摘要：所以也就有了64层NAND 闪存，128层，252层，300层，430层等等，层数越高，代表着芯片越先进，就像房子一样，层数越高，住的人越多，存储密度就越大。

与逻辑芯片追求先进工艺，不断的向2nm、1nm迈进不同，NAND闪存芯片，不能一味追求先进工艺。

NAND芯片是用来存储数据的，而根据测试，当芯片工艺在18nm后，如果再往下微缩，工艺越先进，那么数据存储相对而言，就不太稳定了。

所以NAND闪存厂商们，不会一味的去追求工艺提升，不会去不断的微缩晶体管，来实现性能提升。

NAND闪存芯片厂商们的办法，与逻辑芯片不太一样，NAND闪存芯片是利用3D技术，叠加芯片的层数，转向立体结构，来提高性能。

所以也就有了64层NAND 闪存，128层，252层，300层，430层等等，层数越高，代表着芯片越先进，就像房子一样，层数越高，住的人越多，存储密度就越大。

另外，因为存领芯片本身，其实是分为两部分的，一部分是读取、写入部分，一部分是芯片存储部分，这两部分是可以分开来看的。

所以有一些企业，想了一些办法，将这两部分开来对待，比如读取、写入部分，则提高芯片工艺，让读取、写入的速度更快，而存储部分，则不提高工艺，这样保证芯片存储更稳定。

这种技术，就是混合健合技术，将这两部分键合到一起，形成完整的NAND闪存芯片。

国内存储巨头长江存储，有一种技术，叫做Xtacking™（晶栈），其实就是一种混合键合技术，将读写/写入部分的外部电路部分工艺，和存储部分的工艺分开，两部分分开制造，再键合在一起。

像铠侠(Kioxia)和闪迪(SanDisk)在218层的时候，也采用了类似的CMOS键合阵列(CBA)设计，其实也是类似的。

而三星没有类似的设计，所以前段时间，找上了长江存储，获得了长江存储的专利授权，可以使用长江存储的这种混合键合技术。

三星原计划拿到这种技术授权后，迅速的推出400层以上的3D NAND闪存出来，抢占市场，不过近日有媒体报道称，因为技术难度大，再加上内部外的各种原因，所以三星的430层堆叠的V10 NAND Flash，会有延迟，原计划2025年下半年启动，如今推迟至明年上半年左右，延迟半年到一年时间。

而这也意味着，随着技术不断的升级，整个行业难度是在增加的，而中国厂商，因为早就有准备了，所以在接下来的竞争之中，可能会获得一个有利的竞争优势了。

特别是早就布局的这种混合键合技术，或许是长江存储未来崛起的一个非常好的技术突破口，毕竟连三星都要跑过来获得专利授权，可见真的不一般。

来源：互联网乱侃秀