SK海力士：4F2 VG和3D DRAM技术将应用于10nm及以下级内存

摘要：2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。

IT之家 6 月 10 日消息，2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。

2VG 平台和 3D DRAM 技术应用于 10nm 或以下级内存，并在结构、材料和组件方面进行创新。4F2VG 将传统 DRAM 中的平面栅极结构调整为垂直方向，可最大限度减少单一数据存储单元的面积占用，同时有助于实现高集成度、高速度和低功耗。在 4F2VG DRAM 中将以类似 NAND 闪存的方式使用混合键合技术。

Cha Seon Yong 认为，尽管业界有声音认为 3D DRAM 的堆叠层数增加意味着成本上升，但这一问题可同通过不断的技术创新来解决。

来源：IT之家一点号

标签：海力士 dram sk vg 3ddram

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