摘要：2025年以来，美光科技（Micron）率先掀起存储芯片涨价潮，近期宣布对DRAM和NAND产品上调10%-30%售价，所有DDR4、DDR5、等存储产品暂停报价，引发行业连锁反应。

存储芯片是芯片行业的第二大产业，仅次于CPU、GPU等逻辑芯片。

2025年以来，美光科技（Micron）率先掀起存储芯片涨价潮，近期宣布对DRAM和NAND产品上调10%-30%售价，所有DDR4、DDR5、等存储产品暂停报价，引发行业连锁反应。

今年9月，美国的闪迪（SanDisk）率先宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。主要是因为看到AI应用、IDC等对闪存产品的强劲需求而进行价格调整。

长期以往，存储芯片一直被韩国的三星、海力士，还有美国的美光垄断，市场份额占据全球95%以上。

而存储芯片的行业周期性非常明显，受国际垄断大厂的政策和供需变化影响大。在AI驱动和涨价背景下，存储芯片的国产替代势在必行，是我们不能输掉的战争。

今天我们来梳理存储芯片，下文从：① 存储芯片基础知识扫盲；② 发展历史溯源；③ 市场份额与竞对；④ 产业链；⑤ 细分标的，等五大维度详细梳理。

一、存储芯片基础知识扫盲

1、什么是存储芯片

存储芯片，也叫半导体存储器，英文memory chip，是半导体的核心组件。是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，其存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。

作为电子设备的“数据仓库”，主要实现数据的存储与读取。通过专用集成电路（ASIC）或现场可编程门阵列（FPGA）技术将存储控制器、协议管理等功能集成于单一芯片。

当前，DRAM与NAND是存储芯片的两大核心主流，广泛应用于工业控制、云计算及智能终端等领域。

2、分类&各类简析

按照存储介质的不同，存储主要分为光学存储器、磁性存储器、半导体存储器三类。

（1）光学存储器：包括CD、DVD 等，利用激光在记录介质(如有机染料，相变材料)上写入和读出数据，通过改变介质物理或化学性质形成标记，读取时依据反射光强度变化识别信息。

（2）磁性存储器：包含磁带、软盘、HDD 硬盘等，靠磁性材料磁化方向存储数据，写入时磁头改变磁畴方向，读取时检测磁场变化转换为电信号，进行信息存储。

（3）半导体存储器，即存储芯片，是我们今天的主体。是基于半导体器件电学特性进行信息存储，如 DRAM 利用电容存储电荷，断电后信息将无法保存，用于信息高频访问的区域。闪存NAND通过浮栅晶体管改变阈值电压存储，断电后信息还可保存，为数据储存的主要介质。

根据应用场景的不同NAND的存储产品形式包括嵌入式存储、卡盘类及固态硬盘SSD。

下图：存储芯片分类-思维导图

按断电后数据是否能保持，存储芯片可分为易失性存储（RAM）和非易失性存储（ROM）。

RAM：Random-Access Memory，即易失性存储芯片。易失性存储器断电后数据丢失，适合临时存储，如运行中的程序。主要类型包括：

1） SRAM（静态随机存取存储器）：

Static Random Access Memory无需刷新，其原理是每个bit数据存储在一个由4-6个晶体管构成的触发器电路（锁存器）中。只要保持通电，电路状态就能一直保持，不需要刷新，这就是“静态”的含义。

优点是速度比DRAM快，功耗低、无需刷新，但结构复杂、成本高；常用于CPU内部的高速缓存（Cache）高速缓存，对速度要求极高，L1, L2, L3 Cache，弥补CPU和DRAM两者之间速度鸿沟。

2） DRAM（动态随机存取存储器）：

Dynamic Random Access Memory，其原理是一个存储单元利用1个晶体管和1个电容来存储芯片，需周期性刷新，所以它是“动态”的。其优点是容量大、价格低，是计算机主存、手机内存和服务器中RAM的绝对主力。目前约占市场的56%。

DRAM的读写速度比SRAM慢，数据寿命较短，但集成度高、成本低、功耗相对较低。DRAM根据应用设备的性质，可分为DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。

① DDR与SDRAM：

DDR：全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，即双倍数据速率同步动态随机存取存储器。

其中，Double Data Rate（双倍数据速率）：这是DDR技术的核心。它表示DDR内存能够在系统时钟脉冲的上升沿（从低到高）和下降沿（从高到低）各传输一次数据。而它的前身SDRAM只能在时钟上升沿传输数据，因此在相同时钟频率下，DDR的数据传输能力是SDRAM的两倍。

目前DDR是计算机主内存的主流技术。是一种用于提高SDRAM数据传输速率的技术；是在SDRAM基础上发展而来，并且速度能效不断发展迭代，如DDR2、DDR3、DDR4、DDR5（最新主流）。

② LPDDR：低功耗存储

全称 Low Power Double Data Rate，低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器，专为移动设备（如智能手机、平板电脑、甚至现在的轻薄本）

和对功耗敏感的场景，LPDDR内存也已历经LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5、LPDDR5X，最新一代LPDDR5T等。

③ GDDR：图像存储

全称为Graphics Double Data Rate：专为图形处理单元（GPU）设计的DRAM类型，通过高频、高带宽特性满足实时渲染、AI计算等场景需求。与标准DDR和LPDDR形成差异化定位。主要用于显卡（如NVIDIA、AMD GPU）、游戏主机（如PlayStation/Xbox）及高性能计算领域。也是经历了GDDR1→GDDR6的迭代、目前已发至GDDR6X等。

④ HBM：高宽带内存

HBM全称为High Bandwidth Memory，高带宽内存，

一种基于3D堆叠技术，通过硅通孔 TSV 连接和 Wide I/O 接口（1024位或更宽）将多个（4-12层）的高性能DRAM垂直封装的内存芯片，专为满足高性能计算、人工智能、图实现数据高速、高宽带、低延迟传输。

与GDDR5相比：HBM显存位宽是GDDR5的四倍，达到了1024-bit;时钟频率为500MHz，远远小于GDDR5的1750MHz;显存带宽大于100GB/s，而GDDR5的一颗芯片为25GB/s;数据传输速率远高于GDDR5;芯片面积是GDDR5的1/13.

其核心优势：1）极致带宽： 远超 GDDR，得益于超宽总线。2）高能效比： 单位带宽功耗更低，传输距离短、电压低。3）小尺寸： 节省 PCB 空间。

核心劣势：1）极高成本： 复杂的制造和封装工艺；2）容量相对限制： 堆叠层数物理限制，目前主流 4-8层，12层在发展中。

演进与应用： HBM, HBM2/HBM2E, HBM3/HBM3E (主流/部署中)。高端GPU（如 NVIDIA H100, AMD MI300）、顶级 AI 训练/推理加速卡、高性能计算（HPC）系统、网络交换机 ASIC。

读写速度：SRAM> DDR > SDRAM > DRAM；NOR FLASH > NAND

集成度：DRAM、NAND FLASH较高，SRAM较低

3）ROM类（Mask ROM、PROM、EPROM、EEPROM）

ROM（Read-Only Memory）即只读存储器。ROM存储着系统最底层的、不可或缺的“基因”信息。它的发展史，就是一部从“真只读”到“可多次擦写”的进化史。

① PROM：一次编辑

全称Programmable Read-Only Memory，即可编程只读存储器，允许用户通过特殊编程设备将数据写入存储单元，一旦编程完成，内容变为只读。只能编程一次；通常用于存储不经常修改的程序代码或数据。

② EPROM：多次编辑

全称Erasable Programmable Read-Only Memory，即可擦除可编程只读存储器。允许用户根据需要多次修改和更新存储在其中的数据。

EPROM可以分为紫外线擦除EPROM（UV-EPROM）和电擦除EPROM（EEPROM）等类型。另外，通常将EEPROM单独分类，因此这里的EPROM主要指UV-EPROM。

③ EEPROM：电擦除编辑

全称Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，即电可擦除可编程只读存储器。是革命的进步！可电擦除并多次编程，EEPROM可以按字节进行修改，无需从主板上取下，使用方便灵活，擦写次数相对有限，常用于存储一些需要经常修改但又不频繁大量更新的配置信息，如电脑BIOS设置、家电的功能配置、AI硬件设备的密钥等

4）Flash类（ NAND、NOR FLASH）

FLASH类（NAND FLASH、NOR FLASH）即闪存，之所以叫闪存，主要是其插入和写入速度非常快，类似于光闪速度，而且断电后数据不消失。

FLASH实现了更高的集成度和更低的成本，Flash（闪存）可看作是EEPROM的“近亲”，成为了当今非易失性存储的绝对主流。

① NOR Flash：

采用并行结构，支持“按位随机读取”，读取速度快，可以直接运行代码（XiP, eXecute in Place）。但容量小密度较低（通常1MB-1GB），写入和擦除速度慢、高可靠、低延时、但成本高。

适用于存储代码和小量数据（≤1GB），对实时性、可靠性要求高的小容量存储场景中具有不可替代的优势，是嵌入式系统和物联网设备的重要存储选择，如嵌入式启动代码（BIOS/U-Boot、单片机快速期待、汽车启动、刹车等ECU系统、物联网设备存储的重要选择。

② NAND Flash：

采用串行结构，以“页”（通常4KB）为单位读写，“块”（128KB-4MB）为单位顺序访问擦除，读写速度和擦除速度都很快，尤其是写入速度远超NOR Flash，容量大密度极高（（GB-TB级）），成本低廉。但是其不支持随机运行代码，需要先加载到RAM中。

适用于大容量存储（如SSD、U盘、手机、云存储），需高密度、低成本和高速写入场景。

3、存储两大主流：DRAM与NAND

当前，存储芯片市场，DRAM与NAND是两大核心品类，两者份额合计超98%，其他类型存储芯片（如NOR Flash、SRAM）占比不足2%。

总结：DRAM，内存， 关心的是 “快” ，负责速度。它的角色是 “临时工”。DRAM 决定设备“运行速度”（多任务是否流畅）；

NAND ：闪存关心的是 “存” ，负责容量。它的角色是 “仓库管理员”。决定设备“能存多少东西”。

两者在存储层次结构中的互补，DRAM与CPU直接交互，提供高速访问，也暂存正在编辑临时数据，当你点击“保存”，数据才会从DRAM被写回到NAND 中进行永久存储。两者相互配合，共同构成了现代电子设备的存储体系。

二、发展历史溯源

存储芯片从早期的磁芯存储器到如今的3D NAND闪存和高带宽内存（HBM），其演进始终围绕提升容量、速度、能效和降低成本展开。

1、磁芯存储器时代（1948-1970）

1948年，美籍华人科学家王安在哈佛大学发明磁芯存储器，利用磁性材料的磁化方向存储二进制数据。其核心由直径1.5毫米的磁环和手工编织的导线构成，每个磁芯代表1位数据，存储密度极低（早期仅几百字节），但凭借非易失性和稳定性成为计算机主存的首选。

磁芯存储器主导了20世纪50-70年代的计算机市场，甚至支撑了阿波罗登月计划中的导航计算机。到1970年，IBM首次在大型机中采用半导体存储芯片，标志着磁芯时代的终结。

2、半导体存储的诞生与DRAM崛起（1966-1990）

1966年，罗伯特·登纳德提出“单晶体管+电容”结构的动态随机存取存储器（DRAM），通过电容充电状态表示数据，显著提升存储密度。1970年，英特尔推出全球首款商用DRAM芯片C1103，容量1Kb，售价10美元，首次实现单位比特成本低于磁芯存储器。1980年代日本厂商通过“VLSI联合研发体”项目实现技术超越，东芝于1985年推出1M DRAM，成为全球最大供应商。

SRAM无需刷新，速度快但成本高，主要用于CPU缓存。1969年，英特尔推出首款SRAM芯片C3101（64位），随后在1970年发布256位的C1101，奠定了高速缓存的基础。

3、非易失性存储的革命：从ROM到闪存（1956-2000）

（1）ROM与EPROM的演进

1956年，周文俊发明可编程只读存储器（PROM），允许一次性写入数据，用于军事领域。1971年，英特尔推出可擦除PROM（EPROM），通过紫外线照射擦除数据，灵活性大幅提升。

EEPROM的诞生：1972年，日本电工实验室开发电可擦除PROM（EEPROM），实现电信号擦写，但擦除速度较慢。

（2）闪存的诞生与商业化

1980年，东芝工程师舛冈富士雄发明闪存技术，其团队根据快速擦除特性将其命名为“Flash”。1987年，舛冈团队进一步开发NAND Flash，通过串行架构大幅提升存储密度，东芝于1989年正式量产。1997年，英特尔开发出多层单元（MLC）闪存，单芯片容量突破1Gb。

4、DDR与HBM技术的突破&迭代（2000-至今）

（1）DDR技术迭代：

2000年，DDR SDRAM（双倍速率同步动态内存）通过在时钟上升沿和下降沿传输数据，将带宽提升至SDRAM的2倍。随后DDR2（2003年）、DDR3（2007年）、DDR4（2014年）和DDR5（2020年）相继推出，预取位数从2bit提升至16bit，电压从2.5V降至1.1V，能效比显著优化。

（2）HBM的突破：

为应对AI和高性能计算的需求，2013年AMD与SK海力士合作开发HBM，通过3D堆叠技术将多芯片垂直互联，带宽达3TB/s（HBM3），是DDR5的30倍。2023年，SK海力士量产HBM3e，单芯片容量达24GB，被英伟达H200 GPU采用。

5、未来技术发展方向

存储技术的演进目标是：更快的速度、更大的容量、更低的功耗、更低的成本。

（1）新型非易失内存（NVM）：

这类技术旨在模糊RAM和ROM的界限，打造既能高速读写又能断电保存的“完美”存储器。PCRAM (相变内存)、RRAM (阻变内存)、MRAM (磁阻内存)：它们具有接近DRAM的速度、SRAM的静态特性、以及Flash的非易失性，读写功耗极低。目前已在一些特定领域（如工业、航空航天）开始应用，未来有望成为颠覆性的通用存储技术。

（2）3D堆叠技术：

无论是DRAM还是NAND Flash，都在向3D方向发展。通过向上堆叠层数来提升容量，而不是继续缩小平面工艺，这有效解决了物理极限问题。HBM（高带宽内存）和3D NAND就是最成功的代表。

2013年，三星推出首款V-NAND闪存，通过垂直堆叠存储单元突破平面工艺限制。截至2025年，长江存储实现232层3D NAND量产，单颗芯片容量达1Tb；SK海力士推出321层2Tb QLC闪存，计划2026年应用于AI数据中心。

（3）存算一体：CIM

存算一体：CIM，Computing-in-Memory，传统“冯·诺依曼架构”中，数据需要在CPU和存储器之间来回搬运，产生巨大功耗和延迟（称为“内存墙”）。存算一体技术旨在将计算单元嵌入存储器内部，直接在那里进行运算，极大提升能效比，适用于边缘计算和AI推理，以后再单独出一期讲解。

三、市场份额与竞对

1、全球市场

据CFM闪存市场统计，2024年全球存储芯片市场规模达1670亿美元，创历史新高。2025年预计突破1890亿美元，同比增长约13%（WSTS数据），在全球半导体市场占比超27%。

增长主要由AI服务器需求、数据中心扩容及消费电子回暖驱动，其中HBM（高带宽存储器）成为核心增长点，2025年HBM市场规模预计达214亿美元，占Dram市场28%。

2、中国市场

根据中研普华数据，2024年中国存储芯片市场规模4267亿元（约660亿美元），同比增长8%。

2025年预计突破4500亿元，增速约6%。国产替代加速，长江存储、长鑫存储等企业技术突破显著，但高端产品仍依赖进口。

3、竞争格局

（1）全球

Dram领域：三星、SK海力士、美光三巨头垄断超95%市场份额。2024年第四季度，三星营收占比37%，SK海力士35.8%，美光21.8%。

Nand Flash领域：三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据五家企业合计占据93%份额。2024年第四季度，三星营收占比32.5%，SK海力士19.5%，铠侠（前身是东芝存储器）17%，美光12.8%，西部数据10.8%。

在2025年一季度，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。

（2）国内

在存储芯片领域，中国厂商近年来也迅速崛起，在全球竞争格局中占据一席之地。长江存储(YMTC)、合肥长鑫(CXMT)等企业正奋起直追，通过巨额投资和技术创新，正逐步缩小与国际巨头的差距。

来觅研究院预计，2024 年长江存储全球市场占比约8%，合肥长鑫全球市场占比约 10%，与海外龙头仍然存在差距。国内企业正加大对技术研发的投入，特别是在高密度存储技术、低功耗技术以及存算一体融合上，取得了重要进展。

比如，国内长江存储232层3D Nand量产，良品率超95%；长鑫存储19nm DDR4良率超90%，LPDDR5产品通过验证。兆易创新Nor Flash全球市占率19.2%，排名第二；澜起科技DDR5内存接口芯片服务器领域市占率约38%。

高端市场依赖进口：HBM、企业级SSD等领域仍被国际巨头主导，2025年中国厂商HBM市占率仅9.2%。

四、产业链

存储芯片产业链上游：由设计工具、半导体材料、半导体设备构成 ; 中游：存储芯片的设计、晶圆制造、封测; 下游：为存储芯片的广泛应用，主要集中在3C电子、计算机、AI+、工控、物联网等领域。

1、上游：产业支撑

存储芯片的上游产业主要包括设计工具、半导体材料、半导体设备，这些是存储芯片生产的基础。

（1）EDA设计工具

EDA，即电子设计自动化，被誉为“芯片之母”，工具是存储芯片设计的核心，市场高度集中，主要由国际巨头如Synopsys、Cadence和Siemens EDA主导，合集市场高达70%，国产软件仅占5%，国产替代迫在眉睫。

据头豹预测，2025年中国EDA市场预计约为129亿元，国产化率较低，目前国内三剑客为：华大九天（绝对的第一）、概论电子、广立微。

另外，之前梳理过EDA行业，具体请翻看：西门子或断供！芯片之母：EDA行业解析（附细分标的）

（2）半导体材料：

半导体产业的核心基础材料，涵盖硅片、光刻胶、电子特气、靶材等多个品类，是芯片制造的核心材料。包含以下：

① 硅片：国产化率 8英寸约55%，12英寸约10%。其中，国际玩家有日本信越化学、胜高（SUMCO）、德国世创（Siltronic）等；国内玩家有沪硅产业、中环股份、立昂微等。

②光刻胶：国产化率整体约10%，G/I线光刻胶约30%，KRF光刻胶约10%，ARF光刻胶约2%，EUV光刻胶仍处研发阶段。其中，国际玩家有日本JSR、东京应化、美国陶氏化学等；国内是彤程新材、南大光电、晶瑞电材等。

③ 电子特气：国产化率：约15%。其中，国际玩家：美国空气化工、法国液化空气、日本大阳日酸等；国内玩家有华特气体、金宏气体、南大光电等。

④ 靶材：国产化率：约30%。其中，国内玩家：江丰电子、有研新材等。国际玩家有：日本日矿金属、美国霍尼韦尔等。

⑤ CMP抛光材料：国产化率：抛光液约30%，抛光垫约20%。其中，国际被美国陶氏化学、卡博特等垄断；国内玩家：安集科技、鼎龙股份等。

⑥ 湿电子化学品：国产化率：约30%。其中国内玩家有江化微、晶瑞电材、格林达等。国际头部是德国巴斯夫、美国霍尼韦尔等。

（3）半导体设备：

上游设备是存储芯片制造的核心和关键，也是我们卡脖最严重的环节。主要包括晶圆制造设备，如光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机CMP设备）和封测设备，如量测检测设备、划片机、分选机、探针台等。

比如，光刻机整体国产化率

由于之前梳理过半导体设备，这里只做简单介绍，具体请翻看：① 行业的基石！半导体8大设备：全解析（附全球Top10榜&细分标的）；② 人类科技之巅！光刻机--产业全解析（附产业链图谱&国内外龙头）

2. 中游：存储芯片设计与制造

中游环节是存储芯片的核心生产环节，主要包括存储芯片设计、晶圆制造 和 封装测试。

（1）技术与市场：

NAND Flash和DRAM占据存储芯片市场的主导地位，合计市场份额超过95%。全球存储芯片市场高度集中，三星电子、SK海力士、美光等国际巨头占据大部分市场份额。

DDR是DRAM的主要细分品类，目前从DDR1到DDR5演变看，DDR的能耗越来越低，传输速度越来越快、存储容量也越来越大。2024年，JEDEC开始着手研究下一代内存标准DDR6。

另外，3D DRAM是DRAM制程发展方向。NAND Flash技术正向3D结构演进（如3D NAND），存储密度和性能不断提升。

HBM是高带宽内存，是AI存储的热门和核心技术方向。HBM通过3D TSV堆叠和2.5D/3D垂直封装，将多个DDR芯片与GPU集成在一起，实现超高带宽、低功耗和大容量，用于大规模AI模型训练和推理。

（2）中国厂商的进展：

① 长江存储：专注于3D NAND Flash，已量产232层堆叠技术，并启动300层以上技术研发，逐步缩小与国际巨头的差距。

② 长鑫存储：专注于DRAM，技术快速迭代，正在追赶国际先进水平LPDDR5年内存芯片完成车规级认证。

③ 兆易创新：在NOR Flash领域表现突出，同时积极布局DRAM和NAND Flash。

3. 下游：应用领域

存储芯片的下游应用领域广泛，主要包括 消费电子、服务器、智能汽车、 工业控制 等。

（1）消费电子

智能手机、PC和平板电脑是存储芯片的主要应用领域，对存储容量和速度要求不断提升。随着5G技术的普及，消费电子设备对高速、低延迟存储芯片的需求增长。

（2）服务器与数据中心：

服务器存储芯片需求主要集中在高性能DRAM和大容量NAND Flash，用于云计算和大数据处理。数据中心IDC的快速扩张推动了企业级固态硬盘（eSSD）的市场需求。

（3）智能汽车：

智能驾驶技术的发展对存储芯片提出了更高要求，包括大容量、高稳定性和长寿命。存储芯片在车载信息娱乐系统、导航系统和辅助驾驶系统中发挥关键作用。

（4）工业与物联网：

工业控制和物联网设备对存储芯片的可靠性要求高，主要采用NOR Flash和小容量NAND Flash。

五、细分标的

以下为不完全列举：

（1）芯片设计

① 澜起科技：国际领先的数据处理及互联芯片设计公司，DDR5内存接口芯片技术全球标杆；

② 东芯股份：公司聚焦中小容量存储芯片设计公司，涵盖NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP等产品，广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备等领域；

③ 恒烁股份：是国内领先的Nor Flash存储芯片设计公司，产品覆盖从1MB到256MB的已进入小米、联想等终端品牌供应链；

④ 联芸科技：是国内存储主控芯片领域的核心龙头，专注于数据存储主控芯片和AIoT信号处理及传输芯片的设计，全球独立SSD主控芯片出货量排名前列。

（2）内存、闪存产品（含存储颗粒）

① 兆易创新：19nm DDR4芯片量产，NOR Flash全球第三，国内第一，国内32位MCU市场领导者，车规级MCU国内第二；

② 北京君正：通过收购美国ISSI，聚焦车载DRAM，SRAM，市场份额位居前列，产品广泛应用于特斯拉、理想等车企；

③ 东芯股份：国内SLC NAND Flash的龙头企业，聚焦中小容量存储芯片，DDR4产品应用于物联网及消费电子；

④ 紫光国微：在军工、航空航天等高端领域，紫光国微的特种集成电路产品覆盖微处理器、FPGA、存储器等700多个品种，技术门槛高且国产化率领先，设计SDR/DDR2/DDR3颗粒；

⑤ 朗科科技：国内移动存储设备龙头企业，也是全球闪存盘（U盘）的发明者，覆盖DDR4主流规格；

⑥ 普冉股份：中小容量NOR Flash存储器芯片龙头其核心产品NOR Flash基于SONOS工艺，以低功耗、高可靠性及高性价比著称，广泛应用于TWS耳机、物联网、汽车电子等领域；

⑦ 聚辰股份：全球第三大EEPROM芯片，公司EEPROM产品耐擦写次数达400万次，数据存储时间可达200年，同时，其与澜起科技合作开发的DDR5 SPD芯片；

⑧ 上海贝岭：在存储芯片领域是EEPROM细分领域的特色龙头，尤其在工业级、车规级EEPROM芯片市场具有较强竞争力全。

（3）芯片封装

① 深科技：国内存储封测龙头企业，是国内最大的独立Dram封测企业，为SK海力士等国际大厂提供专业的封测服务；

② 长电科技：全球第三大封测厂，晶圆级封装技术领先，承接长江存储80%订单；

③ 通富微电：全球第四大、中国第二大集成电路封测龙头企业，在先进封装技术领域处于国内领先水平，尤其在Chiplet、2.5D/3D封装等技术方面具有显著优势，独家量产FCBGA封装，支持16层NAND堆叠；

④ 太极实业：在半导体封装测试领域是国内龙头企业之一，尤其在DRAM芯片封装测试方面具有显著优势。其子公司海太半导体是国内唯一掌握17nm DRAM芯片凸块封装技术，与SK海力士深度合作；

⑤ 华海诚科：是半导体封装材料领域的龙头企业。通过收购衡所华威，华海诚科在半导体环氧塑封料领域的年产销量有望突破2.5万吨，稳居国内龙头地位，并跃居全球出货量第二位。

（4）存储模组

① 江波龙 ：国内第一的存储模组厂商，Lexar存储卡全球市占率第二，产品覆盖SSD、U盘及嵌入式存储；

② 佰维存储：聚焦嵌入式存储、AI端侧存储与高端模组，专注于半导体存储器的研发、封测及销售，尤其在智能穿戴、AI手机、AI PC等领域具有显著优势，为Meta、Google、小米等企业供应AI眼镜存储芯；

③ 德 明 利 ：国内少数掌握“晶圆采购-主控设计-固件开发-模组制造”全链条能力的厂商，覆盖固态硬盘（SSD）、嵌入式存储（eMMC/ufs）、移动存储（U盘/SD卡）及内存条等产品线。

（5）其它：内存分销代理

① 香农芯创：国内存储芯片代理分销领域的龙头企业，SK海力士、联发科核心代理商，分销DDR4/LPDDR4X芯片；

② 好上好 ：是电子元器件分销领域的细分龙头，尤其在存储芯片分销及物联网、汽车电子等新兴领域具有较强竞争力，代理兆易创新、江波龙等DRAM产品，分销DDR4芯片；

③ 盈方微 ：核心业务为电子元器件分销，产品涵盖存储芯片，代理分销SK海力士等品牌内存产品。

来源：全产业链研究一点号