被英特尔诅咒了存储巨头
目前有两家公司高度专注于 DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和SK 海力士。两家公司都在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方式，在两个市场中保持着各自的定位，期间既有失误，也有灵光乍现。
sk
2025年半程已过，全球芯片巨头TOP10新座次如何？
全球芯片行业在2024年经历了显著的市场变动，根据Omdia最新发布的排名，行业格局迎来了新的篇章。在这一年里，英伟达凭借其在人工智能芯片领域的卓越成就，成功登顶全球芯片公司榜首，这一变化标志着AI技术的快速发展对半导体行业产生的深远影响。
全球芯片巨头TOP10，最新出炉
此次选取的公司参照去年第二季度WSTS公布的半导体厂商排行TOP15 公司，分别为英伟达、三星、博通、英特尔、SK海力士、高通、美光、AMD、英飞凌、联发科、TI、ST、恩智浦、铠侠、亚德诺。
全球芯片巨头TOP10，最新出炉！
此次选取的公司参照去年第二季度WSTS公布的半导体厂商排行TOP15 公司，分别为英伟达、三星、博通、英特尔、SK海力士、高通、美光、AMD、英飞凌、联发科、TI、ST、恩智浦、铠侠、亚德诺。
存储双雄，分岔路口
目前有两家公司高度专注于DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和SK 海力士。两家公司都在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方式，在两个市场中保持着各自的定位，期间既有失误，也有灵光乍现。
SK Ecoplante将合并4家材料公司，加强半导体价值链
SK Ecoplante 于 13 日宣布，将合并 SK 集团旗下独立法人 SK Materials 旗下的子公司K Trichem、SK Resonanx、SK Materials JNC 和 SK Materials Performance 等共四家材料公
半导体 sk ecoplante skecoplante 价 2025-05-13 17:38 2
联合 HLDS 打造，SK 海力士 Gold P42、Silver S32 SSD 在韩上市
SK 海力士与消费级 SSD 合作伙伴 HLDS 日立乐金数据储存公司联手，在韩国市场推出了同时印有 SK 海力士和 HLDS 旗下品牌 Super Multi 商标的两款存储产品。
SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势，与三星在存储器市场的差距迅速缩小
凭借适用于人工智能（AI）应用的高附加值存储器销售额大幅增长，过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现，这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说，几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So
SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势，与三星在存储器市场的差距正迅速缩小
凭借适用于人工智能（AI）应用的高附加值存储器销售额大幅增长，过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现，这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说，几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So
SK海力士开始量产全球首款321层NAND闪存
SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D NAND闪存。自去年6月以来，SK海力士首次推出了世界最高的238层NAND，这一次，SK海力士找到了堆叠技术的突破口，成为世界上第一家拥有300层以上N
SK海力士宣布量产321层NAND闪存，明年上半年发货
SK海力士的321层NAND闪存采用了“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士还使用与其前
SK海力士开始量产业界领先的321层NAND闪存
SK海力士于11月宣布1月21日，全球最高321层1Tb三级单元(TLC)4DNAND闪存开始量产。这一里程碑使SK海力士成为NAND闪存行业第一家开始量产超过300层产品的公司，标志着重大的技术进步。
AI芯天下丨SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
韩国首尔，2024年11月21日– SK海力士（或‘公司’，）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
SK海力士量产全球首款321层堆叠3D闪存，Win 11 LTSC推热补丁功能
SK海力士刚刚宣布开始批量生产全球首款321层堆叠3D TLC闪存。去年6月SK海力士以238层堆叠成为当时最高堆叠层数的3D闪存，新宣布的321层堆叠3D TLC闪存的单die容量依然是1Tb，这是为了照顾小容量设备的并发读写性能。由于堆叠层数更高芯片尺寸更
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
·开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应· 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升· “加强AI领域存储竞争实力，跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’”
SK海力士量产321层顶级闪存，性能飙升13%！
SK海力士公司近期宣布，其全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存已成功进入量产阶段。这款闪存不仅在存储层级上达到了前所未有的高度，还在性能上实现了显著提升。
SK海力士引领科技新高度，321层NAND闪存量产开启存储新篇章
据悉，自2023年6月成功量产238层NAND闪存以来，SK海力士持续引领存储技术的前沿发展。此次推出的321层NAND闪存，不仅标志着技术层面的飞跃，更是全球首次实现超过300层堆叠的NAND闪存大规模生产。
SK海力士开始量产全球首个321层NAND闪存芯片
NAND闪存是一种非易失性存储介质，广泛用于存储卡、USB驱动器、固态驱动器（SSDs）和智能手机中，用于一般存储和传输数据。它垂直堆叠存储单元，分为单层、多层、三层和四层存储单元。
全球首款、突破300层！SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。