mosfetleakage

MOSFET leakage current mechanism-沟道穿通效应-punch through

Punch through 是半导体器件中一种不良效应，特别是在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，当源极和漏极的耗尽区合并时，会在它们之间形成一条直接的电流路径。这种现象即使在晶体管本应处于“关闭”状态时也会发生。