旺宏电子申请存储器系统及操作方法专利,基于 3D NAND 快闪存储器具备特定性能

B站影视 内地电影 2025-03-18 20:32 1

摘要:金融界 2025 年 3 月 18 日消息,国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器系统及操作存储器系统的方法”的专利,公开号 CN 119620921 A,申请日期为 2024 年 1 月。

金融界 2025 年 3 月 18 日消息,国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器系统及操作存储器系统的方法”的专利,公开号 CN 119620921 A,申请日期为 2024 年 1 月。

专利摘要显示,本公开提供

了一种存储器系统和操

作存储器系统的方法,存

储器系统为基于具有高

容量和/或能够高效能的

3D NAND 快闪存储器的存

储器系统。该存储器系统

包含存储器平面,存储器

平面各自包含平面核心及特定资源集。针对多个存储器平面中

的每一存储器平面,技术提供指示对应存储器平面的特定资源

集的忙碌状态或就绪状态的对应平面忙碌(PRDY)信号,及指示

由对应存储器平面的平面核心使用的资源的操作中状态或闲

置状态的对应平面操作中(PIO#)信号。基于多个 PRDY 信号及多

个 PIO#信号中的一个或多个的状态,选择性地允许或拒绝由控

制器发布存储器命令以及执行针对多个存储器平面中的存储

器平面的存储器命令。

来源:金融界

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