摘要：为了达到这三个目标，美国限制住了先进工艺的设备，比如光刻机、清洗设备、离子注入机等，不允许美国、日本、荷兰等的这些厂商，卖给中国。

关注芯片行业的人都清楚，这几年，美国对中国芯片产业那是不断的出手，甚至联合日本、荷兰等半导体设备强国，进行围堵。

美国的目标很明显，那就是从三个芯片工艺方面，来锁住中国芯片产业的发展。

第一个方面，同是逻辑芯片，美国想锁死我们在14nm，无法往更小的工艺突破。

第二个方面，则是DRAM内存，美国想要锁死我们在18nm，无法往再小的工艺上突破。

第三个方面，则是NAND闪存，美国想要锁死我们在128层，无法往更高层数上突破

为了达到这三个目标，美国限制住了先进工艺的设备，比如光刻机、清洗设备、离子注入机等，不允许美国、日本、荷兰等的这些厂商，卖给中国。

不过，从现在的情况来看，美国想要锁死我们的三大芯片工艺，已经全部被我们突破了。

先看逻辑芯片方面，中芯国际早在2019年就实现了14nmFinFET技术，后来虽然没有再公开，但华为麒麟9000S、麒麟9010、麒麟9020等是什么工艺？很明显，这是等效于7nm的，这不是突破是什么？

再说DRAM内存方面，长鑫早在2023年底已低调启动DDR5颗粒量产及出货，且其主流的DDR4与LPDDR4X颗粒采用的是17-18nm工艺，而预计今年会推出下一代15nm制程，另外长鑫也在加速从DDR4向DDR5/HBM迁移。

数据显示，截至2024年底时，长鑫全球DRAM市场中的产能占比达到13%，出货量和销售额分别占全球市场的6%和3.7%。

再说NAND闪存方面，美国想要锁死我们在128层，但早在2022年，长存就成为了全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商。

后来被美国限制，无法买到先进设备，但基于国产设备，长存也实现了176层、232层3D NAND闪存的研发，且也推出了新的产品，这也是进行了突破。

除了这些之外，像华为的AI芯片追上了英伟达的H200，小米有了3nm的芯片，蔚来、小鹏等也有了5nm/4nm的汽车芯片。

可以说，美国的封锁计划，是彻底失败了，中国芯片在封锁下越来越强，并且是全方面突破，虽然与全球顶尖水平有差距，但差距也是越来越小了。

来源：互联网乱侃秀