ABB申请中压变速组件专利,使DC链路的标称电压对于IGBT、MOSFET或类似组件而言足够低
国家知识产权局信息显示,ABB瑞士股份有限公司申请一项名为“中压变速组件”的专利,公开号CN120185487A,申请日期为2024年12月。
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中国电动车市场火到啥程度?2024 年全球 56% 的电动车都被中国买走了!车卖得越多,里面的芯片需求越旺。但尴尬的是,中国汽车芯片自给率只有 15%,大部分还得进口。不过这恰恰藏着三大赚钱机会,咱一个个看 ——
北京市民林宇(化名)盯着电脑屏幕上的新能源指标通知,9年等待换来的“中标”信息让他恍惚。这个普通家庭的购车故事,恰是中国经济战略转型的微观注脚——5月15日,国务院召开做强国内大循环工作推进会(以下简称“会议”)。10多天后,北京市宣布分两次增发6万个新能源指
IGBT的栅极电压可通过不同的驱动电路来产生。这些驱动电路设计的优劣对IGBT构成的系统长期运行可靠性产生直接影响。为了确保IGBT的完全饱和以及较小化通态损耗,同时还要限制短路电流和功率应力,正向栅极电压必须控制在适当范围内。
芯联集成(688469.SH)是一家优质的上市公司吗?看着年年巨亏近10亿元的财报,不少投资者心存疑虑。上市后,芯联集成的股价一路震荡下行,曾一度低至3.33元/股,至今仍在发行价之下挣扎,叩击着市场对其真实价值的灵魂拷问。
目前大功率SiC IGBT器件常用高熔点的高铅焊料作为固晶材料,为保证功率器件的长期使用,需研究温度冲击条件下高铅焊点的疲劳可靠性,并探究其失效机理。采用Pb92.5Sn5Ag2.5作为SiC芯片和基板的固晶材料,探究温度冲击对固晶结构中互连层疲劳失效的影响。
本文详解GaN技术在3kW以内电机驱动与逆变器系统中的系统级优势,强调其在降低功耗、简化结构、减少BOM成本以及实现更高功率密度和更平稳控制方面的表现。Cambridge GaN Devices的ICeGaN产品以兼容传统驱动、集成电流检测和可调开关速度等特性
产品定义:IGBT模组固晶机是一种专为绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块制造设计的半导体设备,用于将IGBT芯片精确固定到基板或框架上,实现电连接和机械稳定性。其核心目的是通过软焊料焊接或铜/银烧结等工艺,确保IGBT模块在高电压、高电流应用中的高可靠性和优异性
产品定义:IGBT贴装设备是用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片或模块封装的专用半导体制造设备,主要负责将IGBT芯片精确固定到基板或框架上,并实现电连接与机械稳定。其核心目的是通过高精度贴装工艺(如软焊料焊接、铜/银烧结或表面贴装)确保IGBT器件在高电压、
2024年8月30日互动易:公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货,主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证,并已通过客户端整车认证,进入大批量生产阶段。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT 和MOSFET 组成的复合功率半导体器件,既有MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJ
小米最新自研芯片玄戒 01 即将在 22 日晚发布,这是全球第四个能自己设计芯片的手机厂(苹果 / 三星 / 华为),全球第四家掌握 3nm 芯片设计能力的科技巨头,也是中国科技企业硬核技术突围的又一里程碑。对此网上各种各样得声音都有,也不乏一些故意抹黑得声音
在汽车空调 PTC系统中,半导体开关器件(如IGBT、SiC MOSFET 等)承担着电能控制、安全保护、能效优化等核心功能,是连接电源与 PTC 发热元件的关键枢纽。以下从技术原理、具体作用和典型应用三方面对SiC碳化硅MOSFET单管AB2M080120H
ptc igbt 汽车空调 ab2m080120h 2025-05-20 23:33 5
2024年8月30日互动易:公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货,主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证,并已通过客户端整车认证,进入大批量生产阶段。
2024年8月30日互动易:公司汽车IGBT芯片长期稳定向国内多家整车厂、TIER 1大批量供货,主要应用在新能源汽车的主驱逆变器。相应的车用灌封模块均已通过AQG324等相关车规级认证,并已通过客户端整车认证,进入大批量生产阶段。
本文回顾了硅基IGBT的发展历程,并聚焦碳化硅(SiC)材料赋能IGBT的最新研究进展,尤其是北卡州立大学团队对15kV SiC IGBT的实验验证,展示了其在中压智能电网和电能转换中的潜力,预示着IGBT在宽禁带材料支持下可拓展至更高压等级的未来应用。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块广泛应用于新能源、电动汽车、工业变频等领域,其封装可靠性直接影响模块的性能和寿命。在封装工艺中,焊接强度、引线键合质量、端子结合力等关键参数需要通过精密测试来验证。