摘要：金融界 2025 年 3 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构”的专利，授权公告号 CN 222690682 U，申请日期为 2024 年 5 月。

金融界 2025 年 3 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司取得一项名为“一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构”的专利，授权公告号 CN 222690682 U，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本申请提供了一种功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构，包括封装基板、堆叠芯片和焊线，多个所述堆叠芯片堆叠于所述封装基板上，所述堆叠芯片上开设有接线孔。两个互相相邻的所述堆叠芯片之间设有焊线，所述焊线一端设于一个所述堆叠芯片的所述接线孔内，所述焊线另一端设于与所述堆叠芯片相邻的另一个所述堆叠芯片上的所述接线孔内。上述提供的功率器件 MOS 堆叠封装 Bumpless 引线键合结构通过在堆叠芯片上设置了接线孔，通过将焊线接于接线孔中，从而使焊线的焊接点位于芯片内，从而减小凸点对芯片之间间隙的干扰，也使焊线在设置时能够更加靠近芯片设置，减小整个芯片封装的体积。

天眼查资料显示，深圳市金易微半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本660万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市金易微半导体有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界