虽获得长江存储专利，但太难了，三星暂缓430层NAND芯片研发
所以也就有了64层NAND 闪存，128层，252层，300层，430层等等，层数越高，代表着芯片越先进，就像房子一样，层数越高，住的人越多，存储密度就越大。
nand
中国存储双雄出货量大增，预计第三季度跻身世界第一梯队
2025年第一季度，中国存储双雄——长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）季度营收首次同时突破10亿美元大关。长鑫存储在DRAM领域以4.1%的市占率位列全球第四，长江存储在NAND领域以8.1%的市占率排名第六，首次双双进入官方统计榜单。
韩企接到白宫通知，美设备禁入在华工厂，美发起对华稀土终极一击
6月22日，根据国内媒体援引《华尔街日报》报道，美国准备通过对日韩等盟友下手，计划砍掉三星、海力士和台积电等芯片企业、往中国工厂输入美国技术和设备的豁免权，同时也彻底杜绝第三国企业向中国转口贸易的路子。
消息称三星积极推动NAND工艺向V9转换，但V10量产节奏放缓
韩媒 sisajournal-e 当地时间昨日报道称，三星电子正积极推进现有较旧 NAND 闪存生产设施向目前最先进的第九代 V-NAND（IT之家注：286 层）转换。
国内存储双雄崛起，长鑫和长存季度营收双双突破10亿美元大关
在 2025 年第一季度，全球存储市场传来令人振奋的消息：中国的长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）季度营收均突破 10 亿美元大关。这一里程碑式的成就，标志着国内存储企业在全球舞台上正逐步崭露头角，打破了长期以来由国际巨头主导的市场格局。
湖南斯北图申请NAND FLASH存储阵列的数据处理方法及系统专利，全面提升了载存储的性能
国家知识产权局信息显示，湖南斯北图科技有限公司申请一项名为“一种NAND FLASH存储阵列的数据处理方法及系统”的专利，公开号CN120122881A，申请日期为2025年02月。
LG伊诺特取得用于控制NAND快闪存储器器件的装置及其控制方法专利
国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司取得一项名为“用于控制NAND快闪存储器器件的装置及其控制方法”的专利，授权公告号CN114830239B，申请日期为2020年10月。
Kioxia的NAND战略，将如何演变？
铠侠控股（以下简称铠侠HD）于2025年6月5日召开经营方针说明会，公司执行副总裁兼首席执行官太田宏夫介绍了旗舰产品BiCS FLASH的发展路线图和关键技术，以及目前正在开发的新型内存解决方案。
美光突“翻供”阻断长江存储获取技术文件，中美博弈再添新战场！
美国芯片巨头美光科技（Micron）与中国长江存储（YMTC）的专利纠纷近日迎来戏剧性转折。这家全球存储芯片巨头以“国家安全”为由，向美国最高法院申请推翻下级法院的裁定，试图阻止长江存储获取其73页3D NAND技术机密文档。这一举动不仅打破了双方此前达成的保
铠侠计划2029年将NAND闪存产量翻倍
日本NAND闪存制造商铠侠正筹备大规模产能扩张，该公司宣布了一项计划，拟在2029财年前将闪存产量翻倍，以满足人工智能等领域日益增长的需求。
美光拒提供73页文件给长江存储 祭出国家安全大旗 申请撤销法院命令
长江存储与美光之间的纠纷始于2023年11月，当时长江存储在美国起诉美光，称其侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
美光质疑法庭判决，以国家安全为由拒绝长江存储访问技术文档
2023年11月，长江存储（YMTC）在美国加州北部地区的地方法院向美光提起诉讼，指控对方侵犯其8项专利与3D NAND闪存的专利。随后指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁Roslyn Layton散布虚假信息，试图破坏长江存储的
美国芯片封锁彻底破产？中国三大领域全线突围
这几年，美国对中国芯片产业的打压可谓花样百出。拉上日本、荷兰这些半导体设备强国，从设备到技术全面围堵，目标直指三个关键领域：逻辑芯片、DRAM内存和NAND闪存。
美国想要锁死的三大芯片工艺，全被中国突破了
为了达到这三个目标，美国限制住了先进工艺的设备，比如光刻机、清洗设备、离子注入机等，不允许美国、日本、荷兰等的这些厂商，卖给中国。
涨幅超2000%？这9家公司一季度业绩大爆发，背后藏着什么信号
自从AI大模型、智能终端、边缘计算开始卷性能之后，全球对存储产品的需求就进入了“又大又快”的新阶段。说白了，过去存点照片，现在得存大模型权重，存储芯片的性能要求不一样了。
SSD固态硬盘寿命知道很短吗？
要了解SSD固态硬盘寿命，需要先了解一下SSD固态硬盘中的存储介质NAND闪存。NAND闪存原理上是一个CMOS管，有两个栅极，一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷，而浮栅与沟道之间的
铠侠计划五年内将产量翻一番 以满足AI数据中心对NAND需求
日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）公布其中长期业务计划，旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂——四日市工厂和北上工厂——的生产线，到2029财年将产能较2024财年翻一番，以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。此外，铠侠计划于2026年下半年
长江存储申请存储控制器操作方法等相关专利，改善搜索调节NAND闪存总线信号质量控制参数所需时间较长问题
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统”的专利，公开号CN120112896A，申请日期为2023年08月。
铠侠加速AI时代布局，XL-FLASH SSD预计明年出样，性能飙升至10M IOPS
NAND闪存领域的领军企业铠侠KIOXIA，在近期举行的公司战略会议上，公布了其面向人工智能（AI）时代的长期发展蓝图。该战略聚焦于满足AI应用对存储速度及性能的极致需求，其中一项关键举措是开发一款专为AI设计的固态硬盘（SSD）。
美光3D NAND，技术路线图
在2025 IEEE第17届国际存储器研讨会（IMW 2025）上，美光科技（以下简称“美光”）讲解了最新的第九代（G9）3D NAND闪存技术，并展望了下一代第十代（G10）及之后的3D NAND闪存技术（演讲编号及论文编号1.1）。我们将为您汇报此次演讲的