摘要：全球DRAM市场将在未来几年继续保持高度紧张的状态，预计到2026年，供需失衡问题将进一步加剧。这一警告意味着，随着全球对高性能计算、AI、5G等技术需求的持续增长，DRAM芯片的供应仍无法跟上市场的需求增长速度。

全球DRAM市场将在未来几年继续保持高度紧张的状态，预计到2026年，供需失衡问题将进一步加剧。这一警告意味着，随着全球对高性能计算、AI、5G等技术需求的持续增长，DRAM芯片的供应仍无法跟上市场的需求增长速度。

美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，2026年DRAM供应局面将比现在更为严峻。

HBM对晶圆的消耗约是传统DRAM产品的三倍，三大原厂大量产能投入到HBM上，使通用DRAM产能受限。

建设新的DRAM晶圆厂所需要的时间和金钱成本上升，短时间内难以大规模扩产。

这两方面因素共同导致2026年供应紧张局面加剧。

美光计划在2026年将小批量出货HBM4，有望在HBM领域实现高于2025年的市场占有，向HBM市占齐平整体DRAM的目标再进一步。

美光观察到从智能手机到汽车等整体产业平均DRAM搭载数量在提升，尤其车载产品方面，美光将与客户合作重新审视更高的定价水平。至于DDR4，为满足客户需求，美光决定稍微延长生产时间。

存储芯片短缺已引发全供应链的连锁反应。OpenAI的Stargate数据中心项目与三星及SK海力士签署的供应协议，该协议涉及每月900,000片DRAM晶圆的供应量，相当于全球月产能的40%。

这种失衡迫使三星和SK海力士调整整体DRAM生产组合，牺牲主流内存产以满足高价值HBM订单，直接导致消费级和企业级DRAM供应紧缩，价格持续攀升。

高容量“近线”硬盘的交货期已超过52周，超过一整年。训练大型AI模型需要摄取PB级资料，这些“温资料”通常存储在数据中心的近线硬盘中，但现在需求高到交货期延长超过一年。

存储芯片的“超级周期”不是昙花一现。摩根士丹利预测，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。进一步确认，2026年内存市场将因AI服务器需求强劲与供应商利润导向，迎来结构性涨价。

AI数据中心的存储需求已突破传统周期规律，群联CEO关于“NAND短缺将持续十年”的警告并非危言耸听。当微软、Google等云巨头在2026年全面转向eSSD，当OpenAI的Stargate项目单月就能消耗全球40%的DRAM产能，存储行业的新纪元已经开启。

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来源：小象说科技