摘要：东微半导9月9日在互动平台回答投资者提问时表示，公司很早就已布局了SiC业务，以高性能电源应用方向为切入口，积极开展研发工作。公司的SiCMOSFET、Si2CMOSFET、SiCSBD已实现规模化量产，相关产品的性能指标和同类型竞品对比优势明显，第四代SiC

证券日报网讯 东微半导9月9日在互动平台回答投资者提问时表示，公司很早就已布局了SiC业务，以高性能电源应用方向为切入口，积极开展研发工作。公司的SiCMOSFET、Si2CMOSFET、SiCSBD已实现规模化量产，相关产品的性能指标和同类型竞品对比优势明显，第四代SiCMOSFET产品技术平台已完成研发。公司SiC产品已送样多个头部客户并designwin。未来随着高性能电源业务的进一步发展，有望为公司SiC业务提供持续推动力。

（编辑 任世碧）

来源：证券日报