摘要：紫光闪存（UNIS FLASH MEMORY）在上周末宣布推出两款PCIe 5.0 SSD，有趣的是这两款型号均符合“满速PCIe 5.0 x4”设计，标配版本的S5在性能指标上甚至超过了高配的S5 Ultra。

紫光闪存（UNIS FLASH MEMORY）在上周末宣布推出两款PCIe 5.0 SSD，有趣的是这两款型号均符合“满速PCIe 5.0 x4”设计，标配版本的S5在性能指标上甚至超过了高配的S5 Ultra。

标配性能强，高配制程新：

根据公开信息，标配的紫光闪存S5为单面PCB设计，主控使用12纳米工艺制造，DRAMLess无缓存方案，顺序读写速度14900/12900 MB/s，4K随机读写1800K/1700K IOPS。而高配版的紫光闪存S5 Ultra使用双面PCB设计，主控使用6纳米工艺制造，配备DRAM缓存，顺序读写速度14200/13400 MB/s，4K随机读写1700K/1600K IOPS。

当然，S5只是纸面性能数据超越了S5 Ultra，后者具备DRAM缓存，在实际使用中的表现会更强。

很可能使用了不同主控供应商：

这种“以下犯上”的现象通常和使用了不同的主控方案有关。紫光闪存没有公开主控的详细型号，但从6纳米工艺以及读写性能指标，基本能够推断出高配S5 Ultra使用了慧荣SM2508主控，该主控方案在今年新推出的PCIe 5.0 SSD中得到了广泛的应用，具备较为出色的低功耗表现。而标配版S5使用的12纳米DRAMLess主控则比较有趣，它的性能指标比SM2508更强，基本可以排除慧荣和群联这两家，那么最有可能的就是联芸的方案。

联芸在PCIe 5.0接口上布局了两款主控产品，分别是MAP1802和MAP1806，两款主控都是DRAMLess无缓存设计，并且都支持PCIe 5.0 x4满速读取，不同之处在于MAP1802支持更高的4800MT/s闪存接口，应该是4通道设计，搭配当前3600MT/s的闪存还达不到满速需求。所以紫光闪存S5很可能使用了8通道设计的MAP1806，属于适应当前闪存发展水平的一个过渡性满速方案。当然以上这些都是PCEVA评测室的推测，具体主控和闪存信息还需要等紫光闪存S5上市后才能揭晓。

来源：小英议科技