摘要：晶圆减薄与堆叠是BBCube技术中实现先进三维集成的基础工艺。这些工艺需要精确的工程控制和创新方法，以实现超薄晶圆的同时保持结构完整性和电学性能。本文探讨BBCube技术中晶圆减薄和堆叠工艺的技术细节[1]。

引言

晶圆减薄与堆叠是BBCube技术中实现先进三维集成的基础工艺。这些工艺需要精确的工程控制和创新方法，以实现超薄晶圆的同时保持结构完整性和电学性能。本文探讨BBCube技术中晶圆减薄和堆叠工艺的技术细节[1]。

晶圆减薄基础

BBCube技术中的晶圆减薄将标准775微米厚的晶圆减至仅4微米，同时保持器件功能。这种显著的厚度减少实现了更高密度的集成和更好的散热性能。该工艺采用机械研磨和抛光技术的精密组合，严格控制以防止对器件层造成损坏。

图1展示了器件晶圆减薄后的横截面扫描电镜图像和电学特性，证实了将FRAM、SRAM和DRAM等多种存储技术从9微米成功减薄到1微米，且电学特性未出现降级。

工艺控制与优化

减薄工艺需要精确控制多个参数以达到最佳效果。工艺首先使用较大磨粒（约50微米）进行粗研磨，随后使用较小磨粒（小于5微米）进行精研磨。这种两步法确保了高效的材料去除和优良的表面质量。

图2展示了DRAM器件在精研磨前后的保持时间分布和待机电流特性，显示了在极限减薄水平下器件性能的保持。

结构完整性管理

在减薄工艺中，保持结构完整性是关键挑战。该技术采用支撑衬底系统，在减薄过程中将器件晶圆暂时键合到载体晶圆上。这种方法在允许极限减薄的同时提供了机械稳定性。

图3说明了减薄后DRAM晶体管结构的横截面示意图和降级模型，展示了硅厚度与器件性能之间的关系。

晶圆堆叠技术

BBCube技术中的堆叠工艺相比传统三维集成方法有显著进步。BBCube采用无凸点互连系统，实现了更紧密的垂直集成。

图4详细展示了使用TSV和晶圆叠加技术的无凸点互连工艺流程，显示了从初始晶圆准备到最终封装的完整序列。

边缘处理与倾角控制

减薄过程中的晶圆边缘管理是工艺的重要方面。对边缘修整和倾角控制给予特别关注，以防止开裂并确保超薄晶圆的结构稳定性。

图5显示了不同倾角研磨后的晶圆边缘顶视图，展示了倾角与边缘开裂倾向之间的关系。

堆叠对准与键合

堆叠过程中晶圆的精确对准对于成功集成非常重要。BBCube技术使用先进的对准系统，实现亚微米精度。该工艺采用特殊的粘合材料和键合技术，在提供机械和电气稳定性的同时保持对准。

图6展示了晶圆堆叠中临时和永久粘合剂评估的工艺流程，显示了键合工艺中的重要步骤。

热管理考虑

减薄和堆叠结构必须有效管理热量散失。BBCube技术中硅层厚度的减少和微凸点的消除相比传统三维集成方法实际改善了热管理。

垂直集成能力

极限晶圆减薄和精确堆叠的组合实现了高水平的垂直集成。这种能力使得在保持优异电气和热特性的同时，可以创建具有多个有源层的复杂三维结构。

图7比较了凸点和无凸点互连结构，突出显示了在垂直集成密度和互连效率方面的显著优势。

质量控制与可靠性

通过全面的测试和监控程序确保减薄和堆叠晶圆的可靠性。采用各种表征技术验证集成结构的结构完整性、电气性能和热行为。

总结

BBCube技术中的晶圆减薄和堆叠工艺在半导体制造领域取得了显著进展。这些工艺在保持优异性能特性的同时，实现了高度集成的三维结构。这些核心工艺的持续发展将推动半导体器件集成和性能的进一步提升。

参考文献

[1] T. Ohba, K. Sakui, S. Sugatani, H. Ryoson and N. Chujo, "Review of Bumpless Build Cube (BBCube) Using Wafer-on-Wafer (WOW) and Chip-on-Wafer (COW) for Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI)," Electronics, vol. 11, no. 2, p. 236, Jan. 2022, doi: 10.3390/electronics11020236.

来源：卡比獸papa