摘要：随着美国制裁的一步步收缩，中国获得ASML先进EUV光刻机的希望渺茫，于是中国企业将目光放在了浸润式DUV光刻机上。中国企业正在尝试完成国产浸润式设备的开发，并且依赖于多重图案化技术去制造国产的先进芯片。

据美国科技媒体Tom's Hardware所发布的新闻表示：

随着美国制裁的一步步收缩，中国获得ASML先进EUV光刻机的希望渺茫，于是中国企业将目光放在了浸润式DUV光刻机上。中国企业正在尝试完成国产浸润式设备的开发，并且依赖于多重图案化技术去制造国产的先进芯片。

ASML现任CEO克里斯托夫·富凯在接受彭博社采访时表示，中国的光刻机产业落后世界10到15年的时间，但是美国的制裁正在让中国加速发展。

DUV设备已经成为了中国的突破口，不过研发先进的DUV会让中国企业陷入10年左右的低效时期。用10年的产业低效率换取在光刻机领域的独立自主，这对于中国企业来说是一个极具风险的挑战。

参考资料：

对于荷兰ASML的NXT系列EUV光刻机来说，全部的产品均无法交付给中国大陆企业。

这些产品是单次曝光制造7nm及以下芯片的核心设备，据中芯国际CEO梁孟松在大会报告上面表示，中国企业已经完成了7nm技术开发，但是需要EUV设备进行测试。如果EUV设备持续被封锁，那么就要想办法采用其他技术 。

据ASML首席财务官罗杰·达森在公司财报上面表示，ASML在2023年向中国大陆企业交付了许多未被美国限制的DUV光刻机，这些设备都是中国企业几年前下的订单，并且采购的中国企业均为成熟芯片的制造商，符合美国以及荷兰的出口条例。

参考资料：

ASML Q4 2023 - Financial results | ASML

EUV光刻机是现存最复杂的精密设备之一，其内部的零部件高达几十万个，并且还有数千个来自于美国企业提供的零部件，整体售价达到了1.5亿美元以上。EUV设备可以单次曝光制造7nm及以下的先进芯片，这是DUV光刻机所达不到的效果，所以EUV设备成为了先进芯片制造商的首选产品。

DUV光刻机的应用时间比EUV早了20多年，先进的浸润式DUV光刻机可以单次曝光制造28nm的芯片，使用多重图案化技术可以制造出7nm芯片，但是其成本、能效、良品率均会大幅度波动。

英特尔曾经使用ASML的浸润式DUV光刻机和多重图案化技术，去制造金属间距在30nm左右的10nm先进芯片，该芯片的整体特性与台积电的7nm相当。尽管英特尔成功制造出了先进芯片，但是其能效、产能均无法达到合格水平，成本投入和市场化效果不成正比。

英特尔和台积电已经验证了该技术的可行性，这也给了中国大陆企业制造先进芯片的机会。

华为新麒麟芯片的推出，成功说明了中国大陆企业已经通过以上方法制造并量产了先进芯片。尽管这些芯片可以被搭载到手机产品中，但是其整体的能效和性能要差于台积电制造的产品。

现在中国企业手中的光刻机，几乎都是来自于前几年从ASML手中囤积的浸润式设备。多重图案化技术会消耗更多的晶圆资源，并且需要高精度的刻蚀机和测量设备进行辅助制造。用浸润式设备制造先进芯片，其综合成本是要远高于EUV设备。

即便中国企业遇到了多种困难，同时还承担着着高昂的制造成本，但好在是解决了先进芯片的供应问题，这一切是值得的。先解决有的问题，然后解决好不好用的问题。

虽然EUV光刻机是制造先进芯片的核心设备，但是DUV光刻机也是不可或缺的设备。

据ASML官方的产业报告显示：

哪怕是现在经过EUV光刻机制造完成的芯片，其内部的多个关键层也是采用了DUV技术。DUV和EUV从来都不是替代的关系，而是面向两个领域的产品，都拥有不可替代性的理念和原则。

美国的对华封锁，是一个零和博弈的竞争。要么就拥抱全球化体系，使用先进的进口光刻机。要么就自立自强，想办法开发自主的光刻机设备，走国产化路线。

但是美国的制裁封锁，相当于直接掐断了中国走全球化体系这条路。美国先封锁了EUV，然后封锁DUV，那么中国企业自然而然的就会将目光转向本国的设备制造商，走另一条国产化技术的道路。

虽然在国产化的道路上会面临着多年的低效期，但是每发展一个阶段，就离自立自强又近了一步。对于现在以及未来的中国芯片产业来说，自立自强是首要的目标，也是长远的目标。

来源：反方向数码站