性：

氨基没食子酸：

对（100）晶面蚀刻较快，但蚀刻 （111） 晶面慢50~100倍。

为什么晶向刻蚀更快？

面的原子更“松动”，活性强，更容易被蚀刻剂攻击；
面结构更密、键更牢固，活性弱，因此更难蚀刻。

来源：小岳看科技