华为破局！从堆叠到封装：解密国产HBM全产业链的突围之路！

摘要：在人工智能浪潮席卷全球的今天，大型模型训练需要处理的海量数据对芯片内存带宽提出了前所未有的要求。正是在这一背景下，高带宽内存（HBM）技术成为AI芯片性能发挥的关键制约因素。长期以来，HBM市场被三星、SK海力士和美光三大国际巨头垄断，而这一局面正在被悄然打破

在人工智能浪潮席卷全球的今天，大型模型训练需要处理的海量数据对芯片内存带宽提出了前所未有的要求。正是在这一背景下，高带宽内存（HBM）技术成为AI芯片性能发挥的关键制约因素。长期以来，HBM市场被三星、SK海力士和美光三大国际巨头垄断，而这一局面正在被悄然打破。

在9月18号华为全联接大会上，昇腾AI芯片三年路线图的首次公布，其中藏着一个足以颠覆行业的爆点——华为自研HBM（高带宽内存）；分为HiBL 1.0和HiZQ 2.0两个版本，将应用于2026年推出的昇腾950PR和昇腾950DT AI芯片。据披露，这两款HBM产品的目标带宽分别达到1.6TB/s和4TB/s，显示出强劲的追赶势。

另外，国产半导体新星——远见智存在HBM上也取得了巨大突破。根据最近中天（参股远见智存）董秘回复，远见智存HBM2/2e已完成终试，正在推动量产；同时，其HBM3/3e处于研发阶段，已完成前期预研。

要理解HBM的重要性，首先需要了解传统内存架构的局限性。传统DRAM就像一条平面道路，数据需要在处理器和内存之间来回“奔波”，当数据量巨大时，很容易形成“交通拥堵”。而HBM则通过3D堆叠技术，将多个内存芯片像高楼大厦一样垂直堆叠在一起，并通过硅通孔（TSV）技术实现层间互联，相当于修建了一条“立体高速路”，大大提升了数据传输效率。

这一技术对AI应用尤为重要。以训练拥有1750亿参数的GPT-3模型为例，训练过程中需要反复调用海量数据，内存带宽直接决定了训练速度。HBM的带宽可达传统GDDR内存的3-5倍，功耗却降低约50%，使其成为高端AI训练芯片的标配。没有HBM，再强大的AI处理器也无法充分发挥其性能潜力。

因此，国产AI产业尤其是AI芯片要突破HBM就是绕不过去的一道坎。如上所述，国产HBM的国产替代正在加速，除上述华为和远见智存在HBM上已经取得了巨大突破之外，长鑫存储和武汉新芯也不甘人后，相继在技术上打破国产HBM关键障碍。

当然，目前全球HBM市场由三星、SK海力士和美光主导；HBM3e已成为国际主流厂商的竞争焦点，而更先进的HBM4技术也在研发中。而国内厂商正从HBM2/2e向更先进的HBM3迈进，并在上游的存储芯片芯片制造、封装材料、检测设备等关键环节取得显著进展，形成了较为完整的产业链布局。

在存储芯片制造环节，长鑫存储作为国内领先的DRAM制造商，已成功完成12层堆叠HBM3样品的开发，并交付头部AI芯片厂商测试。这一进展标志着国产HBM技术已接近国际主流水平。据悉，长鑫存储计划于2026年实现HBM3的量产，届时将有力支撑国内AI芯片的发展需求。与此同时，武汉新芯也计划建设月产能3000片的12英寸HBM晶圆厂，专注于AI和HPC（高性能计算）领域。而远见智存等新兴企业在HBM2/2e技术上已接近量产阶段，正在向更先进的HBM3/3e技术迈进。

在封装测试与材料领域，长电科技作为全球第三大封测厂，其HBM封装良率已达98.5%，并成功承接华为昇腾910B芯片的CoWoS-L先进封装业务。通富微电作为华为昇腾芯片的主要封测伙伴，其HBM封装技术也已进入量产阶段。

在关键材料方面，华海诚科已成为国内目前唯一能量产GMC（颗粒状环氧塑封料）的企业，该材料是HBM封装的核心材料；而回天新材则作为华为海思芯片封测的底部填充胶独家供应商，为昇腾910B等高端芯片提供关键材料支持。

在设备与载板环节，赛腾股份是国内唯一直接向三星、SK海力士HBM产线供应检测设备的企业，据称已进入华为自研HBM供应链。兴森科技作为国内ABF载板国产化的核心企业，其产品已大量应用于昇腾910B芯片。博敏电子则宣称是国内唯一实现HBM3载板量产的企业，其产品已通过长鑫存储的样品验证。