东芯股份股价微跌0.54% 公司称存储芯片国产替代加速推进
截至2025年5月13日15时，东芯股份股价报33.12元，较前一交易日下跌0.54%，成交额2.70亿元。
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存储双雄，分岔路口
目前有两家公司高度专注于DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和SK 海力士。两家公司都在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方式，在两个市场中保持着各自的定位，期间既有失误，也有灵光乍现。
朗姆研究公司取得针对 3D NAND 集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜专利
金融界 2025 年 5 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司取得一项名为“针对 3D NAND 集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜”的专利，授权公告号 CN113302716B，申请日期为 2019 年 10 月。
固态硬盘（SSD）到底是怎么工作的？
SSD三个核心组件为NAND闪存，Controller及固件，NAND闪存负责数据的存储，Controller与固件协同合作完成数据的读写，维护SSD的性能和延长使用寿命。部分固态还会带有缓存芯片，具体组件的分布情况以（图1）三星固态工作原理图为例。
硬盘 ssd nand 固件 controller 2025-05-12 18:05 3
存储芯片价格普涨，三星等巨头如何应对市场需求激增？
近期，存储芯片市场迎来了一波价格调整的风潮。据悉，三星电子在本月早些时候与多家核心客户就提升DRAM等存储产品价格达成了一致意见。据内部消息透露，SK海力士紧随其后，对其DRAM产品价格进行了上调，调整幅度高达12%。
SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势，与三星在存储器市场的差距迅速缩小
凭借适用于人工智能（AI）应用的高附加值存储器销售额大幅增长，过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现，这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说，几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So
SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势，与三星在存储器市场的差距正迅速缩小
凭借适用于人工智能（AI）应用的高附加值存储器销售额大幅增长，过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现，这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说，几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So
SK海力士正在NAND闪存领域获得技术优势 觊觎三星的主导地位
根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能，这要归功
TrendForce：NAND产业2024Q3营收176亿美元，环比增长4.8%
行业分析机构 TrendForce 集邦咨询今日表示，NAND 闪存产业在今年三季度整体实现 176 亿美元营收，出现 4.8% 环比增长；对比 2023 年三季度数据，同比大增 90.8%。
nand 营收 trendforce 2024-11-27 16:34 1
继DRAM及HBM后，三星NAND Flash也受SK海力士威胁
内存大厂SK海力士宣布推出首款321层堆栈NAND Flash闪存产品，直接威胁竞争对手三星电子地位。三星不但高带宽内存（HBM）和DRAM被超越，NAND Flash堆栈层数竞争也失去领先地位，劣势蔓延至各内存产品。
机构：三季度NAND Flash营收季增4.8% 企业级SSD需求强劲
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NAND Flash价格走势在
NAND Flash产业三季度营收增长4.8%：企业级SSD需求旺盛，消费性市场复苏乏力
根据全球高科技产业研究机构TrendForce集邦咨询的最新调查报告，2024年第三季度NAND Flash产业在出货量位元季减2%的背景下，凭借平均销售单价（ASP）7%的涨幅，实现了整体营收176亿美元，环比增长4.8%的佳绩。
三季度全球NAND Flash厂商营收排行：三星位居第一
TrendForce集邦咨询最新调研显示，2024年第三季度NAND Flash产业出货量环比下滑2%，而平均售价（ASP）上扬7%，促使产业总收入攀升至176亿美元，环比增长4.8%。
机构：3Q24 NAND Flash营收季增4.8% 企业级SSD需求强劲
【机构：3Q24 NAND Flash营收季增4.8% 企业级SSD需求强劲】《科创板日报》27日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达17
兆易创新取得一项NAND闪存芯片专利
国家知识产权局信息显示，兆易创新科技集团股份有限公司取得一项名为“一种NAND闪存芯片”的专利，授权公告号CN 108665930 B，申请日期为2017年4月。
2025 IEEE ISSCC学术会议日程公布，三星将介绍4XX层3D NAND
ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。
JEDEC带来增强型NAND闪存接口标准：将进一步提升速度和效率
JEDEC固态存储协会宣布，推出JESD230G：NAND闪存接口互操作性标准。其引入了4800 MT/s的速率，相比于2011年发布的第一版JESD230的400 MT/s有了极大的速度提升。新标准还增加了一个单独的命令/地址总线协议（SCA），允许主机和
SK海力士量产321层1TB TLC NAND闪存 明年上半年上市
SK海力士宣布已经量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。
SK海力士开始量产全球首款321层NAND闪存
SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D NAND闪存。自去年6月以来，SK海力士首次推出了世界最高的238层NAND，这一次，SK海力士找到了堆叠技术的突破口，成为世界上第一家拥有300层以上N
SK海力士量产321层1Tb TCL 4D NAND闪存，计划2025H1开始供应
SK海力士宣布，量产全球最高的321层1Tb TCL 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。