摘要：SK海力士株式会社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发，并已启动量产。这一成就标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的堆叠，为NAND闪存密度树立了新的行业标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上

（全球TMT2025年8月25日讯）SK海力士株式会社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发，并已启动量产。这一成就标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的堆叠，为NAND闪存密度树立了新的行业标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年推出该产品。

为了提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一款容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为了解决大容量NAND可能出现的性能下降问题，该公司将芯片内的独立操作单元（即平面）数量从4个增加到6个。这使得并行处理能力得到提升，并显著增强了同时读取性能。

因此，321层QLC NAND在容量和性能方面均优于之前的QLC产品。数据传输速度翻倍，写入性能提升高达56%，读取性能提升18%。此外，写入功耗效率提升超过23%，这对低功耗要求严苛的人工智能数据中心中进一步增强了竞争力。

该公司计划首先将321层NAND技术应用于个人电脑固态硬盘（PC SSD），随后扩展至数据中心用企业级固态硬盘（eSSD）及智能手机用统一闪存存储（UFS）。借助其自主研发的32DP技术——该技术可实现单个封装内同时堆叠32颗NAND芯片——SK海力士旨在通过实现两倍的集成密度，进入人工智能服务器用超大容量eSSD市场。

来源：全球TMT