摘要：国家知识产权局信息显示，仲联半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种定性表征2D NAND FLASH存储器耐久性的方法与相关装置”的专利，公开号CN 119028403 A，申请日期为2024年8月。

金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，仲联半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种定性表征2D NAND FLASH存储器耐久性的方法与相关装置”的专利，公开号CN 119028403 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种定性表征 2D NAND FLASH存储器耐久性的方法与相关装置，属于FLASH存储器耐久性评价技术领域；所述方法获取待测2D NAND FLASH存储器的相关配置参数；然后将待测2D NAND FLASH存储器的相关配置参数输入仿真模型中，在仿真模型中引入陷阱机制，以代替数量巨大的擦写循环次数；根据所述仿真模型得到数次擦写循环过程中编程阈值电压变化量Δ Vtp和陷阱电荷量Qox的线性关系，以定性表征2D NAND FLASH存储器的耐久性。本发明在仿真模拟2D NAND FLASH存储器的耐久性退化过程中，通过引入陷阱机制，并将编程阈值电压变化量Δ Vtp作为模拟耐久性的主要参数；大大减少了实际表征耐久性的耗时，具有高效、准确、快速、资源节约的优点。

来源：金融界