2031年中国市场电驱动系统IGBT模块市场规模将达到281.1亿元

摘要：IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT 和MOSFET 组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJ

电驱动系统IGBT模块中国市场总体规模

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT 和MOSFET 组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。

IGBT从封装形式分类可以分为IGBT分立器件、IGBT模块和IGBT-IPM智能功率模块三大类产品：

IGBT单管为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

IGBT模块则在单管的基础上加入了IC驱动和各种驱动保护电路，采用更先进的封装技术。IGBT模块是由多个IGBT芯片与FRD（快恢复二极管）芯片通过特定的电路封装而成的模块化产品，具有输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等特点。

电驱动系统的IGBT模块是专用的功率电子组件，将多个绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和其他必要的组件（如二极管）集成到一个模块中。这些模块设计用于处理电动汽车（EV）中的高电压和大电流的开关操作。它们在将电池的直流电转换为电动机所需的交流电，并控制电动机的速度和扭矩方面发挥着至关重要的作用。IGBT模块对于高效的能源管理、减少功率损耗以及确保电驱动系统的可靠性能至关重要。

据QYResearch调研团队最新报告“中国市场电驱动系统IGBT模块市场报告2025-2031”显示，预计2031年中国市场电驱动系统IGBT模块市场规模将达到281.1亿元，未来几年年复合增长率CAGR为8.1%。

图00001. 电驱动系统IGBT模块，中国市场总体规模