摘要：P（Passivation）：金属层与晶圆中器件之间的绝缘层/钝化层/介电层，有的地方这个P用的是PI（聚酰亚胺），也没问题，因为PI就是常用的绝缘层，也有的是用PBO（聚对苯撑苯并二噁）为绝缘层。
Bumping工艺中的1P1M，2P2M，3P3M指的是什麼？
M（Metal Layer）：每块基板中用于布线的金属层数量。
P（Passivation）：金属层与晶圆中器件之间的绝缘层/钝化层/介电层，有的地方这个P用的是PI（聚酰亚胺），也没问题，因为PI就是常用的绝缘层，也有的是用PBO（聚对苯撑苯并二噁）为绝缘层。
PMM/MPM：金属层与绝缘层（Passivation）的排列顺序（PMM = Passivation-Metal-Metal，MPM = Metal-Passivation-Metal）。
1P1M（单层钝化层 + 单层金属层）
定义与结构
1P一层钝化层（如聚酰亚胺或氧化硅），用于保护芯片表面免受外界污染，并提供绝缘。1M一层金属层（如铜或铝），作为信号传输的主要路径，通常与 UBM（Under Bump Metallurgy）结合形成凸块。典型工艺直接在晶圆原钝化层（Fab-Passivation）上沉积金属层，或先覆盖聚合物再钝化层（Polymeric Re-Passivation）后沉积金属。特点
优势成本低仅需一次光刻和金属沉积，工艺简单。轻量化结构薄，适合小型化封装。局限密度有限单层金属层难以实现复杂的重布线（RDL），I/O 密度较低。可靠性受限单一钝化层对热应力和机械应力的缓冲能力较弱。应用场景
消费电子手机、可穿戴设备的射频前端（RF）、PMIC（电源管理芯片），例如 WiFi 模块和音频编码器。低成本需求对信号传输速度和密度要求不高的传感器或存储芯片。当然，还有0P1M，0P2M的结构，图片来源Zhihu
2P2M（2层钝化层 + 2层金属层）
定义与结构
2P两层钝化层，通常底层为聚合物（如聚酰亚胺），顶层为无机材料（如氮化硅），增强绝缘和抗腐蚀能力。2M两层金属层，形成更复杂的 RDL 网络，可实现跨区域信号路由。典型工艺采用电镀铜 RDL，结合 UBM 和焊料帽（Solder Cap），支持更精细的线宽（如 15/15μm）。特点
优势高可靠性双层钝化层有效分散热应力，减少焊球开裂风险。中等密度双层金属层可实现更灵活的布线，支持中等 I/O 密度（如 50-100μm 节距）。局限成本较高需两次光刻和金属沉积，工艺复杂度提升。厚度增加双层结构可能影响封装的轻薄化。应用场景
汽车电子车载处理器、ADAS（高级驾驶辅助系统），需兼顾可靠性和中等性能。通信设备基站射频芯片、5G 模块，要求稳定的信号传输和抗干扰能力。存储芯片NAND Flash 和 DRAM 的多芯片堆叠（Multi-Stack），通过 RDL 重分布实现 SiP（系统级封装）。图片来源Zhihu
3P3M（三层钝化层 + 三层金属层）
定义与结构
3P三层钝化层，可能包含交替的有机和无机材料，进一步提升绝缘和抗冲击性。3M三层金属层，形成多层 RDL 网络，支持极细间距（如 30μm 以下）和三维互连。典型工艺结合铜柱凸块（Cu Pillar）和电镀技术，实现高密度垂直互连。特点
优势超高密度三层金属层可构建复杂的 3D 布线，支持 HBM（高带宽内存）和 Chiplet 间的高速通信（如 5Tbps/mm 带宽）。卓越可靠性多层钝化层有效缓冲热膨胀系数（CTE）差异，适用于高温环境。局限成本极高需多次光刻、电镀和检测，设备投入大。工艺难度大对对准精度和材料一致性要求苛刻。应用场景
AI 与高性能计算GPU、FPGA 和 AI 加速器，如英伟达 H100 采用 CoWoS 封装结合 3P3M 结构实现 Chiplet 互联。先进存储HBM3 通过多层 RDL 和微凸块（μBump）实现堆叠，带宽达 8.6Gbps 以上。高端通信数据中心交换机、光模块，需极低延迟和超高吞吐量。图片来源Casmeit
来源：卡比獸papa
