摘要：最近充电头网兆联智控的氮化镓BMS电池管理系统方案。该方案采用主控+模拟前端设计，集成了采集、管理、保护和通讯功能，支持蓝牙BLE通信，支持RS485通信，支持CAN通信，支持弱电开关控制，支持LED或者LCD显示模组；满足15S~30S磷酸铁锂电池应用，也可

前言

最近充电头网兆联智控的氮化镓BMS电池管理系统方案。该方案采用主控+模拟前端设计，集成了采集、管理、保护和通讯功能，支持蓝牙BLE通信，支持RS485通信，支持CAN通信，支持弱电开关控制，支持LED或者LCD显示模组；满足15S~30S磷酸铁锂电池应用，也可选三元锂电池以及钠电池，支持280A持续电流。

我们在实际解析这款BMS方案时，发现其内置19颗英诺赛科低压VGaN用于替换硅MOS，有效减少系统散热成本和损耗，进一步缩小整机体积，提升整体性能。

兆联智控BMS电池管理系统

该方案采用绿色PCB版，正背面并覆盖有大面积散热片，板载通讯接口，便于开发调试，满足产品实际需求。据了解，该方案能在小体积条件下实现持续通流280A，性能强悍。

简单看过方案外观，充电头网继续为您介绍其内置的英诺赛科低压VGaN。

英诺赛科INV100FQ030A

该方案内置的低压氮化镓均为英诺赛科INV100FQ030A双向VGaN，耐压100V，采用FCQFN 4×6封装。该器件具备诸多亮点，规格书中标称击穿电压144V，而实际测试中最高击穿电压可达180V，在应对电异常情况时拥有更好的裕量，避免电路出现故障，可提高整个系统的可靠性，降低对更高耐压等级器件的依赖；选用该器件能够降低系统成本，可一颗VGaN替代两颗共漏连接的背靠背硅MOS，占板空间更小，电路更简洁，可降低系统体积；该产品还具备低至2.6mΩ超低导阻，可降低损耗；另外，该器件具备低温升且温度变化量小特性，适合BMS系统并联应用，还可进一步降低散热成本。

INV100FQ030A适合BMS电池保护、双向转换器的高测负载开关以及多电源系统中的开关电路灯多场景应用。

另外，该方案采用VGaN驱动芯片同样来自英诺赛科，型号为INS1011SD。

充电头网总结

兆联智控BMS电池管理系统这款方案的亮点是采用英诺赛科双向VGaN INV100FQ030A。该系列产品产品仅凭单颗器件即可取代两颗硅MOS，大幅降低了占板空间以及寄生参数，并且有效削减了系统成本。此外，该器件的最高击穿电压超过标称的144V，最高可达180V，为系统提供更高的安全裕量，降低电路故障概率，有效满足电池包BMS系统场景应用需求。

充电头网了解到，英诺赛科InnoGaN开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，具备高频特性好，且导通电阻低的特性，适合高频高效的开关电源应用。InnoGaN开关管也是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用推动了氮化镓快充、光伏与储能、激光雷达等设备快速普及，加速功率器件国产化进程，同时打破了长期海外氮化镓器件厂商垄断功率器件市场的情况，让国内市场掌握氮化镓器件核心议价权。

来源：充电头网