摘要：受惠AI推动，高带宽内存（HBM）需求强劲，带动SK海力士（SK Hynix）营业利益率持续改善，并于2025年第1季在DRAM营收上首度超越三星电子（Samsung Electronics），改写长年以来由三星领先的市场格局，凸显AI对内存市场竞争重塑的影响

受惠AI推动，高带宽内存（HBM）需求强劲，带动SK海力士（SK Hynix）营业利益率持续改善，并于2025年第1季在DRAM营收上首度超越三星电子（Samsung Electronics），改写长年以来由三星领先的市场格局，凸显AI对内存市场竞争重塑的影响力。

AI应用快速成长，推升HBM及新存储模组需求，小型压缩附加存储模组（Small Outline Compression Attached Memory Module，SOCAMM）备受关注。

随着固态技术协会（JEDEC）发布HBM4标准，三大原厂的技术竞争，将延续至下一世代。未来HBM将与逻辑芯片（logic die）进行整合，与晶圆代工伙伴密切配合。

SK海力士与美光将与台积电密切合作，三星则倾向采一站式解决方案，并以先进制程与新封装技术因应市场需求，只是量产良率与技术验证还存在担忧。除HBM外，厂商积极开发SOCAMM等高效能存储模组，支持AI运算。

SOCAMM是一种新型模组化运算平台标准，主要针对AI边缘运算、工业电脑（IPC）和嵌入式系统等领域所设计。

美光已率先量产SOCAMM，SK海力士处于样品阶段，由于SOCAMM可能搭载于英伟达下世代云端AI服务器芯片，原厂们都在积极推进。

地缘政治风险成为存储产业重大变数。美光因美国政策积极扩张本土产能，预估未来美国境内产DRAM将占整体产能约四成；SK海力士也计划在美国设立HBM封装厂。

三星目前在美国没有生产基地，位于德州的新建晶圆代工厂，具备导入相关产线的潜力。

存储产品作为AI运算不可或缺的核心元件，美国政策导向与本地化趋势，将是三大原厂无法回避的重要问题。

据相关数据显示，SK海力士计划将年度设备投资（CAPEX）预算在原有基础上增加30%。该芯片制造商原本计划今年投资22万亿韩元用于扩建设施，但这一数字已提升至29万亿韩元。

SK海力士此前表示，其投资策略将专注于那些已经确保盈利的产品。公司正将M10晶圆厂的部分产能（主要生产传统节点产品）转换为HBM工艺。同时，SK海力士也涉足图像传感器业务，其员工已转向从事AI内存业务。

与此同时，SK海力士正积极推进位于忠清北道清州市的M15X新HBM工厂建设，并已着手扩充其员工团队。预计EUV设备亦将不久后在该工厂安装。

据传，该科技巨头正与英伟达合作，对其HBM3E进行最终的质量测试，一旦通过认证，便有望开始提升出货量。这一决策的背后，是全球科技巨头对HBM需求的激增，英伟达、博通等企业抛出的大规模订单，成为推动此次投资计划调整的关键因素。

清州M15X工厂是SK海力士新建的DRAM生产基地，承载着公司在高端存储领域的战略布局。这一投资计划的调整，核心目标在于满足全球科技巨头对HBM的紧急需求。

据悉，自今年起，SK海力士已开始向博通大规模供应HBM，而英伟达也对其提出提前交付相关产品的要求。作为HBM市场的最大受益者，SK海力士正在积极准备迎接下一代HBM的到来，不仅包括HBM4的量产，还包括组织架构的重大调整。

鉴于产品技术复杂性的提升，SK海力士认为单一的整合体系已不足以应对挑战，因此决定将HBM开发组织划分为定制化（C-HBM）和标准化（S-HBM）两个独立的体系。

这一战略旨在通过差异化布局，既满足英伟达等核心客户对高性能的需求，又抢占快速增长的通用HBM市场，巩固其在AI存储器领域的领导地位。

随着AI市场从训练阶段向多种应用的推理阶段过渡，市场对定制化HBM的需求日益增长，分析人士预测，两年后将迎来定制HBM时代。

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来源：小萱科技观