摘要：按照他的观点：“中国拥有庞大的人才储备、芯片市场活力，而且中国各省之间的内部竞争环境，导致中国芯片发展非常快，现在，中国芯片落后美国并没有那么多。”

黄仁勋说：中国在芯片制造领域仅落后美国“几纳秒”，随后就引爆了网络。

按照他的观点：“中国拥有庞大的人才储备、芯片市场活力，而且中国各省之间的内部竞争环境，导致中国芯片发展非常快，现在，中国芯片落后美国并没有那么多。”

这个言论颠覆了不少人的认知。

因为大部分人认为，中国在芯片领域落后美国2到3代，而且需要相当长的时间来追赶。

究竟怎么回事呢？难道黄仁勋为了中国市场，故意这么说的吗？

其实还真不是，中国网民喜欢对比，而且喜欢拿中国一家和整个欧美科技加起来对比，所以这就导致了，中国只要有一项技术被卡脖子，那么就是中国比欧美落后。比如圆珠笔芯就是典型例子。

所以中国芯片技术在 给人的感觉是落后美国2-3代。

实际的情况却并不是如此，中国芯片领域有被卡脖子的地方，但也有欧美无法卡脖子，甚至部分领域超过美国的情况。

这个可能会打破大家的认知，我举几个例子，比如刻蚀机，美国基本没有封禁了。

原因就是中国刻蚀机已经不落后其他国家了。

2018 当时，中微公司研发的 5nm 等离子体刻蚀机已通过台积电验证，美国商务部就将刻蚀机限制清单中移除了。

2025年3月，中微公司生产的ICP双反应台刻蚀机更是实现了0.02纳米 的刻蚀精度，这意味着中国刻蚀设备真正进入了全球顶尖行列，不存在卡脖子的情况。

很多人不了解刻蚀机，总觉得中国既然能搞出来，那么科技含量就不高，并不重要。

实际上这是错的，如果树光刻是在芯片上印刷电路，那么刻蚀是在电路上进行微观雕刻，这个过程就相当于在人的头发丝直径的几千万分之一甚至上万分之一的面积上，建造出一栋50~60 层大楼。

因此刻蚀机的性能，直接关系到了大楼的质量，重要程度等同于光刻机。

只是因为中国研发出来了，很多人忽略了它的重要性。

除了刻蚀机外，闪存芯片也不存在卡脖子。

芯片可以分为五大类：CPU芯片/AI芯片属于逻辑芯片，除此之外还有储存芯片、功率芯片等等。储存芯片重要程度排在前二，几乎和CPU/AI芯片一样。

2018年，中国进口了3120亿美元的芯片，其中存储芯片占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元，比中国被封禁的CPU芯片还要多。

但是到了2024年，中国储存芯片净出口超过600亿美元。

短短六年时间，中国就实现了突破，尤其是长江存储的Xtacking技术，三星都要买他们的专利。

很多人可能不知道这个技术有多强？

我解释一下，常规NAND储存架构就像盖一排平房，而Xtacking则是研究3D堆叠，相当于盖一栋高楼大厦。

两者的难度完全不同，而且这种堆叠方式，堆叠层数越高难度越高，和盖楼一样越高越容易歪，而3D储存芯片则是往下挖，需要在几十甚至上百层中，精准蚀刻极深的垂直通道来连接各层，越深越容易挖歪。

以前传统方式在堆叠到128层以上时就面临巨大挑战，相当于一道门槛，难住了欧美各国企业。

而长江存储的Xtacking独创了全新的技术方案则率先迈过了这道门槛。

稍微科普一下，它就是把存储阵列和外围电路分开来做，然后通过很牛的混合键合技术，将两片晶圆像搭乐高一样精准键合接通。

这是一个原创性的技术，直接缩短产品研发周期，绕开了传统方式在物理和工艺上的诸多瓶颈。

到目前为止，长江存储已经积累了上百件相关专利，远超三星的83项和SK海力士的11项，也就是说，中国芯片并不都是落后的，相反有一些反而领先欧美各国。

更重要的是时间，只用7年，中国储存芯片从落后好几代到领先，堪称奇迹。

那么这种奇迹会发生在AI芯片、CPU芯片上吗？不一定会复刻，但时间拉长就一定会实现，比如2025 年国际工业博览会上，上海微电子就首次公开了极紫外（EUV）光刻机参数图。

说明上微已经掌握了关键的数据，距离研发成功，只剩下一些零部件设备了，按照中国全国投入研发的氛围，相信这种设备突破要不了太长时间。

这才是黄仁勋担心的问题，他说中国芯片仅落后“几纳秒”，可能夸张了点，但是中国用自己的行动，证明了只要中国想做，就没有任何不可能。

来源：硬核熊猫说