摘要：10月8日，复旦大学科研团队在国际顶刊《自然》上扔出一枚“技术炸弹”，宣布成功捣鼓出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。这项来自复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的突破，由周鹏和刘春森团队联手完成，他们打造的 “长缨（CY-01）架构” 把二维超快存储器件“

10月8日，复旦大学科研团队在国际顶刊《自然》上扔出一枚“技术炸弹”，宣布成功捣鼓出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。这项来自复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的突破，由周鹏和刘春森团队联手完成，他们打造的 “长缨（CY-01）架构” 把二维超快存储器件“破晓”与成熟硅基CMOS工艺巧妙融合，解决了新型二维信息器件从实验室走向工厂的关键难题。

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01 技术破局：原子级薄材与硅基的神仙组合

现在人工智能应用遍地开花，数据存取性能已经成为制约算力发展的关键瓶颈。现今最快的易失性存储器速度确实很顶，但一断电数据就“全部清零”。传统闪存能持久保存数据，但其工作效率早就追不上现代芯片的计算节奏。

原子级厚度的二维半导体材料，被科学界公认为打破这一僵局的希望。今年4月，周鹏—刘春森团队已经在《自然》期刊上发表论文，推出了“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，创下了半导体电荷存储技术的速度新纪录。

但将仅有1-3个原子厚度的二维材料集成到CMOS电路上，难度简直逆天。研究团队成员周鹏教授生动地比喻：“CMOS电路表面元件林立，就像一座微缩‘城市’，有高楼也有平地；而二维半导体材料薄如‘蝉翼’，脆弱得不行，直接铺在CMOS电路上，材料立马就会破裂。”

“我们没必要去改变CMOS，而需要去适应它。”基于这一思路，团队转而研究本身就具备一定柔性的二维材料，通过模块化集成方案，终于找到了解决问题的通关密码。

02 “长缨架构”：中国芯片的逆天操作

研究团队独创的 “长缨（CY-01）架构” ，采用了 “先分后合” 的骚操作。他们先把二维存储电路与成熟CMOS电路分开制造，再通过微米尺度的高密度单片互连技术完成整体集成，实现了芯片集成良率高达94.3% 的优异成果。

这一数字背后是中国科研人员的工程智慧。团队从具有柔性特点的二维材料入手，通过模块化集成方案，成功规避了二维材料与CMOS电路直接集成时容易破损的难题。

团队将超快闪存器件“破晓”与成熟硅基CMOS工艺无缝融合，以前瞻性的系统集成理念，圆满完成了全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发。

这项核心工艺的创新，破天荒地在原子尺度上实现了二维材料与CMOS衬底的紧密贴合。

从基础研究到工程化应用，团队已经跨越了最艰难的关卡。研究团队计划创建实验基地，与各方机构通力合作，构建自主主导的工程化项目，并计划用3-5年时间将项目集成到兆量级水平，期间产生的知识产权和IP将授权给合作企业使用。

03 性能飞跃：比传统闪存快百万倍

这款二维-硅基混合架构闪存芯片支持8-bit指令操作与32-bit高速并行操作与随机寻址，性能表现让现有闪存技术望尘莫及。

团队之前研发的“破晓”二维闪存原型器件已经实现了400皮秒超高速非易失存储，速度相比传统闪存整整提升了百万倍。传统闪存完成一次操作要几万到几十万纳秒，而“破晓”只需400皮秒——1纳秒等于1000皮秒，这真的是降维打击！

对于如日中天的人工智能领域，这项技术好比给“狂奔的电脑”配上了“超速记忆库”。以往算得快却调不出数据的卡顿问题，这下真的有希望彻底解决。

产业界专家认为，这种芯片能够突破闪存自身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未来在3D应用层面可能带来更大的市场想象空间。

多位业内人士看好该成果以更短时间从实验室走向大规模应用，融入我们的个人电脑、移动设备等日常场景。

04 产业链机遇：哪些公司将受益？

复旦大学的这一突破，将为整个存储芯片产业链带来全新发展机遇。从A股市场来看，多家公司在各自领域都有着独特优势。

兆易创新作为国内存储芯片设计领头羊，全球NOR Flash市占率高达18.5%，自研的128层3D NAND良率超过90%。公司车规级产品已经打入特斯拉供应链，在存储芯片设计领域的技术积淀让其站在了产业最前线。

北京君正作为国内车规级存储芯片巨头，核心产品涵盖SRAM、DRAM和NOR Flash芯片。公司全球SRAM市占率21.8%排名第二，产品广泛用于汽车电子、工业制造和高端消费电子领域。

长电科技作为大基金一期重点投资的企业，HBM封测技术能跟上国际主流。作为全球第三大封测厂，长电科技在先进封装领域布局深入，当前订单已经排到明年，充分显示了行业的高景气度。

通富微电在存储封测领域表现亮眼，苏州厂产能利用率超过120%。公司与英伟达、AMD合作紧密，存储封测收入同比增长75%，凸显了行业的高度繁荣。

江波龙作为国内领先的存储产品和解决方案提供商，拥有完整的产品线。公司自研SLC NAND Flash芯片填补了国内空白，并且已经成功打入高端车企供应链。

05 市场前景：AI驱动存储芯片超级周期

人工智能时代，AI系统的瓶颈正从前端算力转向后端存储和数据。未来的模型会越来越庞大，对存储性能提出更高要求。

产学研协同合作有望为每年600亿美元的市场带来变革。存储器产业界代表认为，团队研发的二维器件具有天然的访问速度优势，可突破闪存本身速度、功耗、集成度的平衡。

近期，全球存储芯片市场迎来显著变化，多国芯片巨头纷纷上调产品报价。韩国三星电子公司已正式向客户发出通知，计划在第四季度全面上调DRAM与NAND闪存产品的合约价格。

摩根士丹利最新研报预测，人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个 “超级周期”。

随着AI大模型推动数据量增长，对存储设备提出更高要求，具备核心技术和前瞻布局的中国存储企业将迎来长期广阔增长空间。

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研究团队计划用3-5年时间将项目集成到兆量级水平，这意味着我们可能很快就能见证这项技术的规模化应用。

正如团队负责人周鹏所言：“这是中国集成电路领域的 ‘源技术’ ，使我国在下一代存储核心技术领域掌握了主动权。”这项成果不只是延续性的技术改良，更是存储速度和效率上的一次颠覆性进步。

本文不构成投资建议，入市需谨慎！

来源：闺蜜财经话