摘要：2025年第三季度，DRAM（动态随机存取存储器）价格环比上涨超20%，NAND Flash（闪存）价格环比涨幅亦达15%以上，这是自2021年以来存储芯片行业最猛烈的一次价格反弹。以8GB DDR5内存模组为例，第二季度还在30美元左右徘徊，第三季度已突破4
当你最近打算升级电脑固态硬盘，或是给手机扩容时，是不是发现价格比半年前贵了不少？这并非错觉，而是存储芯片行业“涨价狂潮”的真实映射。
2025年第三季度，DRAM（动态随机存取存储器）价格环比上涨超20%，NAND Flash（闪存）价格环比涨幅亦达15%以上，这是自2021年以来存储芯片行业最猛烈的一次价格反弹。以8GB DDR5内存模组为例，第二季度还在30美元左右徘徊，第三季度已突破40美元；1TB TLC NAND固态硬盘批发价，从第二季度的85美元一路涨至第三季度的110美元。
全球存储巨头的动作更印证了这波行情的烈度。三星电子在8月宣布上调DRAM和NAND产品合约价，其中服务器级DRAM价格上调18%；美光科技紧随其后，对消费级NAND Flash价格上调15%；SK海力士直接缩减部分成熟制程存储芯片产能，进一步加剧市场供给紧张。
这波涨价早已超出行业内部博弈，开始向整个产业链乃至消费者端传导。下游消费电子厂商中，国内某头部手机品牌最新旗舰机型的512GB版本比256GB版本定价差距，从过去的300元拉大到500元；PC厂商库存预警解除，纷纷加大存储部件采购量，只因“现在不买，下月可能更贵”。就连监控设备、车载电子等领域，也因存储芯片涨价面临成本压力，最终这些成本大概率会以不同形式转移到消费者身上。
不少投资者会问，存储芯片向来被称为“周期之王”，这次的缺口难道只是周期的又一次轮回？答案远非如此简单，它是周期博弈与结构变革的双重产物。
周期的力量：供给收缩的伏笔
2022-2023年，全球存储芯片行业经历惨烈价格战，DRAM和NAND价格一度腰斩，行业整体陷入亏损。三星、美光、SK海力士三大巨头被迫集体减产，仅2023年全球存储芯片产能就缩减约12%。这种供给端收缩，为如今的涨价埋下了伏笔。
需求端的结构性爆发
真正让缺口“雪上加霜”的，是需求端的结构性爆发，这是传统周期中从未有过的变量。
AI革命的存储饥渴：训练千亿参数大模型，需数十万台AI服务器支撑，每台AI服务器的DRAM需求是普通服务器的5-8倍，NAND Flash需求是3-5倍。据TrendForce数据，2025年全球AI服务器对DRAM的需求同比增长超80%，对NAND的需求增长超60%。
消费电子的容量升级浪潮：智能手机领域，256GB已成入门标配，512GB、1TB版本渗透率快速提升，2025年全球智能手机存储平均容量预计达450GB，同比增长25%；PC领域，16GB内存+1TB存储成为新主流配置，带动消费级存储需求同比增长18%。
地缘与供应链的叠加挑战
美国对半导体设备和材料的出口限制，导致国内存储芯片制造端扩产节奏受影响；同时，全球晶圆代工产能向先进制程倾斜，存储芯片依赖的成熟制程产能相对紧张，进一步限制了供给弹性。多重因素交织，最终形成了当前的供需缺口。
在全球存储芯片供需失衡、国产替代政策大力支持的背景下，国内6家存储产业链企业正迎来前所未有的发展机遇，它们的突围路径各有侧重，共同构成了国产存储的“反击矩阵”。
作为国内NAND Flash领域龙头，长江存储在3D NAND技术上持续突破，最新TLC（三层单元）产品良率已超90%，QLC（四层单元）产品进入客户验证阶段。2025年上半年，长江存储在全球NAND Flash市场市占率达15%，仅次于三星、铠侠、美光，位列第四。
客户结构上，长江存储深度绑定国内消费电子巨头，某头部手机品牌512GB及以上版本机型，约70%采用其NAND Flash；同时，企业级NAND产品逐步进入国内云服务商供应链，为阿里、腾讯服务器提供存储支持。随着全球NAND价格上涨，长江存储毛利率从2024年的-5%提升至2025年Q2的12%，实现扭亏为盈，盈利能力显著改善。
长鑫存储是国内唯一具备DRAM自主研发和量产能力的企业，DDR4产品已进入国内服务器厂商供应链，2025年上半年在全球DRAM市场市占率达5%。
目前，长鑫存储17nm制程DRAM产品良率稳定在85%以上，月产能达12万片晶圆。应用领域上，除传统服务器、PC外，还积极拓展车载DRAM市场，与国内某头部新能源车企达成合作，为其智能座舱和自动驾驶系统提供存储解决方案。随着全球DRAM价格上涨，长鑫存储营收同比增长超50%，成为国产存储阵营的“增长引擎”。
兆易创新在NOR Flash领域占据全球前三市场份额，产品广泛应用于工业控制、汽车电子、物联网等领域。2025年上半年，其NOR Flash营收同比增长22%，毛利率维持在40%以上高位。
同时，兆易创新在NAND Flash领域加速布局，SPI NAND产品在消费电子领域渗透率快速提升，2025年Q2在国内市场份额达18%。车规级存储领域，其产品通过AEC-Q100认证，进入多家国内外车企供应链，为长期增长奠定基础。
北京君正通过收购ISSI，跻身全球存储芯片设计领域第一梯队。其存储产品在车载领域表现突出，2025年上半年，车载DRAM和NAND产品营收同比增长65%，在国内车载存储市场份额达20%。
工业领域，北京君正的存储解决方案广泛应用于工业自动化、医疗设备等场景，凭借高可靠性和稳定性，获得众多下游客户认可。随着全球汽车电动化、智能化浪潮推进，其存储业务有望持续受益。
国科微是国内少数具备存储控制芯片自主研发能力的企业，固态硬盘控制芯片、监控存储控制芯片在国内市场份额逐步提升。2025年Q2，其存储控制芯片营收同比增长40%，毛利率提升至35%。
在国产替代大背景下，国科微产品凭借性价比优势，逐步替代国外品牌，进入国内主流固态硬盘厂商供应链。同时，与长江存储、长鑫存储合作深化，为国产存储芯片提供配套控制解决方案，形成“存储芯片+控制芯片”的国产组合拳。
太极实业在存储芯片封测和晶圆厂配套领域扮演关键角色。其为长江存储、长鑫存储提供先进封测服务，封测良率达国际一流水平；同时，参与建设多个晶圆厂配套项目，为存储芯片制造提供稳定基础设施支持。
2025年上半年，太极实业存储相关业务营收同比增长30%，随着国内存储芯片产能持续释放，其业务增长确定性不断增强。
对于投资者而言，这波存储芯片行情是资本市场焦点，但行情能走多远？又该如何把握机会？
行业景气度判断
当前存储芯片库存周期已从主动去库存进入被动补库存阶段，供需格局持续改善。据集邦咨询预测，2025年全球DRAM市场将实现供需平衡，2026年有望进入供不应求状态；NAND Flash市场则在2025年Q4出现供给缺口，这种格局至少持续到2026年上半年。
技术迭代方面，尽管HBM（高带宽存储）在AI服务器领域快速渗透，但传统DRAM和NAND在消费电子、工业、汽车等领域需求依然刚性，且HBM产能短期内无法替代传统存储，因此传统存储景气度不会被完全颠覆。
投资逻辑与机会
存储产业链不同环节值得关注：
制造端：长江存储、长鑫存储（未上市，可关注其产业链上下游）的技术突破和产能释放，直接受益于价格上涨和国产替代。
设计端：兆易创新、北京君正、国科微等企业，凭借细分领域技术优势和客户壁垒，享受行业增长和国产替代双重红利。
封测与配套：太极实业等企业，作为产业链“卖水人”，将持续受益于存储芯片产能扩张。
设备与材料：存储芯片制造所需的光刻机、刻蚀机、存储晶圆材料等领域的国产企业，也将在国产替代中获得订单增长。
风险提示
存储芯片周期属性依然存在，若全球经济复苏不及预期，消费电子需求可能再度走弱；国际大厂或在价格高位重启产能扩张，引发新的供给压力；此外，HBM的快速发展也可能对传统存储市场空间造成挤压。
来源：星愈情笺
