国产SiC模块在MV中高压变频器应用中升级替代进口IGBT模块老方案
国产碳化硅（SiC）模块在高压变频器MV领域全面升级替代进口绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，是电力电子技术迭代、国产化进程加速以及市场需求升级共同驱动的必然趋势。以下从技术性能、经济性、供应链安全和政策支持等维度分析其核心原因：
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副教授出轨女研究生，双方“实力”都很强，原配从常德追到学校
网传女子丈夫林某是湖南文理学院的研究生导师，90后，年轻有为，才32岁就是副教授级别，并担任科技与社会服务处副处长，在水生生物领域研究颇有成就。
SiC革掉IGBT大浪潮下电力电子研发工程师核心竞争力是能否主动重构技术认知体系
在电力电子技术从硅基IGBT向碳化硅（SiC）功率半导体加速迭代的背景下，电力电子研发工程师的核心竞争力已从“传统设计能力”转向“能否主动重构技术认知体系”。
海外储能PCS市场竞争趋势：基于SiC碳化硅功率模块的高效率高寿命
进入2025年，海外储能市场呈现发展新的技术发展趋势：通过采用核心功率器件SiC功率模块的新一代高效率高寿命储能变流器PCS在海外市场得到广泛认可并得到客户买单，比如德国SMA推出新一代采用SiC MOSFET功率模块的构网型储能变流器PCS，而采用IGBT模
英飞凌高管专访：详解GaN/SiC/AI/机器人布局与中国本土化发展！
今年3月中旬，英飞凌在深圳召开了 “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”。期间，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟接受了包
宏微科技跌0.30%，成交额5681.94万元，主力没有控盘
根据AI大模型测算宏微科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码快速出逃，建议调仓换股。舆情分析来看，2家机构预测目标均价47.93，高于当前价185.13%。目前市场情绪极
宏微科技涨1.69%，该股筹码平均交易成本为18.50元，近期筹码快速出逃，建议调仓换股
根据AI大模型测算宏微科技后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码快速出逃，建议调仓换股。舆情分析来看，2家机构预测目标均价47.93，高于当前价184.28%。目前市场情绪极
2025年全球电源品牌排行榜：技术革新与市场格局的深度解析
2025年，全球电源市场在碳中和目标、能源危机及技术创新的多重驱动下，迎来前所未有的变革。本文基于市场数据、技术趋势及用户反馈，全面解析电源品牌的最新格局，揭示行业未来发展方向。
SiC芯片设计公司和模块封装公司经常发布“战略合作”市场造势活动的本质
从英飞凌、富士电机、三菱电机等国际巨头的功率模块发展历程来看，国内SiC芯片设计公司与模块封装公司频繁发布的“战略合作”噱头，本质是技术追赶期的权宜之计，其终局将受制于技术壁垒、生态整合能力、利益冲突和市场竞争格局的深层矛盾。以下从国际经验与国内现状展开分析：
分享：SiC/SiCf复合材料包壳管在高温高压水中的应力腐蚀开裂行为
SiC/SiCf复合材料作为核反应堆燃料包壳候选材料,具有高温强度优良、高温化学性能稳定、熔点高、辐照稳定性好、高温蒸汽腐蚀动力低和抗高温蠕变能力强等优点[1-2]。SiC的中子经济性比锆合金高25%[3],也不存在锆合金的氢致破坏问题。SiC/SiCf复合材
SiC全桥碳化硅模块在家储系统电池充放电DC-DC中的应用优势
BMH027MR07E1G3作为一款650V全桥碳化硅MOSFET模块，凭借其高频、高效、高可靠性的特性，在家储系统电池PACK的充放电DC-DC转换器中具有显著优势。以下从核心性能与场景适配性两方面展开分析：
第三代半导体：SiC和GaN测试与应用，半导体功率器件测试座的角色
随着新能源汽车、5G基站、数据中心等领域的快速发展，第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）凭借其优异的物理特性，正在逐步取代传统硅基功率器件。本文将从SiC/GaN模块的性能优势、测试挑战、核心测试项及方法等方面展开分析，并结合行业案例探讨IC/芯
英国SiC晶圆厂获得印度投资
Clas-SiC首席执行官Jen Walls表示：“这笔投资确保了下一代技术的开发和制造。我们已向全球出口了功率半导体，与北美、欧洲和亚洲的客户展开了合作。”
125KW/135KW工商业储能变流器（PCS）首选的SiC功率模块
低导通电阻：典型值仅5.5mΩ（25°C时），显著降低导通损耗，提升系统效率。
金奖成为常态，30年老牌校的 “竞赛基因” 藏着什么？
AMC 美国数学测评美国数学测评(AMC)由美国数学协会(MAA)举办，目前每年全球超过6000所学校的30万名同学参加，是全球最有影响力的青少年数学测评活动之一。
Wolfspeed，前景堪忧
11 月，本文作者得出结论，Wolfspeed 除了加快速度外什么都没做。其向碳化硅转型导致巨额资本支出，同时伴随巨额运营亏损，给业务造成重大财务压力。尽管人工智能牛市如火如荼，与 CHIPS 法案相关的利好消息不断，以及该公司宣布的重大设计胜利，情况仍然如此
新商机！SiC MOS是瞬变电磁发射机设计趋势
瞬变电磁法是无损地球物理探测仪市场的发展趋势，而且应用范围不断在扩大。瞬变电磁发射机作为瞬变电磁法勘探的重要组成部分，它的性能几乎就决定了该方法勘探的有效性。为对浅层甚至是甚浅层采用多匝小线圈进行精确勘探，该团队采用SiC MOSFET器件设计一种改进型的瞬变
8英寸SiC基板，准备降价了
美国对中国成熟的半导体工艺和第三代碳化硅（SiC）半导体发起301调查，供应链运营商表示，日益严峻的环境似乎更激发了中国制造商突破壁垒的决心。中国主流6英寸SiC基板在2024年大幅降价，迅速引发内部竞争。不过，最近的报告显示，激进的定价策略已经开始放缓。
The truth behind gimmick of domestic SiC MOSFET “lowest Rdson”
In order to seek short-term interests to gain financing or investment, the interests of end customers and the reputation of the in
免费资料下载：SiCMOSFET短路特性以及短路保护方法
在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中，由第三代半导体材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基（Si）制成的Si IGBT。这是因为碳化硅（SiC）材料相比传统硅（Si）材料具有更优越的物理特性，使得SiC MOSFET在高
sic 短路保护 sicmosfet短路 分流电阻 sicm 2025-03-11 18:17 8