摘要：SanDisk 首席执行官大卫·戈克尔勒（David Goeckeler）表示，全球 NAND 闪存芯片市场将持续面临短缺，直至 2026 年。这一预测是在最近举行的高盛通信与技术大会（Goldman Sachs Communacopia + Technolo

SanDisk 首席执行官大卫·戈克尔勒（David Goeckeler）表示，全球 NAND 闪存芯片市场将持续面临短缺，直至 2026 年。这一预测是在最近举行的高盛通信与技术大会（Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference）上提出的。

图片来源：SanDisk

据 TrendForce 报道，供应短缺的原因是数据中心需求激增，这些数据中心正从人工智能（AI）训练转向推理——即将已训练好的模型应用于新的、未见过的数据以获取结论和结果的过程，这一过程需要大量内存。这一趋势已引发市场主要参与者（包括 SanDisk、美光和西部数据）的全面涨价浪潮。

赫克尔勒强调，公司视数据中心为增长的主要驱动力，并坚持平衡扩张能力的策略，以控制供需匹配。他指出，他不期望市场稳定到来，直到2026年，短缺状况很可能在整个期间持续存在。

据 TechPowerUp 消息，SanDisk 已将所有分销渠道和消费产品的价格上调 10%（此调整适用于 9 月 5 日之后下的订单）。公司解释称，这是由于 AI 应用、数据中心和移动设备的需求增长所致。SanDisk 首席财务官路易斯·维索索（Luis Visoso）表示，公司认为在客户设备、数据中心和云解决方案领域仍有提价空间，因为价格和数量条件是与每个客户单独按季度协商的。

与此同时，SanDisk 正积极加速向新的生产工艺转型。预计今年公司产品组合中 BICS 8 内存的占比将从当前水平提升至年底的 40-50%。同时公司加快了发展路线图：在从 BICS 5 转向 BICS 6 用于 QLC 内存后，现在计划在未来几年内全面推广 BICS 8。

此前，Sandisk 公布了 High Bandwidth Flash（HBF）技术的研发信息，并与韩国 SK hynix 签署了谅解备忘录，共同确定技术规格。据 Sisa Journal 解释，如果 HBM 通过堆叠 DRAM 芯片提升带宽，那么 HBF 通过堆叠 3D NAND 阵列实现并行输入输出操作的显著增长。在 Goldman Sachs 同一场会议上，公司表示 HBF 将于 2026 年底准备就绪，而包含控制器和 ASIC 的完整系统将于 2027 年初上市。第一代 HBF 将采用 16 层内存结构，每个堆叠可提供高达 512GB 的容量，带宽与 HBM 相当，容量则超过 8-16 倍。

来源：A7a369一点号