机构：2025年HBM出货，预计增70%
预计到2025年，DRAM和NAND市场将显著增长，尤其是HBM需求激增将重塑DRAM市场格局，但可能导致NAND市场投资减少和供应瓶颈。
nand
NAND闪存市场遇冷，美光减产应对，铠侠却逆势扩产？
近期，NAND闪存行业巨头美光公司宣布了一项重大决策，旨在应对市场需求疲软和价格持续下滑的现状。为了调节市场供给，美光计划将其NAND晶圆产量削减10%，期望此举能够有效提振市场需求。
需求疲软价格持续下跌：NAND大厂又要减产了！
面对市场需求疲软和价格持续下跌的压力，NAND闪存大厂美光将减少10%的NAND晶圆产量，以调控供给量，期望借此提振市场需求。
需求疲软价格持续下跌：NAND闪存大厂美光减产10%！
面对市场需求疲软和价格持续下跌的压力，NAND闪存大厂美光将减少10%的NAND晶圆产量，以调控供给量，期望借此提振市场需求。
联和存储申请 NAND 闪存存储装置及电子设备专利，能够在既定的面积内提升电容器的静电容量
金融界 2024 年 12 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“NAND 闪存存储装置及电子设备”的专利，公开号 CN 119173038 A，申请日期为 2024 年 11 月。
美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓
根据美光方面刊发的 2025 财年第一财季（截至 2024 年 11 月 28 日）财报电话会议文稿，美光高管确认该企业在闪存市场需求放缓的背景下将其 NAND 晶圆启动率较此前水平下调 10% 并减慢制程节点转移。
机构：存储器市场预计在2025年将实现显著增长
咨询机构TechInsights预计，存储器市场，包括DRAM和NAND在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。
存储芯片大厂铠侠说，不再参与NAND全球盖楼大赛，你咋看？
12月18日，全球存储芯片著名厂商铠侠控股(Kioxia Holdings)在东京证券交易所最高一级的PRIME市场挂牌上市。
中国芯突破重围：逻辑芯片、NAND闪存、DRAM内存全面超越美国封锁
近年来，中国芯的崛起成为了全球科技领域的热门话题。面对美国的技术封锁和市场压力，中国芯片产业不仅没有退缩，反而迎难而上，不断突破技术瓶颈，实现了逻辑芯片、NAND闪存、DRAM内存等关键领域的全面超越。这一成就不仅让国人倍感振奋，也让全球科技界刮目相看。那么，
中国逻辑芯片、NAND闪存，DRAM内存，全部突破美国封锁层
一是锁死逻辑芯片在14nm，二是锁死NAND闪存在128层，三是锁死DRAM内存在18nm，不允许中国的技术进入美国的封锁层之下。
便携式固态硬盘市场调研报告-发展趋势、机遇及竞争分析
由于游戏、内容创建和专业用途等数据密集型应用对高速、可靠存储解决方案的需求日益增长，便携式固态硬盘（SSD）市场正在经历大幅增长。与传统硬盘（HDD）相比，便携式固态硬盘具有多项优势，包括更快的数据传输速度、更低的功耗和更高的耐用性。
铠侠敦促贝恩资本和东芝出售持股，力争在三年内将AI NAND闪存市场份额翻倍
经过了数年的拉扯，铠侠（KIOXIA）终于在2024年12月18日在东京证券交易所正式挂牌上市，这也是日本今年最大的一起首次公开募股（IPO）。铠侠上市后，两大股东贝恩资本和东芝都打算逐步减少持股比例，以回收资金。
苏州元脑智能取得一种固态硬盘调试板专利，可调试不同厂商、不同型号NAND Flash
国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司取得一项名为“一种固态硬盘调试板”的专利，授权公告号 CN 222167587 U，申请日期为2024年4月。
闪存面世40周年：创新与变革之旅
1984年12月，在IEEE集成电子器件会议上，桀冈富士雄（Fujio Masuoka）公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术：闪存。40年后的今天，闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程，对于闪存技
【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识
非易失性存储器芯片在断电后亦能持续保存代码及数据，分为闪型存储器 （Flash Memory）与只读存储器（Read-OnlyMemory），其中闪型存储器是主流，而闪型存储器又主要是NAND Flash 和NOR Flash。
“技术瘦身”藏智慧，长存160层闪存显国产辉煌！
在这个科技飞速发展的时代，我们每天都在见证着新技术的诞生和旧技术的淘汰。然而，有时候，一些看似“技术倒退”的现象，却隐藏着不为人知的秘密和深远的意义。今天，我就要给大家讲述一个关于中国存储芯片企业长存的故事，一个关于“技术瘦身”背后国产供应链胜利的故事。
深圳市芯存科技取得 SPI NAND 闪存的寿命预测方法、装置、设备及存储介质专利
金融界 2024 年 12 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市芯存科技有限公司取得一项名为“SPI NAND 闪存的寿命预测方法、装置、设备及存储介质”的专利，授权公告号 CN 118643280 B，申请日期为 2024 年 8 月 。
联和存储科技取得在NAND闪存中烧录文件系统的专利
国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“在NAND闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质”的专利，授权公告号 CN 118069167 B，申请日期为 2024年2月。
跨国计算机存储大厂铠侠公司
**NAND闪存技术**：作为NAND闪存的发明者之一，铠侠在闪存技术领域拥有深厚的技术积累和丰富的经验 。其研发和生产的闪存颗粒被广泛应用于各种存储产品中，从固态硬盘、存储卡到U盘等.
400层NAND大飞跃！存储新技术量产在即，生活将迎巨变！
各位乡亲们，今儿咱们得聊聊一件大事儿，一件跟咱们日常生活息息相关，却又常常被咱们忽略的大事儿——存储技术！你们知道吗？最近有个叫400层NAND的技术，已经完成了开发，正准备量产呢！这事儿，对于咱们普通人来说，可能听起来有点陌生，但我要告诉你们，这技术一旦普及