摘要：日本芯片制造商Rapidus宣布，计划在本月内基于已安装的前端设备启动中试线，实现EUV机台的启用并继续引入其它设备，推进 2nm GAA先进制程技术的开发。

Rapidus计划本月内启动中试线。

日本芯片制造商Rapidus宣布，计划在本月内基于已安装的前端设备启动中试线，实现EUV机台的启用并继续引入其它设备，推进 2nm GAA先进制程技术的开发。

Rapidus 将在本财年（结束于明年三月底）内向先行客户发布2nm节点的 PDK（制程设计套件），为2027财年的中试线完成建设、测试芯片验证乃至最终量产做好准备。而在先进封装方面，该企业计划启动中试线项目，进一步开发所需的 RDL 重布线层、3D 封装技术、KGD筛选技术，并为客户构建封装组装设计套件ADK。

Rapidus是日本首家获得极紫外(EUV)光刻设备的半导体公司，并于2024年12月19日，在北海道千岁市的“IIM-1”芯片晶圆厂完成了ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机的交付与安装启动。当时，Rapidus东哲郎指出，除EUV光刻设备之外，还有200余台设备将陆续运抵，所有设备预计将在2025年3月底前到位，随后将在2025年4月启动实际生产2纳米半导体的试产线。

按照Rapidus的规划，完成试产后，Rapidus目标是到2027年4月实现2nm工艺的量产。此前Rapidus透露，正同40多家潜在客户进行谈判。据悉，为了掌握2纳米工艺技术，Rapidus已经派遣了约100名工程师前往IBM的美国纽约州奥尔巴尼纳米技术中心进行学习和培训。Rapidus还计划在未来进一步增加派遣人数，以确保其工程师团队能够全面掌握所需的技术技能。

就在昨日，日本经济产业省宣布，将向芯片制造商Rapidus追加最高8025亿日元的额外补贴，以支持其先进半导体制造项目。

据相关报道，此次追加的委托费主要是供Rapidus采购用来试制半导体的生产设备以及开发生产管理系统等。委托费已在2024年度补充预算中得到确保。估计资金来源于新冠疫情期间为支援中小企业而积累的基金的余额等。此次追加的8025亿日元中，6755亿日元将用于支持芯片制造的前道工序环节，另外1270亿日元将用于支持包括芯片封装和测试在内的后道工序环节。

至此，日本政府对Rapidus的累计支持金额将达到约1.72万亿日元。

除了提供补贴，日本经济产业省还将讨论通过政府机构向Rapidus出资1000亿日元。正在召开的通常国会正在审议有关Rapidus支援的相关法案。如果法案获得通过，最早有可能在2025年下半年进行出资。对于金融机构的贷款，也将提供债务担保。

据了解，截至3月底，Rapidus北海道千岁市的工厂已运入200多台极紫外（EUV）光刻设备等最尖端半导体生产所需的设备。日本经济产业省的信息产业课长金指寿表示，工厂将以150人的规模在4月份正式启动试产线，“将在初夏时节造出第一批试制品”。

此前，Rapidus的社长小池淳义在接受采访时表示，“到7月中旬之前，将向客户提供半导体设计所需的试制品的数据”，显示出争取客户的意愿。他表示“首先力争使半导体制造的良品率达到50%，最终达到80~90%”。

根据Rapidus的估算显示，2纳米芯片的试制需要2万亿日元资金，实现量产之前总共需要5万亿日元资金。该公司在2022~2024年度获得了9200亿日元的支持。加上此次日本经济产业省的支持，总额达到1.7225万亿日元，试制生产线所需的约2万亿日元资金已有眉目。但如果要在2027年开始量产，还需要再筹集3万亿日元规模的资金，目前来自国家的支持进展顺利，因此今后必须要吸引民间资金来推进开发。

值得注意的是，截至试制阶段的支援的定位是新能源产业技术综合开发机构（NEDO）委托Rapidus进行研发，在进入量产的阶段，需要从NEDO接收工厂和设备等资产。因此， Rapidus不能只依靠国家资金。但是，目前民间出资仅为73亿日元，由丰田、NTT和索尼集团等8家企业出资。为了今后争取融资，Rapidus必须通过试制品展示实绩。

据悉，Rapidus计划在2025年下半年进一步筹集1000亿日元。除了8家现有股东的追加出资外，富士通等企业也表现出出资的意向。未来还将与IT等领域的有可能运用2纳米芯片的日本国内企业进行谈判。各家企业的具体出资金额和时间将在未来确定。

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来源：半导体产业纵横一点号