摘要：涂布一层抗反射涂层（ARC），涂布光刻胶（PR）在ARC层上，在热板上预烘（Soft Bake），蒸发溶剂。进行紫外光曝光，曝光后进行PEB，稳定曝光后的结构。显影剂（如TMAH）洗掉曝光区域光刻胶，显现沟槽图形随后硬烘，提升PR热稳定性。

KOH湿法刻蚀硅的工艺流程

如上图，是KOH（氢氧化钾）刻蚀单晶硅的工艺流程图，

1. Wafer Clean（硅片清洗）

使用P型 取向硅晶圆

清洗去除颗粒、有机物、金属离子等杂质

可使用RCA清洗或简易化学清洗（SC1/SC2）

2. Pad Oxide and Nitride Deposition（缓冲氧化层+氮化硅沉积）

在硅片表面先热氧化生成薄层SiO₂

然后沉积Si₃N₄层作为刻蚀掩膜（耐KOH蚀刻）

作用：Si₃N₄对KOH具有极强耐蚀性，可保护非刻蚀区域

3，光刻

涂布一层抗反射涂层（ARC），涂布光刻胶（PR）在ARC层上，在热板上预烘（Soft Bake），蒸发溶剂。进行紫外光曝光，曝光后进行PEB，稳定曝光后的结构。显影剂（如TMAH）洗掉曝光区域光刻胶，显现沟槽图形随后硬烘，提升PR热稳定性。

4，掩模的刻蚀

使用RIE（反应离子刻蚀）刻蚀Si₃N₄与SiO2

去除PR层和抗反射层，留下Si₃N₄图形

5， KOH湿法蚀刻硅（主步骤）

将晶圆浸入加热的KOH溶液中（浓度20~40%，温度60~90℃）

利用KOH对 晶面蚀刻快、对 晶面蚀刻慢的各向异性

蚀刻深度靠时间控制，或终止在（111）停止面

6. Strip Si₃N₄掩膜（蚀刻后去除）

使用热磷酸或干法刻蚀去除Si₃N₄掩膜

清洗残留、干燥，硅的湿法刻蚀工序结束。

来源：小轩科技每日一讲