摘要：在2025年OCP全球峰会上，三星电子宣布，已将其正在开发的HBM4E的目标引脚速度设定为13Gbps，并计划于2027年实现量产。HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM

1、三星电子HBM4目标引脚速度13Gbps，2027年量产

2、存储涨价推高手机成本，vivo X300系列售价较前代普遍上调

3、机构：预估SK海力士Q3营收、营业利润将创历史新高

4、Meta投资15亿美元在德克萨斯州建设AI数据中心

5、机构：第二季度全球半导体设备投资额达330.7亿美元，同比增长24%

1、三星电子HBM4E 2027年量产，能效是HBM3E两倍以上

在2025年OCP全球峰会上，三星电子宣布，已将其正在开发的HBM4E的目标引脚速度设定为13Gbps，并计划于2027年实现量产。HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输，换算成字节即可达到3.25TB/s。此外，三星电子表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

此外，三星电子还介绍了其首款LPDDR6产品的具体规格。LPDDR6是下一代移动DRAM，其JEDEC标准已于7月发布。三星电子计划实现114.1GB/s的带宽，每引脚10.7Gbps，同时与现有的LPDDR5X相比，功率效率提高20%。

为因应服务器市场对高性能DRAM的强劲需求，存储原厂加大对服务器HBM、DDR5、LPDDR5X等的供应力度，相应的消费类LPDDR5X产出受到挤占，令LPDDR5X整体产能供应趋紧。

同样的，原厂为提高NNAD盈利水平，原厂NAND也选择优先供应相对利润更高的服务器市场，可分配至mobile端的产能同步减少。当前，原厂正处于新旧制程转换阶段，对NNAD的投入始终保持克制。多因素驱动下，四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。

而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力，在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

以近日发布的vivo X300系列的售价来看，相同存储配置下，vivo X300系列较其上一代vivo X200系列售价上涨100-300元不等，新增16GB+256GB版本，售价4699元。

vivo X300 Pro系列售价与vivo X200 Pro系列相比，12GB+256GB、16GB+512GB售价持平，但16GB+1TB版本售价上涨500元。

3、机构：预估SK海力士Q3营收、营业利润将创历史新高

据韩媒报道，FnGuide预估，SK海力士第三季度营收预期（分析师平均预测）为24.48万亿韩元，营业利润预计为11.15万亿韩元，分别比去年同期增长了39.3%和58.6%，将创下其有史以来最高的季度业绩。

10月14日，三星电子公布2025年第三季度的盈利预期。预计合并营收为86万亿韩元，环比增长15.33%，同比增长8.7%；合并营业利润12.1万亿韩元，环比大增158.6%，同比增长31.8%。

业界分下称，SK海力士和三星电子如此强劲的盈利主要归因于 AI 服务器 HBM 的强劲出货，这一趋势可能会持续到第四季度。

4、Meta投资15亿美元在德克萨斯州建设AI数据中心

Meta公司当地时间15日宣布，将投资约15亿美元在美国德克萨斯州南部埃尔帕索市建设数据中心，建成后可扩展至1GW的规模。新建的设施将成为 Meta 的第 29 个数据中心，计划于 2028 年投入运营。

Meta 正全力投入 AI 基础设施建设和人才储备。该司迄今已在德克萨斯州投资超过 100 亿美元，并正在路易斯安那州建设一个超大型数据中心。消息称，Meta 已获得总计 290 亿美元的资金，用于在美国建设 AI 数据中心。

Meta计划今年投入高达 720 亿美元的资本支出，其中包括 AI 相关的基础设施项目。Meta 首席执行官马克·扎克伯格认为，在AI行业，过度投资总比投资不足要好。他表示：“人们担心 AI 泡沫，但投资不足才是更大的风险。”

5、机构：第二季度全球半导体设备投资额达330.7亿美元，同比增长24%

SEMI最新数据显示，第二季度全球半导体设备市场规模同比增长24%，达330.7亿美元，比上一季度增长3%。

SEMI分析称，增长动力来自先进逻辑工艺和高带宽存储器（HBM）需求增加，以及对亚洲地区出货量的增加。

按国家和地区来看，中国大陆地区投资额达113.6亿美元，位列第一；中国台湾地区为87.7亿美元，韩国投资额达59.1亿美元，分列第二、三名。

来源：小高科技观