厦门半导体申请多值RRAM读取电路及其读取方法专利,降低读取电路功耗

B站影视 电影资讯 2025-04-07 17:31 1

摘要:国家知识产权局信息显示,厦门半导体工业技术研发有限公司申请一项名为“多值RRAM读取电路及其读取方法”的专利,公开号CN 119763633 A,申请日期为2024年12月。

金融界2025年4月7日消息,国家知识产权局信息显示,厦门半导体工业技术研发有限公司申请一项名为“多值RRAM读取电路及其读取方法”的专利,公开号CN 119763633 A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本申请的实 施例提供了一种多值 RRAM读取电路及其读取方法。该多值RRAM读取电路包括:包括RRAM、晶体 管、比较器、编码器以及至少一D触发器;所述晶体管的源极与位线相连接,其栅极与字 线连接,其漏极与所述RRAM的一端相连接;所述RRAM的另一端 与所述比较器的负输入端连接,所述比较器的正输入端与所述 位线相连接;所述比较器的输出端与所述D触发器的输入端相 连接,所述D触发器的输出端与所述编码器的输入端相连接,所 述编码器用以将至少一所述D触发器所输出的信号转化为对应 的二进制数字信号并输出。本申请实施例的技术方案无需参考 单元和ADC即可读取多值RRAM所存储的信息,在减小读取电路 的版图面积的同时,也降低了其功耗。

天眼查资料显示,厦门半导体工业技术研发有限公司,成立于2019年,位于厦门市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本40996万人民币,实缴资本40996万人民币。通过天眼查大数据分析,厦门半导体工业技术研发有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息118条,此外企业还拥有行政许可6个。

来源:金融界

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